申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社

申请日：2018-12-06

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN110006536B

主分类号：G01J5/20

分类号：G01J5/20;G01J5/061;H10N10/17

优先权：["20171211 JP 2017-236574"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2019.07.12#公开

摘要：本公开涉及红外线传感器及其辐射热测量计红外线受光部的冷却方法。红外线传感器具备有凹部的基底基板、辐射热测量计红外线受光部及珀耳帖元件。上述红外线受光部具备电阻变化层、辐射热测量计第1梁及辐射热测量计第2梁。珀耳帖元件具备由p型半导体材料形成的珀耳帖第1梁及由n型半导体材料形成的珀耳帖第2梁，珀耳帖元件与上述红外线受光部背侧的面接触。辐射热测量计第1梁和第2梁及珀耳帖第1梁和第2梁各自的一端与基底基板连接，上述红外线受光部及珀耳帖元件悬架在基底基板上部，辐射热测量计第1梁和第2梁及珀耳帖第1梁和第2梁各自具备包含规则地排列的多个贯通孔的声子晶体结构。由此能够兼具优异的检测灵敏度及优异的响应速度。

主权项：1.一种红外线传感器，具备：具有凹部的基底基板、辐射热测量计红外线受光部、以及珀耳帖元件，在此，所述辐射热测量计红外线受光部具备：电阻因吸收红外线而变化的电阻变化层、与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第1梁、以及与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第2梁，所述珀耳帖元件夹在所述辐射热测量计红外线受光部与所述凹部之间，所述红外线照射在所述辐射热测量计红外线受光部的表侧的面上，所述珀耳帖元件具备由p型半导体材料形成的珀耳帖第1梁以及由n型半导体材料形成的珀耳帖第2梁，所述珀耳帖元件与所述辐射热测量计红外线受光部的背侧的面相接触，所述辐射热测量计第1梁的一端、所述辐射热测量计第2梁的一端、所述珀耳帖第1梁的一端以及所述珀耳帖第2梁的一端与所述基底基板连接，所述辐射热测量计红外线受光部、所述珀耳帖元件、所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁悬架在所述基底基板的上部，所述辐射热测量计第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第1声子晶体结构，所述辐射热测量计第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第2声子晶体结构，所述珀耳帖第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第3声子晶体结构，并且所述珀耳帖第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第4声子晶体结构。

全文数据：红外线传感器及其辐射热测量计红外线受光部的冷却方法技术领域本公开涉及红外线传感器以及将红外线传感器的辐射热测量计bolometer红外线受光部冷却的方法。背景技术专利文献1公开了使用梁来使热型红外线受光部与基底基板分离的结构。该结构以使红外线受光部与基底基板热绝缘为目的。在具有该结构的热型红外线传感器中，梁的绝热性能越高则红外线的检测灵敏度越高。专利文献2以及非专利文献1公开了使薄膜的热传导率减小的包括多个贯通孔的周期结构周期性结构。在该周期结构中，在俯视的薄膜上，以纳米级1nm至1000nm的区域内的周期规则地排列有贯通孔。该周期结构是声子晶体结构的一种。该类型的声子晶体结构是以构成贯通孔的排列的最小单位为单位晶格的周期结构。薄膜的热传导率例如如专利文献1所公开的那样能够通过多孔质化来降低。通过多孔质化而导入到薄膜的空隙用于使薄膜的热传导率减小。另一方面，根据声子晶体结构，构成薄膜的母材本身的热传导率能够降低。因此，相比于纯粹的多孔质化，可期待热传导率的进一步降低。在绝缘体以及半导体中，热主要通过被称为声子的晶格振动来运送。由绝缘体或者半导体构成的材料的热传导率根据材料所具有的声子的色散关系来决定。声子的色散关系意味着频率与波数的关系或者带结构。在绝缘体以及半导体中，运送热的声子涉及100GHz至10THz的宽范围的频段。该频段是热的频带。材料的热传导率由位于热的频带中的声子的色散关系来确定。根据上述的声子晶体结构，材料所具有的声子的色散关系能够通过贯通孔的周期结构来控制。即，根据声子晶体结构，能够控制材料例如薄膜的母材的热传导率本身。尤其是，基于声子晶体结构的声子带隙PBG：PhotonicBandgap的形成可能使材料的热传导率大大降低。PBG内不能存在声子。因此，位于热频带中的PBG可能成为热传导的间隙。另外，即使在PBG以外的频段，声子的色散曲线的斜率也因PBG而变小。斜率的降低会使声子的群速度降低，并使热传导速度降低。这些在很大程度上有助于材料的热传导率的降低。通过将这种声子晶体结构导入支承红外线受光部的梁，能够使红外线传感器的检测灵敏度提高。