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申请/专利权人：湖北大学
摘要：本申请属于光电探测器技术领域，更具体地，涉及一种垂直结构紫外‑可见光光电探测器及其制备方法。该光电探测器自下而上依次设置有高掺杂硅片层、高陷阱态密度的二氧化硅层、金属电极、石墨烯薄膜以及吸光材料层，其中，石墨烯薄膜与吸光材料层结合形成异质结，促进光生载流子的分离与传输，促使电荷的收集与转移。同时，高陷阱态密度的二氧化硅层在一定端电压下，电导率增加，出现半导体态，从而增加异质结端电荷注入的几率，增大光电探测器产生的光电流，通过部件间的相互配合，使得光电探测器对紫外‑可见光宽波段光具有优异的响应度和探测灵敏度，且成像速度快、清晰度高。
主权项：1.一种垂直结构紫外-可见光光电探测器，其特征在于，包括高掺杂硅片层101、设置在所述高掺杂硅片层101表面的高陷阱态密度的二氧化硅层102、设置在所述二氧化硅层102部分表面的金属电极103、包覆在所述金属电极103表面并延伸至所述二氧化硅层102表面的石墨烯薄膜104和设置在所述石墨烯薄膜104表面的吸光材料层105。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北大学 一种垂直结构紫外-可见光光电探测器及其制备方法
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