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一种用于断路器的二极管全桥双级子模块 

申请/专利权人:全球能源互联网研究院有限公司

申请日:2018-07-24

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN108933536B

主分类号:H02M7/00

分类号:H02M7/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.28#授权;2019.03.12#实质审查的生效;2018.12.04#公开

摘要:本发明提供了一种用于断路器的二极管全桥双级子模块,包括框架、IGBT压装结构、二极管压装结构、均压电阻R2、均压电阻R4、充电电容C1和充电电容C2;IGBT压装结构和二极管压装结构均固定在框架上,二极管压装结构一端连接IGBT压装结构,另一端连接充电电容C1和充电电容C2,半导体元器件数量相对较少,电气连接简单,接线难度小且成本低,本发明块通过第一层叠母排、第二层叠母排、第三层叠母排和第四层叠母排作为电气连接线,整体结构紧凑,以整个子模块为单元进行安装,以IGBT压装结构和二极管压装结构为单元进行拆卸,安装和拆卸方便,易于维护,且尽量多的压装半导体元器件,减小了子模块的整体重量。

主权项:1.一种用于断路器的二极管全桥双级子模块,其特征在于,包括框架、IGBT压装结构、二极管压装结构、均压电阻R2、均压电阻R4、与均压电阻R2并联的充电电容C1以及与均压电阻R4并联的充电电容C2;所述IGBT压装结构和二极管压装结构均固定在框架上,所述二极管压装结构一端通过第一层叠母排和第二层叠母排连接IGBT压装结构,另一端通过第三层叠母排和第四层叠母排分别连接充电电容C1和充电电容C2;所述IGBT压装结构包括IGBT紧固螺钉、IGBT碟簧以及依次压接的第一IGBT压板、第一IGBT绝缘板、第一IGBT导电板、IGBT1、第二IGBT导电板、IGBT2、第三IGBT导电板、第二IGBT绝缘板、第四IGBT导电板、IGBT3、第五IGBT导电板、IGBT4、第六IGBT导电板、第三IGBT绝缘板和第二IGBT压板;所述二极管压装结构包括第一二极管压板、第二二极管压板、第一二极管组件、第二二极管组件、第一二极管导电板、第二二极管导电板、第三二极管导电板、二极管紧固螺钉和二极管碟簧;所述第一二极管压板与第二二极管压板平行设置,两者通过二极管紧固螺钉连接;所述第一二极管组件与第二二极管组件之间通过第一二极管导电板、第二二极管导电板和第三二极管导电板连接,两者平行设置于第一二极管压板与第二二极管压板之间,且与第一二极管压板和第二二极管压板垂直;所述二极管碟簧压接在第三二极管导电板与第二二极管压板之间。

全文数据:一种用于断路器的二极管全桥双级子模块技术领域[0001]本发明涉及电力电子技术领域,具体涉及一种用于断路器的二极管全桥双级子模块。背景技术[0002]断路器是柔性直流输电系统中分断短路电流的核心部件。断路器由转移支路、主支路、能量吸收支路3条并联支路组成。主支路由超高速机械开关和少量全桥模块串联构成;转移支路由多级二极管全桥模块串联构成,用于短时承载和分断直流系统故障电流;耗能支路由多个避雷器组并联构成,用于抑制分断过电压和吸收能量。[0003]接收到系统分断信号,或者达到过电流保护阀值,主支路闭锁,主支路电容产生压差,强迫电流换流至转移支路。主通流支路电流全部换流至转移支路后,快速机械开关分断。快速开关分断后,转移支路闭锁,电流给转移支路电容充电,断路器两端电压迅速增大。分断电压达到避雷器动作水平后,故障电流向避雷器转移,避雷器吸收系统故障电流。[0004]目前转移支路拓扑分为IGBT全桥和二极管全桥两类,其中IGBT全桥拓扑单元需要4个IGBT,成本较高;其中的二极管全桥拓扑单元只需2个IGBT,二极管全桥拓扑将节省近一半的成本。