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申请/专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法，包括步骤：提供一碲镉汞基底，其内具有阵列分布的电极区；对碲镉汞基底退火；在碲镉汞衬底表面形成钝化层；刻蚀钝化层，形成暴露电极区的通孔；在通孔中形成金属电极。
主权项：1.一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供一碲镉汞基底，其内具有阵列分布的电极区；对碲镉汞基底退火；在碲镉汞衬底表面形成钝化层；刻蚀钝化层，形成暴露电极区的通孔；在通孔中形成金属电极。
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权利要求：
百度查询： 浙江珏芯微电子有限公司 一种碲镉汞红外探测器接触电极的制备方法
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