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-63359号公报专利文献2：美国专利申请公开第20170069818号说明书非专利文献非专利文献1：M.Nomuraetal.,“ImpededthermaltransportinSimultiscalehierarchicalarchitectureswithphononiccrystalnanostructures”,PhysicalReviewB91,2054222015.发明内容发明所要解决的问题通过提高梁的绝热性能，能够使红外线传感器的检测灵敏度提高。然而，与此同时也存在红外线受光部的温度变化变慢、红外线传感器的响应速度降低这一问题。于是，作为使红外线传感器的响应速度提高的手段，例如考虑在专利文献1所公开的红外线传感器中，配置为使连接于基底基板的具有梁的形状的珀耳帖peltier元件与红外线受光部相接触。通过使用珀耳帖元件从红外线受光部局部地将热吸出，使因红外线的入射而上升的红外线受光部的温度降低。然而，因导入珀耳帖元件，故红外线受光部与基底基板之间的热导率会增加，因此导致红外线的检测灵敏度的降低。另外，当在半导体基板上制作单片monolithic地具有梁的形状的珀耳帖元件的情况下，需要使用硅工艺中所使用的半导体材料。在该情况下，由于通常所使用的半导体材料例如Si、SiGe的珀耳帖效应低，因而难以获得足够的吸热功能。本公开的目的在于，提供能够兼具优异的检测灵敏度和优异的响应速度的红外线传感器以及将该红外线传感器的红外线受光部冷却的方法。用于解决问题的技术方案本公开的红外线传感器具备：具有凹部的基底基板、辐射热测量计红外线受光部、以及珀耳帖元件，在此，所述辐射热测量计红外线受光部具备：电阻因吸收红外线而变化的电阻变化层、与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第1梁、以及与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第2梁，所述珀耳帖元件夹在所述辐射热测量计红外线受光部与所述凹部之间，所述红外线照射在所述辐射热测量计红外线受光部的表侧的面上，所述珀耳帖元件具备由p型半导体材料形成的珀耳帖第1梁以及由n型半导体材料形成的珀耳帖第2梁，所述珀耳帖元件与所述辐射热测量计红外线受光部的背侧的面相接触，所述辐射热测量计第1梁的一端、所述辐射热测量计第2梁的一端、所述珀耳帖第1梁的一端以及所述珀耳帖第2梁的一端与所述基底基板连接，所述辐射热测量计红外线受光部、所述珀耳帖元件、所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁悬架在所述基底基板的上部，所述辐射热测量计第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第1声子晶体结构，所述辐射热测量计第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第2声子晶体结构，所述珀耳帖第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第3声子晶体结构，所述珀耳帖第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第4声子晶体结构。发明效果在本公开的红外线传感器中，使电阻变化层与基底基板分离的辐射热测量计第1梁、辐射热测量计第2梁、珀耳帖第1梁以及珀耳帖第2梁的每一个具备声子晶体结构。由此，在电阻变化层与基底基板之间的热导率被大幅抑制。其结果，能够实现红外线的优异的检测灵敏度。再者，作为珀耳帖元件发挥功能的珀耳帖第1梁以及珀耳帖第2梁分别具备声子晶体，因此，即使在将硅工艺中所使用的珀耳帖效应低的半导体材料例如Si或者SiGe用作珀耳帖第1梁以及珀耳帖第2梁的材料的情况下，也能够使随着红外线吸收而上升的辐射热测量计红外线受光部的温度充分降低。根据本公开的构成使珀耳帖效应得以提高的理由是因为，通过将声子晶体结构导入珀耳帖第1梁以及珀耳帖第2梁的每一个，由此在构成珀耳帖第1梁以及珀耳帖第2梁的材料的电传导率不变的情况下，就能够仅降低热传导率。即，因为在声子晶体结构中，依赖于电子输送的电传导率不变，只有依赖于声子输送的热传导率变化。凭借优异的珀耳帖效应，能够以短时间将辐射热测量计红外线受光部冷却。由此，能够提高红外线传感器的响应速度。本公开提供能够兼具优异的检测灵敏度和优异的响应速度的红外线传感器以及将该红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法。附图说明图1A表示实施方式1的红外线传感器1A的一例的示意性的俯视图。图1B表示沿图1A的1B-1B线的实施方式1的红外线传感器1A的剖面的示意图。图1C表示沿图1A的1C-1C线的实施方式1的红外线传感器1A的剖面的示意图。图1D表示实施方式1的红外线传感器1A的另一例的剖面图。图2表示实施方式1的红外线传感器1A的另一例的示意性的俯视图。图3表示实施方式1的红外线传感器1A的又一例的示意性的俯视图。图4A表示实施方式1的红外线传感器1A中的电阻变化层201上的界面103的配置图的一例的示意图。