但二极管全桥拓扑存在以下两个问题:[0005]1由于每个二极管全桥子单元包括:5个二极管、2个IGBT、2个电阻和1个电容。每个二极管全桥子单元中的半导体元器件即二极管和IGBT、电容之间共需要11根电气连接线,半导体元器件数量多,电气连接复杂;[0006]2二极管全桥子单元的7个半导体元器件(S卩2个二极管和5个IGBT都需要较大压装力满足其电气性能,传统的半导体元器件压装都采用大组件压装(即7-9个半导体元器件以串联形式压装),7个半导体元器件之间都有电气连接线,若采用大组件方式,半导体元器件之间接线难度大,这对二极管全桥的装配和维护带来很大困难。发明内容[0007]为了克服上述现有技术中半导体元器件数量多、电气连接复杂、接线难度大以及成本高的不足,本发明提供一种用于断路器的二极管全桥双级子模块,包括框架、IGBT压装结构、二极管压装结构、均压电阻R2、均压电阻R4、与均压电阻R2并联的充电电容C1以及与均压电阻R4并联的充电电容C2;IGBT压装结构和二极管压装结构均固定在框架上,二极管压装结构一端通过第一层叠母排和第二层叠母排连接IGBT压装结构,另一端通过第三层叠母排和第四层叠母排分别连接充电电容C1和充电电容C2,半导体元器件数量相对较少,电气连接简单,接线难度小且成本低。[0008]为了实现上述发明目的,本发明采取如下技术方案:[0009]本发明提供一种用于断路器的二极管全桥双级子模块,包括框架、IGBT压装结构、二极管压装结构、均压电阻R2、均压电阻R4、与均压电阻R2并联的充电电容Q以及与均压电阻R4并联的充电电容C2;[0010]所述IGBT压装结构和二极管压装结构均固定在框架上,所述二极管压装结构一端通过第一层叠母排和第二层叠母排连接IGBT压装结构,另一端通过第三层叠母排和第四层叠母排分别连接充电电容C1和充电电容C2。[0011]所述IGBT压装结构包括IGBT紧固螺钉、IGBT碟簧以及依次压接的第一IGBT压板、第一IGBT绝缘板、第一IGBT导电板、IGBT1、第二IGBT导电板、IGBT2、第三IGBT导电板、第二IGBT绝缘板、第四IGBT导电板、IGBT3、第五IGBT导电板、IGBT4、第六IGBT导电板、第三IGBT绝缘板和第二IGBT压板。[0012]所述第一IGBT压板和第二IGBT压板平行设置,两者的上端和下端分别通过IGBT紧固螺钉连接;[0013]所述IGBT碟簧压接在第三IGBT绝缘板与第二IGBT压板之间。[0014]所述IGBT1的集电极和IGBT2的集电极朝向第二IGBT导电板,所述IGBT1的发射极朝向第一IGBT导电板,所述IGBT2的发射极朝向第三IGBT导电板;[0015]所述IGBT3的集电极和IGBT4的集电极朝向第五IGBT导电板,所述IGBT3的发射极朝向第四IGBT导电板,所述IGBT5的发射极朝向第六IGBT导电板。[0016]所述二极管压装结构包括第一二极管压板、第二二极管压板、第一二极管组件、第二二极管组件、第一二极管导电板、第二二极管导电板、第三二极管导电板、二极管紧固螺钉和二极管碟簧;[0017]所述第一二极管压板与第二二极管压板平行设置,两者通过二极管紧固螺钉连接;[0018]所述第一二极管组件与第二二极管组件之间通过第一二极管导电板、第二二极管导电板和第三二极管导电板连接,两者平行设置于第一二极管压板与第二二极管压板之间,且与第一二极管压板和第二二极管压板垂直.[0019]所述二极管碟簧压接在第三二极管导电板与第二二极管压板之间。[0020]第:二极管组件包括第四二极管绝缘板、第五二极管绝缘板、第六二极管绝缘板、二极管D1、:极管D3、:极管D5、:极管〇7、二极管Dg、第五二极管导电板第六一极管导电板和第七二极管导电板;谈$、一《@[0021]所述第五二极管导电板为U型导电板;⑽22]所述第四二极管绝缘板、第一二极管导电板的一端、二极管如、第五二极管导的=端、二极管D5:p;二极管导电板、第五二极管绝缘板、第五二极管导电板的另二极管D3、第一^及管导电板的-端、二极管阶、第七二极管导电板、二极管〇二管^电板的一端和第六二极管绝缘板依次压接。