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一种低温制备高性能氧化镍空穴传输层的方法 

申请/专利权人:无锡众能光储科技有限公司

申请日:2024-03-26

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118265409A

主分类号:H10K71/30

分类号:H10K71/30;H10K71/40;H10K30/40;H10K30/50;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/34

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明属于大面积柔性钙钛矿太阳能电池制备技术领域,公开了一种低温制备高性能氧化镍空穴传输层的方法,反应溅射氧化镍NiOx是制备氧化镍空穴传输层常用的方法,本发明在传统的氩氧混合气体中通入适量氮气,制备氮掺杂的氧化镍N:NiOx薄膜。与氧化镍相比,适量氮掺杂的氧化镍薄膜具有更高的电导率和与钙钛矿更匹配的能带结构,无需高温退火,适用于柔性钙钛矿太阳能电池的制备。

主权项:1.一种低温制备高性能氧化镍空穴传输层的方法,以磁控溅射的形式对镍靶材进行溅射,其特征在于:溅射采用的混合气体包括氩气、氧气以及氮气;溅射完成后,导电基体上沉积氮掺杂的氧化镍。

全文数据:

权利要求:

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