图4B表示实施方式1的红外线传感器1A中的电阻变化层201上的界面103的配置图的另一例的示意图。图5A表示实施方式1的红外线传感器1A中的电阻变化层201上的界面103的配置图的又一例的示意图。图5B表示本公开的实施方式1的红外线传感器1A中的电阻变化层201上的界面103的配置图的再又一例的示意图。图6A表示构成声子晶体结构的周期结构的单位晶格的一例的示意图。图6B表示构成声子晶体结构的周期结构的单位晶格的另一例的示意图。图6C表示构成声子晶体结构的周期结构的单位晶格的又一例的示意图。图6D表示构成声子晶体结构的周期结构的单位晶格的再又一例的示意图。图7A表示实施方式1的红外线传感器1A中的电阻变化层201、绝缘膜202、红外线吸收层203以及梁101b附近的示意性的放大图的一例。图7B表示图7A的声子晶体结构的区域7B的放大图。图8A表示实施方式1的红外线传感器1A中的电阻变化层201、绝缘膜202、红外线吸收层203以及梁101b附近的示意性的放大图的另一例。图8B表示图8A的声子晶畴phononicdomain91的放大图。图8C表示图8A的声子晶畴92的放大图。图8D表示图8A的声子晶畴93的放大图。图9A表示实施方式1的红外线传感器1A中的电阻变化层201、绝缘膜202、红外线吸收层203以及梁101b附近的示意性的放大图的又一例。图9B表示图9A的第2周期结构26a的放大图。图9C表示图9A的第2周期结构26b的放大图。图10A表示实施方式1的红外线传感器1A中的红外线受光部12A以及梁101b附近的示意性的放大图的再又一例。图10B表示图10A的微观micro周期结构27a的放大图。图10C表示图10A的微观周期结构27b的放大图。图11表示用于对在实施方式1的红外线传感器1A中相对于波长长的声子子声子晶畴28a与一个大的贯通孔同样地发挥功能进行说明的梁的放大图。图12A表示用于对制造实施方式1的红外线传感器1A的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图12B表示沿图12A的12B-12B线的剖面的示意图。图13A表示用于对制造实施方式1的红外线传感器1A的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图13B表示沿图13A的13B-13B线的剖面的示意图。图13C表示沿图13A的13C-13C线的剖面的示意图。图13D表示形成了多个贯通孔18的区域1011b的放大图。图14A表示用于对制造实施方式1的红外线传感器1A的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图14B表示沿图14A的14B-14B线的剖面的示意图。图14C表示沿图14A的14C-14C线的剖面的示意图。图14D表示沿图14A的14D-14D线的剖面的示意图。图14E表示沿图14A的14E-14E线的剖面的示意图。图15A表示用于对制造实施方式1的红外线传感器1A的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图15B表示沿图15A的15B-15B线的剖面的示意图。图15C表示沿图15A的15C-15C线的剖面的示意图。图16A表示用于对制造实施方式1的红外线传感器1A的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图16B表示沿图16A的16B-16B线的剖面的示意图。图16C表示沿图16A的16C-16C线的剖面的示意图。图17A表示用于对制造实施方式1的红外线传感器1A的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图17B表示沿图17A的17B-17B线的剖面的示意图。图17C表示沿图17A的17C-17C线的剖面的示意图。图18A表示实施方式2的红外线传感器1D的一例的示意性的俯视图。图18B表示沿图18A的18B-18B线的实施方式2的红外线传感器1D的剖面的示意图。图18C表示沿图18A的18C-18C线的实施方式2的红外线传感器1D的剖面的示意图。图18D表示实施方式2的红外线传感器1D的另一例的剖面图。图19表示实施方式2的红外线传感器1D的另一例的示意性的俯视图。图20表示用于对制造实施方式2的红外线传感器1D的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图21A表示用于对制造实施方式2的红外线传感器1D的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图21B表示沿图21A的21B-21B线的剖面的示意图。图21C表示沿图21A的21C-21C线的剖面的示意图。图22A表示用于对制造实施方式2的红外线传感器1D的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图22B表示沿图22A的22B-22B线的剖面的示意图。图22C表示沿图22A的22C-22C线的剖面的示意图。图23A表示用于对制造实施方式2的红外线传感器1D的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图23B表示沿图23A的23B-23B线的剖面的示意图。