弟一一极目寸[。。23]32二!及管_卩瞄輸第—二极管导电板,其_輸第五二极管导电板.阳极朝向第二二极管导电板,其阴极朝向第五二0〇25=二=E5__向力五二极管导植,潮测崎六[0_難^极,_阳_向第七1管导电板,其阴极朝向第二二极n极管日极朝向第七二极管导电板,其阴极朝向第三二极管^电板:[0028]一所^兎二二极管组件包括第一二极管绝缘板、第二二极管绝缘板第二。缘板、二极官D2、二极管D4、二极管D6、二极管⑽、二极管綱、第四|,申管导电板和第九二极管导电板;目寸电板、弟八一极^二!緣攸、第一二极管导电板的另一端、二极管D2、第四二极管板、一极官D4f一极官导电板的另—端、二极管D6、第A二极管导电板、第二二极管j板、第九二〒导电板、二极管D10、二极管D8、第三二极管导电板的另管筚缘板依次压接。米一一攸目绝陶]所述二极管_阳极朝向第四二极管导电板,其阴极朝向第—二[酬所述二极管_阳极朝向第四二极管导电板,期极朝向第二二极管导’[_]臟二織二黯导,潮_肭顧二极:[0_所述二极管m_日极朝向第八二极管导电板,其阴极朝向第九二极管导电板.[0034]所述二极管D咖日侧魄三二贿导电板,棚翻魄Az:极管导电板。’_5]臟子機2傭与二极管压麵构巾二极管!5瓶_电电_以管压装机构中二极管D10并联的放电电阻R3。[0036]所述第一层叠母排的一端连接IGBT压装结构中的第一IGBT导电板、第二IGBT导电板和第三IGBT导电板,其另一端连接二极管压装结构中的第四二极管导电板和第五二极导电板;_7]所述第二层叠母排的一端连接IGBT压装结构中的第四IGBT导电板、第五IGBT导电板和第六IGBT导电板,其另一端连接二极管压装结构中的第七二极管导电板和第八二极管导电板;[0038]所述第三层叠母排一端连接二极管压装结构中的第四二极管导电板和第六二极管导电板,所述第四层叠母排一端连接二极管压装结构中的第九二极管导电板和第七二极管导电板。[0039]与最接近的现有技术相比,本发明提供的技术方案具有以下有益效果:[0040]本发明提供的用于断路器的二极管全桥双级子模块包括框架、IGBT压装结构、二极管压装结构、均压电阻R2、均压电阻R4、与均压电阻R2并联的充电电容C1以及与均压电阻R4并联的充电电容C2;IGBT压装结构和二极管压装结构均固定在框架上,二极管压装结构一端通过第一层叠母排和第二层叠母排连接IGBT压装结构,另一端通过第三层叠母排和第四层叠母排分别连接充电电容C1和充电电容C2,半导体元器件数量相对较少,电气连接简单,接线难度小且成本低;[0041]本发明提供的二极管全桥双级子模块通过第一层叠母排、第二层叠母排、第三层叠母排和第四层叠母排作为电气连接线,整体结构紧凑,以整个子模块为单元进行安装,以IGBT压装结构和二极管压装结构为单元进行拆卸,安装和拆卸方便,易于维护;[0042]本发明提供的二极管全桥双级子模块尽量多的压装半导体元器件,减小了子模块的整体重量。附图说明[0043]图1是本发明实施例中用于断路器的二极管全桥双级子模块电气拓扑图;[0044]图2是本发明实施例中用于断路器的二极管全桥双级子模块立体图;[0045]图3是本发明实施例中用于断路器的二极管全桥双级子模块俯视图;[0046]图4是本发明实施例中IGBT压装结构示意图;[0047]图5是本发明实施例中IGBT压装结构接线侧的二极管压装结构示意图;[0048]图6是本发明实施例中充电电容接线侧的二极管压装结构示意图;[0049]图中,1、框架,2、IGBT压装结构,3、二极管压装结构,4、均压电阻R2,5、均压电阻R4,6、充电电容Cl,7、充电电容C2,8、第一层叠母排,9、第二层叠母排,1〇、第三层叠母排,11、第四层叠母排,12、第一IGBT压板,13、第一IGBT绝缘板,14