申请/专利权人：大连理工大学盘锦产业技术研究院

申请日：2022-08-09

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN115491656B

主分类号：C23C16/30

分类号：C23C16/30;C23C16/44;C23C16/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2023.01.03#实质审查的生效;2022.12.20#公开

摘要：本发明公开了一种单层二硒化钨及其制备方法，该方法包括：1将钨源和分散剂进行混合；2将衬底进行预处理；3将前驱体溶液均匀旋涂至预处理后的衬底并烘干；4将钨源均匀分散的衬底放入管式炉中的第一石英舟，将硒源放入管式炉中的第二石英舟；5将第一石英舟和第二石英舟进行控温反应，以便得到单层二硒化钨。由此，该方法可有效控制晶核空间位置的分布，工艺简单，重复性好，适合大规模生产，为二维材料领域中大尺寸晶体材料的制备工作提供了新的思路。此外，该方法制备得到的单层二硒化钨横向尺寸均匀，组分均匀，可以进一步应用于光学、电学等方面的性能研究。

主权项：1.一种制备单层二硒化钨的方法，其特征在于，包括：步骤（1）将钨源和分散剂进行混合，以便得到前驱体溶液；步骤（2）将衬底进行预处理，以便得到预处理后的衬底；步骤（3）将所述前驱体溶液均匀旋涂至所述预处理后的衬底并烘干，以便得到钨源均匀分散的衬底；步骤（4）将所述钨源均匀分散的衬底放入管式炉中的第一石英舟，将硒源放入管式炉中的第二石英舟；步骤（5）将所述第一石英舟和所述第二石英舟进行控温反应，以便得到单层二硒化钨；其中，所述第一石英舟位于管式炉中部，所述第二石英舟位于管式炉进气口端；在步骤（1）中，所述前驱体溶液的浓度为1.0~2.5mgmL；在步骤（1）中，所述分散剂包括氨水、乙醇和氢氧化钠水溶液中的至少之一；在步骤（1）中，所述钨源包括三氧化钨和水合偏钨酸铵中的至少之一；在步骤（4）中，所述硒源与所述钨源的质量比为（50~500）：（5~50）；在步骤（4）中，所述硒源包括硒粉；在步骤（5）中，所述控温反应包括：（a）常温下向所述管式炉通入100~300sccm的氩气10~60min；（b）在100~300sccm的氩气氛围中，以30~50℃min的升温速率将所述管式炉的炉温加热到100~300℃并保持20~60min；（c）在氩气和氢气的混合载气氛围中，以30~50℃min的升温速率将所述管式炉的炉温加热至750~900℃并保持3~5min；（d）在100~300sccm的氩气气氛中，自然冷却至室温。

全文数据：

权利要求：

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