图23C表示沿图23A的23C-23C线的剖面的示意图。图24A表示用于对制造实施方式2的红外线传感器1D的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图24B表示沿图24A的24B-24B线的剖面的示意图。图25A表示用于对制造实施方式2的红外线传感器1D的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图25B表示沿图25A的25B-25B线的剖面的示意图。图25C表示沿图25A的25C-25C线的剖面的示意图。图26A表示用于对制造实施方式2的红外线传感器1D的方法的一例进行说明的示意性的俯视图。图26B表示沿图26A的26B-26B线的剖面的示意图。图26C表示沿图26A的26C-26C线的剖面的示意图。图27A表示实施方式3的红外线传感器1F的一例的示意性的俯视图。图27B表示沿图27A的27B-27B线的实施方式3的红外线传感器1F的剖面的示意图。图27C表示沿图27A的27C-27C线的实施方式3的红外线传感器1F的剖面的示意图。图27D表示实施方式3的红外线传感器1F的另一例的剖面图。图28表示实施方式3的红外线传感器1F的另一例的示意性的俯视图。图29表示实施方式3的红外线传感器1F的又一例的示意性的俯视图。图30A表示实施方式4的红外线传感器1I的一例的示意性的俯视图。图30B表示沿图30A的30B-30B线的实施方式4的红外线传感器1I的剖面的示意图。图30C表示沿图30A的30C-30C线的实施方式4的红外线传感器1I的剖面的示意图。图30D表示实施方式4的红外线传感器1I的另一例的剖面图。图31A表示实施方式4的红外线传感器1I的另一例的示意性的俯视图。图31B表示沿图31A的31B-31B线的红外线传感器1I的剖面的示意图。图32A是表示实施例1的红外线传感器的梁102a、102b中流通有电流时的时间响应试验的结果的坐标图。图32B是图32A的由虚线包围的部分B的放大图。图32C是表示实施例1的红外线传感器的梁102a、102b中没有流通电流时的时间响应试验的结果的坐标图。图32D是图32C的由虚线包围的部分D的放大图。图32E是表示比较例1的红外线传感器的梁102a、102b中没有流通电流时的时间响应试验的结果的坐标图。标号说明1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H、1I、1J红外线传感器；11基底基板；12A、12B辐射热测量计红外线受光部；12C热电堆红外线受光部；12P珀耳帖元件；13a、13b电极垫pad；14a、14b、14c、14d第2布线；15a、15b电极垫；16、16a、16b、16c、16d、16e、16f、16g、16h、16i、16j、16k、16l、16m、16n第1布线；17、17a、17b绝缘膜；18贯通孔；19单位晶格；21a、21b、21c声子晶畴；21P珀耳帖元件；25a、25b第1周期结构；26a、26b第2周期结构；27a、27b微观micro周期结构；28a、28b子声子晶畴；29a、29b宏观macro周期结构；31上表面；32凹部；34a、34b、34c、34d支柱；91、92、93声子晶畴；101a、101b、101c、101d梁；102a、102b、102c、102d、102e、102f、102g、102h、102i、102j、102k、102l梁；103界面；104a、104b梁；111晶片wafer；111a、111b、112a、112b区间；201电阻变化层；202绝缘膜；203红外线吸收层；222绝缘层；301a、301b、302a、302b薄膜；311a、311b、312a、312b区间；401a、401b绝缘部；404牺牲层；501Si层；502SiO2层；503Si层；504牺牲层；505a、505b梁层；1011a、1011b、1021a、1021b区域。具体实施方式以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。日本特开2017-223644号公报、与日本特开2017-223644号公报对应的美国专利申请15497353、以及中国申请201710274259.9作为参照而被本申请引用。实施方式1实施方式1的红外线传感器1A表示于图1A～图1C。在图1B中，表示图1A的红外线传感器1A的剖面1B-1B。在图1C中，表示图1A的红外线传感器1A的剖面1C-1C。红外线传感器1A是辐射热测量计红外线传感器。红外线传感器1A具备具有凹部32的基底基板11、辐射热测量计红外线受光部12A、珀耳帖元件12P。另外，红外线传感器1A具备电极垫13a、13b、15a、15b以及第2布线14a、14b、14c、14d。电极垫13a、13b、15a、15b以及第2布线14a、14b、14c、14d设置在基底基板11上。辐射热测量计红外线受光部12A具备电阻因吸收红外线而变化的电阻变化层201、与电阻变化层201电连接的梁101a以及与电阻变化层201电连接的梁101b。此外，梁101a以及梁101b分别也被称为辐射热测量计第1梁以及辐射热测量计第2梁。