、第一IGBT导电板,15、IGBT1,16、第二IGBT导电板,17、108了2,18、第三1681'导电板,19、第二1681'绝缘板,20、第四叩81'导电板,21、賜丁3,22、第五舰1'导电板,23、皿了4,24、第六_1'导电板,25、第三_1'绝缘板,26、第二IGBT压板,27、IGBT压装结构中的IGBT紧固螺钉,28、IGBT压装结构中的IGBT碟簧,29、第一二极管压板,30、第二二极管压板,w、第一二极管绝缘板,32、第二二极管绝缘板,33、第三二极管绝缘板,34、第四二极管绝缘板,35、第五二极管绝缘板,36、第六二极管绝缘板,37、第一一极官导电板,38、第二二极管导电板,39、第四二极管导电板,4〇、第五二极管导电板,41、第七二极管导电板,42、第八二极管导电板,43、二极管压装结构中的二极管紧固螺钉,44、一极官压装结构中的二极管碟簧,妨、第九二极管导电板,46、二极管D1,47、二极管D2,48、二极管D3,49、二极管D4,50、二极管D5,51、二极管D6,52、二极管D7,53、二极管D8,54、二极管D9,55、二极管D10,56、第二二极管导电板,57、第六二极管导电板。具体实施方式[0050]下面结合附图对本发明作进一步详细说明。[0051]目前已有断路器的转移支路多为IGBT全桥,由于IGBT成本较高,此设计将增加设备成本,如果能将IGBT数量减半,变为二极管全桥,设备成本将减少近一半。但是二极管全桥中需较多的压装半导体器件,目前大多采用大组件压装方式,此方式不利于设备的安装及维护,若能将每个全桥子单元设计为一个子模块,上下级之间只连接一个母排,安装、维修只需装拆子模块,将提高转移支路的安装、维护性。目前已有的小组件的压装结构中,每一个半导体器件用一对压装钢板,结构重量大大增加。于是本发明实施例提供了一种用于断路器的二极管全桥双级子模块,其立体如图2所示,俯视图如图3所示,该用于断路器的二极管全桥双级子模块包括框架1、IGBT压装结构2、二极管压装结构3、均压电阻R2、均压电阻R4、与均压电阻R2并联的充电电容C1以及与均压电阻R4并联的充电电容C2;具体连接关系如下:[0052]IGBT压装结构2和二极管压装结构3均固定在框架丨上,二极管压装结构3—端通过第一层叠母排8和第二层叠母排9连接IGBT压装结构2,另一端通过第三层叠母排10和第四层叠母排11分别连接充电电容C1和充电电容C2。[0053]如图4,IGBT压装结构2包括IGBT紧固螺钉27、IGBT碟簧28以及依次压接的第一IGBT压板12、第一IGBT绝缘板13、第一IGBT导电板14、IGBT1、第二IGBT导电板16、IGBT2、第三IGBT导电板18、第二IGBT绝缘板19、第四IGBT导电板20、IGBT3、第五IGBT导电板22、IGBT4、第六IGBT导电板24、第三IGBT绝缘板25和第二IGBT压板26。[0054]第一IGBT压板12和第二IGBT压板26平行设置,两者的上端和下端分别通过IGBT紧固螺钉27连接,IGBT紧固螺钉27可以设有六个,第一IGBT压板12和第二IGBT压板26两者上端通过三个IGBT紧固螺钉连接,两者的下端通过其余三个IGBT紧固螺钉连接。川阶碟簧28压接在第三IGBT绝缘板25与第二IGBT压板26之间,IGBT碟簧28可以设置6套,每套IGBT碟簧有4个IGBT碟簧,每套中IGBT碟簧中,2个IGBT碟簧为一组并联,其余2个IGBT碟簧为另一组也并联,之后再串联,即可形成一套IGBT碟簧。[0055]上述IGBT1的集电极和IGBT2的集电极朝向第二IGBT导电板16,IGBT1的发射极朝向第一IGBT导电板14,IGBT2的发射极朝向第三IGBT导电板18;[0056]IGBT3的集电极和IGBT4的集电极朝向第五IGBT导电板22,IGBT3的发射极朝向第四IGBT导电板20,IGBT5的发射极朝向第六IGBT导电板24。