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申请/专利权人：盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司
申请日：2023-11-23
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263153A
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;H01L21/683;H01L21/677;H01L21/687;H01L21/02;B08B5/02;B08B15/02;B08B13/00
优先权：["20221227 KR 10-2022-0185275"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及一种晶片沉积设备的颗粒清除装置及方法，包括：工艺腔室，配置有吸盘、升降装置与花洒头，所述吸盘固定晶片，所述升降装置升降所述吸盘；传送腔室，配置有机械臂，所述机械臂传送所述晶片；闸门，设置在所述工艺腔室与所述传送腔室之间；吹扫阀门，设置在连接于所述花洒头的吹扫气体供应线路；真空泵与节流阀，设置在所述工艺腔室的泵送线路；压力控制用气体供应线路，连接于所述传送腔室；压力控制器，设置在所述压力控制用气体供应线路，将所述传送腔室的压力保持在高于所述工艺腔室的压力；及控制部，控制所述吸盘、所述升降装置、所述机械臂、所述闸门、所述吹扫阀门、所述真空泵、所述节流阀、所述压力控制器的运行。
主权项：1.一种晶片沉积设备的颗粒清除装置，包括：工艺腔室，配置有吸盘、升降装置与花洒头，所述吸盘固定晶片，所述升降装置升降所述吸盘；传送腔室，配置有机械臂，所述机械臂传送所述晶片；闸门，设置在所述工艺腔室与所述传送腔室之间；吹扫阀门，设置在连接于所述花洒头的吹扫气体供应线路；真空泵与节流阀，设置在所述工艺腔室的泵送线路；压力控制用气体供应线路，连接于所述传送腔室；压力控制器，设置在所述压力控制用气体供应线路，将所述传送腔室的压力保持在高于所述工艺腔室的压力；及控制部，控制所述吸盘、所述升降装置、所述机械臂、所述闸门、所述吹扫阀门、所述真空泵、所述节流阀、所述压力控制器的运行。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 晶片沉积设备的颗粒清除装置及方法
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