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申请/专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日：2023-12-15
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263133A
主分类号：H01L21/50
分类号：H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/60;H01L23/482
优先权：["20221227 US 18/146,712"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种衬底经由包括物理上不同体积的不同导电材料的独立式异质结构热界面材料接合到导电金属凸缘。所述异质结构热界面材料例如，双金属箔在一侧以冶金方式接合到所述衬底的底部，并且在相对侧以冶金方式接合到所述凸缘。可选择形成所述热界面材料的构成材料和其尺寸以实现所要的热导率和或电导率，同时允许热膨胀系数CTE与所述衬底和或所述凸缘匹配。
主权项：1.一种方法，其特征在于，包括：接收半导体衬底，所述半导体衬底具有顶部表面和底部表面；将独立式异质结构热界面材料的顶部表面以冶金方式接合到所述半导体衬底的所述底部表面；以及通过经由管芯附接材料层将所述异质结构热界面材料的底部表面以冶金方式接合到金属凸缘，将所述半导体衬底耦合到具有设置在所述半导体装置管芯下方的顶部表面的所述金属凸缘；其中所述异质结构热界面包括一定体积的第一导电材料和物理上不同于第一体积的导电材料的一定体积的第二导电材料。
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