[0057]如图5和图6,二极管压装结构3包括第一二极管压板29、第二二极管压板3〇、第一二极管组件、第二二极管组件、第一二极管导电板37、第二二极管导电板56、第三二极管导电板38、二极管紧固螺钉43和二极管碟簧44;具体的连接关系如下:一[0058]第一二极管压板29与第二二极管压板30平行设置,两者通过二极管紧固螺钉43连接;二极管紧固螺钉43—共可以设4个,第一二极管压板29与第二二极管压板3〇各自的IGBT压装结构接线侧中间位置设有2个,剩余2个设置在第一二极管压板四与第二二极管压板3〇各自的充电电容侧的上端和下端。[0059]其中第一二极管组件与第二二极管组件之间通过第一二极管导电板37第二二极管导电板56和第三二极管导电板洲连接,两者平行设置于第一二极管压板四与第二=极管压板30之间,且与第一二极管压板29和第二二极管压板3〇垂直,二极管碟簧44压接g第三一极管导电板38与第二二极管压板3〇之间,二极管碟簧44可以设置2套每套一极有2个并联的二极管碟簧。—_〇]其中,第-二极管组件包括第四二极管绝缘板糾、第五二极管绝缘板%管绝缘板36、二极管D1、二极管D3、二极管D5、二极管D7、二极_、第五二极H一六二极管导电板57和第七二极管导电板41;电恢、弟[0061]上述的第五二极管导电板为U型导电板;[0_帛—二极管组件删6的下面mu管腿=间人右到左依次腿了二极管雜板34、第—二极管导电板端:极目圧0反第导电板40的一端、二极管队第六二极管导电板57、第五二极管绝缘板导电,_另—端:•二极管D3、第二二极管导电板56的-端、二极管5第二S:电,41、—极劍9、弟二—极管导电板38的—端和第六二极管绝缘板%。_3上述二极管D1、二极管D3、二极管D5、二极管阶、=第二极管导电板37,測极朝向第五二6二极管D5的阳极朝向第五1管导电板40,其阴极朝向第=;[0067]二极管D7的阳极朝向第七二极管导电板4苴阴极t由二::电板57;[0068]二极管_卩日极朝向第七二极管“二二^寸电板56;_9]B二二极管组件包括第—二极板38。缘板33、二极管D2、二极管M、二极管D6、lgf831二缘及管绝二极管导电板42和第九二极管导电板45;目一极目则、第I极目导电板洲、第八[0070]第二二极管组件为图6上面一串二极管笛一一极构一之间从右到左依次压装了第-二极管绝缘^第弟一极二极管压板30第四二极管导电板39、二极管D4、第二二板=另—端、二极觀电板仏第二二极管绝缘板32、第九二极管导;』、☆另管[0071;上2极产2、二极管D4、二极管D6、二极管⑽、二极管见。各自的朝007f^D2f阳极朝向第四1管导电板39,其阴极朝向第—二极管导:阳极朝向第四d及管导电板39,其阴极朝向第二极管导电板56.0074:$_卩日极輸H管导电板队其阴极朝向第八二极管导电001隨輸第^二极辟_42,期极輸第九三黯导电板你0。7iST38細极朝向第二二极管导电板38,其阴极朝向第八二极管导电板42。_7]本发明买施例提供的二极全桥双级子模块还包撇电电阻ri和放电电阻似,宜中放电电阻則与二极管压装机构中二极管Ds并联,放电幢们与二极管压装机构中二g管D10并联。[0078]±述的第-层叠母排8的一端连接第一腿导电板⑷第工腿导电板w和第三IGBT导电板18,其另一端连接第四二极管导电板39和第五二极管导电板4〇;[0079]上述的第二层叠母排g的一端连接第四腿导电板加、第五丽导电板M和第六IGBT导电板24,其另一端连接第七二极管导电板41和第八二极管导电板42;_0]上述的第三层叠母排1〇一端连接第四二极管导电板⑽和第六二另一端连接充电电容C1;,、_1]細层g母排i卜端趙第九二极管导电板45轉七二极管导电触,其另一端连接充电电容C2。'[0082]为了描述的方便,以上所述装置的各部分以功能分为各种模块或单元分别描述。当然,在实施本申请时可以把各模块或单元的功能在同一个或多个软件或硬件中实现。