另外，辐射热测量计红外线受光部12A具备形成在电阻变化层201之上的绝缘膜202以及形成在绝缘膜202之上的红外线吸收层203。辐射热测量计红外线受光部12A具有膜的形状。设置有辐射热测量计红外线受光部12A的面称为辐射热测量计红外线受光部12A的表侧的面。另外，设置有电阻变化层201的面称为辐射热测量计红外线受光部12A的背侧的面。珀耳帖元件12P具备由p型半导体材料形成的梁102a以及由n型半导体材料形成的梁102b。此外，梁102a以及梁102b分别也被称为珀耳帖第1梁以及珀耳帖第2梁。另外，珀耳帖元件12P具备第1布线16以及绝缘膜17。如图1A以及图1B所示，梁101a的一端以及梁101b的一端与基底基板11连接。另外，梁101a的另一端以及梁101b的另一端与电阻变化层201连接。另外，梁101a、101b分别与第2布线14a、14b电连接。第2布线14a、14b分别与电极垫13a、13b电连接。如图1A以及图1C所示，梁102a的一端以及梁102b的一端与基底基板11连接。另外，梁102a的另一端与梁102b的另一端连接，形成了界面103。将梁102a、102b电连接的第1布线16以跨界面103的方式形成在梁102a、102b之上。再者，以覆盖第1布线16的方式，绝缘膜17形成在第1布线16、梁102a以及梁102b之上。另外，梁102a、102b分别与第2布线14c、14d电连接。第2布线14c、14d分别与电极垫15a、15b电连接。如图1A～图1C所示，基底基板11在设置有红外线受光部12A的上表面31具有凹部32。在俯视时，相比于红外线受光部12A的面积，凹部32的面积较大。另外，在俯视时，红外线受光部12A由凹部32的外缘所围绕。此外，在本说明书中，“俯视”意味着从与对象物的主面垂直的方向观察对象物。另外，“主面”意味着具有最大的面积的表面。在本实施方式中，主面是上表面31。基底基板11具有凹部32的理由是为了使电阻变化层201、绝缘膜202、以及红外线吸收层203中所储存的热难以逃逸。如在该技术领域内熟知的那样，通过这样使热难以逃逸，红外线传感器的检测灵敏度会提高。如图1B所示，凹部32位于红外线受光部12A以及梁101a、101b与基底基板11之间。如图1C所示，珀耳帖元件12P夹在辐射热测量计红外线受光部12A与凹部32之间。另外，为了将辐射热测量计红外线受光部12A冷却，珀耳帖元件12P与辐射热测量计红外线受光部12A的背侧的面相接触。具体而言，绝缘膜17与电阻变化层201相接触。界面103夹在电阻变化层201与凹部32之间。绝缘膜17夹在电阻变化层201以及梁102a和梁102b之间。辐射热测量计红外线受光部12A、珀耳帖元件12P、梁101a、101b、102a、102b悬架在基底基板11的上部。如在该技术领域内熟知的那样，通过将辐射热测量计红外线受光部12A像这样悬架，红外线传感器的检测灵敏度会提高。梁101a、101b用于读取入射到红外线吸收层203的红外线的检测信号。梁101a、101b由具有导电性的材料形成。具有导电性的材料例如是金属以及半导体。更优选，具有导电性的材料是半导体。这是因为，在金属中运送热的媒介并非声子而主要是自由电子。半导体例如是Si或者Ge这样的单一元素的半导体，SiN、SiC、SiGe、GaAs、InAs、InSb、InP、GaN或者AlN这样的化合物半导体，以及Fe2O3、VO2、TiO2或者SrTiO3这样的氧化物半导体。为了使相对于基底基板11的电阻变化层201的绝热性能提高，梁101a以及梁101b各自具有包含规则地排列的多个贯通孔的声子晶体结构。优选为声子晶体结构设置在俯视的梁101a中的连接于基底基板11的梁101a的一端与电阻变化层201的一端之间的区间111a、以及俯视的梁101b中的连接于基底基板11的梁101b的一端与电阻变化层201的另一端之间的区间111b。将会在后面说明声子晶体结构的详情。梁102a、102b构成热电偶，作为珀耳帖元件12P发挥功能。即，梁102a、102b用于吸收在红外线受光部12A中产生的热。界面103与珀耳帖元件12P的冷接点对应。梁102a、102b的一方由p型半导体材料形成。梁102a、102b的另一方由n型半导体材料形成。优选为p型半导体材料以及n型半导体材料例如是硅工艺中所使用的硅系半导体材料例如Si或者SiGe。在界面103之上设置有第1布线16的理由是为了使梁102a、102b之间易于流通电流。虽然即使没有第1布线16，珀耳帖元件12P也会发挥功能，但优选为珀耳帖元件12P具有第1布线16。此外，如图1D所示，在使用不具有界面103的珀耳帖元件12P的情况下，将梁102a与梁102b电连接的第1布线16是必须的。在该情况下，第1布线16与珀耳帖元件12P的冷接点对应。如图1D所示，第1布线16夹在电阻变化层201与凹部32之间。优选为红外线传感器1A具有多个界面103。优选为多个界面103分散地配置在电阻变化层201的面内。这是因为，利用珀耳帖效应吸热的区域限于界面103附近的局部区域。因此，在多个界面103分散地配置在电阻变化层201之上的构成中，能够更均匀地将电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203冷却。