^〇83]本领域内的$术人员应明白,本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序广品。因此,本申请可米用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且,本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质包括但不限于磁盘存储器、CD-R0M、光学存储器等上实施的计算机程序产品的形式。[0084]本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和或方框图中的每一流程和或方框、以及流程图和或方框图中的流程和或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器,使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。[0085]这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中,使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品,该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。[0086]这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上,使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理,从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。[0087]最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制,所属领域的普通技术人员参照上述实施例依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换,这些未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换,均在申请待批的本发明的权利要求保护范围之内。

权利要求:1.一种用于断路器的二极管全桥双级子模块,其特征在于,包括框架、IGBT压装结构、二极管压装结构、均压电阻R2、均压电阻R4、与均压电阻R2并联的充电电容C1以及与均压电阻R4并联的充电电容C2;所述IGBT压装结构和二极管压装结构均固定在框架上,所述二极管压装结构一端通过第一层叠母排和第二层叠母排连接IGBT压装结构,另一端通过第三层叠母排和第四层叠母排分别连接充电电容C1和充电电容C2。2.根据权利要求1所述的用于断路器的二极管全桥双级子模块,其特征在于,所述IGBT压装结构包括IGBT紧固螺钉、IGBT碟簧以及依次压接的第一IGBT压板、第一IGBT绝缘板、第一IGBT导电板、IGBT1、第二IGBT导电板、IGBT2、第三IGBT导电板、第二IGBT绝缘板、第四IGBT导电板、IGBT3、第五IGBT导电板、IGBT4、第六IGBT导电板、第三IGBT绝缘板和第二IGBT压板。3.根据权利要求2所述的用于断路器的二极管全桥双级子模块,其特征在于,所述第一IGBT压板和第二IGBT压板平行设置,两者的上端和下端分别通过IGBT紧固螺钉连接;所述IGBT碟簧压接在第三IGBT绝缘板与第二IGBT压板之间。4.根据权利要求2所述的用于断路器的二极管全桥双级子模块,其特征在于,所述IGBT1的集电极和IGBT2的集电极朝向第二IGBT导电板,所述IGBT1的发射极朝向第一IGBT导电板,所述IGBT2的发射极朝向第三IGBT导电板;所述IGBT3的集电极和IGBT4的集电极朝向第五IGBT导电板,所述IGBT3的发射极朝向第四IGBT导电板,所述IGBT5的发射极朝向第六IGBT导电板。