如图4A以及图4B所示，作为该构成，在电阻变化层201的平面被分割成四个均等的区域时，优选至少在两个区域存在多个界面103。此外，在图4A以及图4B中，省略了第1布线16、绝缘膜17、绝缘膜202以及红外线吸收层203。另外，如图5A以及图5B所示，也可以在红外线受光部12A的平面被均等地分割成多个区域时，至少遍及两个区域地配置一个界面103。通过该构成，能够高效地进行从红外线受光部12A吸热。此外，在图5A以及图5B中，省略了第1布线16、绝缘膜17、绝缘膜202以及红外线吸收层203。为了使相对于基底基板11的电阻变化层201的绝热性能提高，梁102a以及梁102b各自具有包含规则地排列的多个贯通孔的声子晶体结构。优选为声子晶体结构设置在俯视的梁102a中的连接于基底基板11的梁102a的一端与电阻变化层201的一端之间的区间112a、以及俯视的梁102b中的连接于基底基板11的梁102b的一端与电阻变化层201的另一端之间的区间112b。典型地，基底基板11由半导体构成。半导体例如是Si。在由Si构成的基底基板11的上表面31也可以形成有氧化膜。氧化膜例如是SiO2膜。电阻变化层201由电阻温度系数大的材料、例如非晶硅和或氧化钒、或者铂构成。绝缘膜202例如由SiN构成。优选为红外线吸收层203的材料是金属例如Ti、Cr、Au、Al、Cu或者Ni或者氮化物例如TiN或者SiN。除此之外，也可以使用氧化物例如SiO作为红外线吸收层203的材料。第1布线16例如由掺杂出的半导体、或者金属构成。金属例如是Al。第2布线14a、14b、14c、14d例如由掺杂出的半导体、或者金属构成。金属例如是Al。设置绝缘膜17用于使电阻变化层201与珀耳帖元件12P电绝缘。绝缘膜17例如由SiN构成。电极垫13a、13b、15a、15b例如由Al构成。电极垫13a、13b与对梁101a、101b施加电流的信号处理电路未图示电连接。此外，该信号处理电路既可以设置在基底基板11上，也可以设置在基底基板11的外部。电极垫15a、15b与对珀耳帖元件12P施加电流的信号处理电路未图示电连接。此外，该信号处理电路既可以设置在基底基板11上，也可以设置在基底基板11的外部。以下的说明涉及梁101a、101b、102a、102b各自所具有的声子晶体结构。取梁101b所具有的声子晶体结构为例，以下说明其详情。此外，该说明对梁101a、102a、102b也是共通的。声子晶体结构的一例表示于图7A以及图7B。图7A表示实施方式1的红外线传感器1A中的电阻变化层201、绝缘膜202、红外线吸收层203以及梁101b附近的示意性的放大图的一例。图7B是图7A的声子晶体结构的区域7B的放大图。梁101b例如是具有10nm以上且500nm以下的厚度的薄膜。梁101b在俯视时为长方形。梁101b的长边的方向与连结电阻变化层201和第2布线14b的方向、即红外线传感器1A中的宏观的热的传递方向一致。梁101b上设置有在梁101b的厚度方向延伸的多个贯通孔18。梁101b所具有的声子晶体结构是多个贯通孔18在面内方向上规则地排列出的二维声子晶体结构。如此，声子晶体结构具有包含多个贯通孔18的周期结构。作为声子晶体区域的晶畴是将多个贯通孔18的排列的周期设为P而在俯视时例如具有25P2以上的面积的区域。在此，如图7B所示，周期P由在俯视时相邻的贯通孔18间的中心间距离来确定。要利用声子晶体结构来控制声子的色散关系，晶畴也可以至少具有25P2以上的面积。在俯视时，在正方形的晶畴中，通过设为5×P以上的周期，能够确保25P2以上的面积。贯通孔18的排列的周期P例如为1nm以上且300nm以下。这是因为，运送热的声子的波长主要涉及1nm至300nm的范围。梁101a、101b、102a、102b上所排列的各贯通孔18的周期既可以互不相同，也可以彼此相同。图7B所示的贯通孔18的开口的形状是圆形。多个贯通孔18的直径D由相对于周期P的比DP来表示，例如为DP≥0.5。在比DP0.1的情况下，长波长的声子通过微观周期结构27a而散射，不作为声子晶体结构发挥功能。通过这样将多个周期结构形成在一个声子晶畴内，能够一次性形成多个PBG。通过将周期结构形成为利用多个PBG夹入热的频带，能够通过带端效应使热的频带的声子的群速度降低。由此，能获得进一步的热传导率的降低效果。在图10A所示的例子中，也与图8A所示的例子同样地，在相邻的声子晶畴间具有不同的周期结构。具体而言，如图10A所示，在梁101b中，配置为沿着从电阻变化层201侧朝向基底基板11侧的方向，宏观周期结构29a、29b的周期增大。即，满足Pm1Pm2。即使不满足该条件，只要满足Ps1Ps2，也能够获得与上述的图8A所示的例子同样的效果。微观周期结构27a、27b各自的周期Ps1、Ps2优选为在1nm到30nm的范围内。另一方面，宏观周期结构29a、29b各自的周期Pm1、Pm2根据微观周期结构27a、27b各自的周期Ps1、Ps2优选为从10nm到300nm。在构成子声子晶畴28a、28b的每一个的微观周期结构27a、27b中，需要排列有五个周期的量以上的多个贯通孔。即，需要设置五个以上的贯通孔18。该条件也适用于由子声子晶畴28a、28b分别形成的宏观周期结构29a、29b。声子晶畴21a、21b的形状既可以为圆形也可以为多边形。以下说明实施方式1的红外线传感器1A的制造方法的一例。首先，准备SOISiliconOnInsulator，绝缘体上硅晶片111。如图12A以及图12B所示，SOI晶片111具有由下部的Si层501、中间的SiO2层502以及上部的Si层503形成的层叠结构。也可以取代SOI晶片111，使用在半导体基板例如Si基板上形成由聚酰亚胺或者SiO2构成的牺牲层、并在牺牲层上形成厚度为10～500nm的Si薄膜或者SiGe薄膜而得到的层叠结构。接着，如图13A～图13C所示，通过光刻以及离子注入，对成为梁101a的区域1011a、成为梁101b的区域1011b、成为梁102a的区域1021a以及成为梁102b的区域1021b掺杂离子。此时，对区域1021a、1021b进行互不相同的掺杂处理。此外，区域1011a、1011b、1021a、1021b包含在具有四边形外形的区域R内。接着，将SOI晶片111进行热处理。由此，在掺杂处理中注入的离子被激活。接着，在区域1011a、1011b、1021a、1021b内周期性地形成多个贯通孔18。作为一例，形成了多个贯通孔18的区域1011b的放大图表示于图13D。此外，在图13A～图13C中，省略了贯通孔18的图示。在具有100nm至300nm的周期结构的贯通孔的制作中使用电子束光刻。在具有1nm至100nm的周期结构的贯通孔的制作中使用嵌段共聚物光刻。如此，形成声子晶体结构。接着，如图14A～图14E所示，通过光刻以及蚀刻，去除除了区域1011a、1011b、1021a、1021b之外的区域R图13A的Si层503，形成梁101a、101b、102a、102b。接着，如图15A～图15C所示，使用光刻、蚀刻以及公知的薄膜形成方法例如溅射、气相沉积或者化学气相沉积法CVD，形成第2布线14a、14b、14c、14d以及电极垫13a、13b、15a、15b。与此并行地，使用同样的手法，形成将梁102a、102b电连接的第1布线16。而且，通过光刻以及公知的薄膜形成方法，以覆盖第1布线16的方式形成由SiN形成的绝缘膜17。接着，如图16A～图16C所示，通过光刻以及公知的薄膜形成方法，形成层叠有电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203的红外线受光部12A。在使用由Ti、TiN或者SiN形成的红外线吸收层203的情况下，也可以进一步在红外线吸收层203上形成Si的保护膜。这是为了在下一工序中保护红外线吸收层203免受气相氢氟酸蚀刻。最后，如图17A～图17C所示，通过气相氢氟酸蚀刻，局部地去除SOI晶片111中间的SiO2层502。如上，制作出实施方式1的红外线传感器1A。以下说明实施方式1的红外线传感器1A的工作。工作分为两个阶段。在第1阶段，经由梁101a、101b测定入射到红外线吸收层203的红外线的强度。具体而言，首先，通过信号处理电路，经由电极垫13a、13b以及第2布线14a、14b对梁101a、101b施加恒定电压，并通过信号处理电路监视流通于电阻变化层201的电流量。接着，若红外线入射到红外线吸收层203，则红外线被红外线吸收层203吸收。由此，红外线吸收层203、与红外线吸收层203热接触的绝缘膜202以及电阻变化层201的温度上升。其结果，电阻变化层201的电阻对应于电阻变化层201的温度变化而变化。在信号处理电路中测定此时的伴随电阻变化层201的电阻的变化的电流量的变化，算出红外线的强度。如后所述，实施例1的红外线传感器的梁101a、101b、102a、102b各自具有声子晶体结构，实施例1的红外线传感器具有优异的检测灵敏度参照图32A。另一方面，比较例1的红外线传感器的梁101a、101b、102a、102b都不具有声子晶体结构，其检测灵敏度劣于实施例1的红外线传感器参照图32E。此外，图32A所示的坐标图的纵轴表示在信号处理电路中测定的电流值。电流值越大，检测灵敏度越高。如此，通过对梁101a、101b、102a、102b分别设置声子晶体结构来使其绝热性能提高，能够使红外线传感器1A的检测灵敏度提高。接着，移至第2阶段。在第2阶段，使用珀耳帖元件12P来冷却电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203，伴随着红外线的入射而上升的电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203的温度恢复到环境温度。为了将电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203冷却，通过信号处理电路，经由电极垫15a、15b以及第2布线14c、14d对梁102a、102b施加脉冲状的电流。其结果，根据珀耳帖效应，电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203被冷却。由此，能够将红外线受光部12A的温度瞬间冷却到环境温度。如后所述，通过在将红外线遮断后对实施例1的红外线传感器的珀耳帖元件12P施加电流，下降时间、即冷却时间大幅缩短参照图32B以及图32D。因此，通过基于珀耳帖元件12P的冷却，能够使红外线传感器1A的响应速度大幅提高。此外，虽然具有声子晶体结构的梁102a、102b具有优异的绝热性能但能获得上述的珀耳帖效应的理由如下。