5.根据权利要求1所述的用于断路器的二极管全桥双级子模块,其特征在于,所述二极管压装结构包括第一二极管压板、第二二极管压板、第一二极管组件、第二二极管组件、第一二极管导电板、第二二极管导电板、第三二极管导电板、二极管紧固螺钉和二极管碟簧;所述第一二极管压板与第二二极管压板平行设置,两者通过二极管紧固螺钉连接;所3^第一二极管组件与第二二极管组件之间通过第一二极管导电板、第二二极管导电板和第三二极管导电板连接,两者平行设置于第一二极管压板与第二二极管压板之间,且与第一二极管压板和第二二极管压板垂直;所述二极管碟簧压接在第三二极管导电板与第二二极管压板之间。一6二根据权利要求5所述的用于断路器的二极管全桥双级子模块,其特征在于,所述第一二^管组件1括第四二极管绝缘板、第五二极管绝缘板、第六二极管绝缘板、二极管讥、二极管D3、二极管D5、二极管D7、二极管D9、第五二极管导电板、第六二极管导电板和第七二极管导电板;所述第五二极管导电板为U型导电板;灿^述第四二极管绝缘板、第一二极管导电板的一端、二极管D1、第五二极管导电板的一%、管D5f六二极管导电板、第五二极管绝缘板、第五二极管导电板的另一端、二极管1^、第^^一极官导电板的一端、二极管D7、第七二极管导电板、二极管D9、第三二极管导电板的一《和第六二极管绝缘板依次压接。坎要求6所述的用于断路器的二极管全桥双级子模块,其特征在于,所述二极官D1的阳极輸第-二极管导电板,期棚向第五二极管导电板;所述一极营D3的阳极朝向第二二极管导电板,其阴极朝向第五二极管导电板;尸r边一攸eu如、」m饭别弟立一极管导电板,其阴极朝向第六二极管导臟一极管D7的阳极朝向弟七—极管导电板,其阴极朝向第二二极管导电板;臟二极管D9酬棚自第七二极管导紐,期极輸第三二贿导电板]8.根据权利:$c求6臓0_于_#器自二极管全桥双级子模块,其特彳丨在于,臟第二-极管组件包括第-—极管绝缘板、第二二极管绝缘板、第三二极管绝缘板、二极管D2、二极管D4、二极管D6、二极管D8、二极管D10、第四二极管导电板、第八二极管导和第九二极管导电板;所述第一二极管绝缘板、第一二极管导电板的另一端、二极管D2、第四二极管导电板、二极管D4、第二二极管导电板的另一端、二极管D6、第八二极管导电板、第二二极管绝缘板、第九二极管导电板、二极管D10、二极管肋、第三二极管导电板的另一端和第三二极管绝缘板依次压接。9.根据权利要求8所述的用于断路器的二极管全桥双级子模块,其特征在于,所述二极管D2的阳极朝向第四二极管导电板,其阴极朝向第一二极管导电板;所述二极管D4的阳极朝向第四二极管导电板,其阴极朝向第二二极管导电板;所述二极管D6的阳极朝向第二二极管导电板,其阴极朝向第八二极管导电板;所述二极管D10的阳极朝向第八二极管导电板,其阴极朝向第九二极管导电板;所述二极管D8的阳极朝向第三二极管导电板,其阴极朝向第八二极管导电板。10.根据权利要求1所述的用于断路器的二极管全桥双级子模块,其特征在于,所述子模块还包括与二极管压装机构中二极管D5并联的放电电阻R1以及与二极管压装机构中二极管D10并联的放电电阻R3。11.根据权利要求1所述的用于断路器的二极管全桥双级子模块,其特征在于,所述第一层叠母排的一端连接IGBT压装结构中的第一IGBT导电板、第二IGBT导电板和第三IGBT导电板,其另一端连接二极管压装结构中的第四二极管导电板和第五二极管导电板;所述第二层叠母排的一端连接IGBT压装结构中的第四IGBT导电板、第五IGBT导电板和第六IGBT导电板,其另一端连接二极管压装结构中的第七二极管导电板和第八二极管导电板;所述第三层叠母排一端连接二极管压装结构中的第四二极管导电板和第六二极管导电板,所述第四层叠母排一端连接二极管压装结构中的第九二极管导电板和第七二极管导电板。

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