热量通过被称为声子的晶格振动或者传导电子来运送。在梁102a、102b中设置有声子晶体结构，因此抑制了由晶格振动实现的热传导。另一方面，声子晶体结构不过是通过单纯增加空隙来极小地抑制由传导电子实现的热传导。因此，通过对梁102a、102b施加电流来获得上述的珀耳帖效应。如上，红外线传感器1A进行工作。如图2所示，作为红外线传感器1A的变形例的红外线传感器1B还具备将梁101a和梁102a物理连接的绝缘部401a以及将梁101b和梁102b物理连接的绝缘部401b。由此，能够提高用于将电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203维持为中空的机械强度。此外，绝缘部401a、401b由绝缘材料构成。因此，梁101a与梁102a之间以及梁101b与梁102b之间确保电绝缘。如图3所示，作为红外线传感器1A的另一变形例的红外线传感器1C除了具备梁101a、101b、102a、102b以外还具备梁104a、104b。由此，能够提高用于将电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203维持为中空的机械强度。实施方式2实施方式2的红外线传感器1D表示于图18A～图18C。在图18B中，表示图18A的红外线传感器1D的剖面18B-18B。在图18C中，表示图18A的红外线传感器1D的剖面18C-18C。红外线传感器1D是辐射热测量计红外线传感器。不同于实施方式1的红外线传感器1A，红外线传感器1D还具备配置在基底基板11的上表面31的支柱34a、34b、34c、34d。基底基板11不具有凹部32。支柱34a、34b、34c、34d在从基底基板11的上表面31离开的方向上延伸。梁101a、101b、102a、102b各自的一端部分别与支柱34a、34b、34c、34d电连接。电阻变化层201、绝缘膜202、红外线吸收层203通过梁101a、101b、102a、102b在与基底基板11分离的状态下而被支承。如图18B所示，辐射热测量计红外线受光部12A、梁101a以及梁101b通过支柱34a、34b悬架在基底基板11的上部。另外，如图18C所示，珀耳帖元件12P、梁102a以及梁102b通过支柱34c以及支柱34d悬架在基底基板11的上部。如在该技术领域内熟知的那样，通过将它们这样悬架，红外线传感器的检测灵敏度会提高。梁101a经由支柱34a与第2布线14a电连接。梁101b经由支柱34b与第2布线14b电连接。梁102a经由支柱34c与第2布线14c电连接。梁101d经由支柱34d与第2布线14d电连接。界面103经由第1布线16以及绝缘膜17与电阻变化层201热连接。支柱34a、34b、34c、34d由导电性材料构成。导电性材料例如是金属。构成支柱34a、34b、34c、34d的每一个的金属例如是Cu以及Al。红外线传感器1D也可以进一步在基底基板11的上表面31具有红外线反射膜。在该形态中，能够使红外线传感器1D的检测灵敏度进一步提高。构成红外线反射膜的材料例如是Al以及Au。优选为，声子晶体结构设置在俯视的梁101a中的支柱34a与电阻变化层201的一端之间的区间111a、俯视的梁101b中的支柱34b与电阻变化层201的另一端之间的区间111b、俯视的梁102a中的支柱34c与电阻变化层201的一端之间的区间112a、以及俯视的梁102b中的支柱34d与电阻变化层201的另一端之间的区间112b。包括优选的形态在内，实施方式2的红外线传感器1D中的其他构成与实施方式1的红外线传感器1A中的对应的构成是同样的。另外，实施方式2的红外线传感器1D的工作与实施方式1的红外线传感器1A的工作相同。以下说明实施方式2的红外线传感器1D的制造方法的一例。首先，作为基底基板11，准备半导体基板。半导体基板例如由Si构成。接着，如图20所示，电极垫13a、13b、15a、15b以及第2布线14a、14b、14c、14d形成在基底基板11的上表面31。对于电极垫13a、13b、15a、15b以及第2布线14a、14b、14c、14d的形成，可以利用包括溅射法或者气相沉积法这样的薄膜形成手法、以及光刻法这样的图案形成手法在内的公知方法。也可以与电极垫13a、13b、15a、15b以及第2布线14a、14b、14c、14d一起在基底基板11的上表面31形成红外线反射膜。接着，如图21A～图21C所示，在基底基板11的上表面31依次形成牺牲层504以及梁层505a、505b。牺牲层504形成为将电极垫13a、13b、15a、15b以及第2布线14a、14b、14c、14d覆盖。牺牲层504典型地由树脂构成。作为牺牲层504的厚度，可以选择要制造的红外线传感器1D中的梁101a、101b、102a、102b与基底基板11的分离距离。树脂例如是聚酰亚胺。牺牲层504例如能够通过CVD法、溅射法或者旋涂法这样的公知的薄膜形成手法来形成。构成梁层505a的材料例如是n型Si。构成梁层505b的材料例如是p型Si。梁层505a、505b能够通过CVD法以及光刻形成。梁层505a、505b各自的厚度例如为10nm以上且500nm以下。接着，如图22A～图22C所示，在区域1011a、1011b、1021a、1021b内周期性地形成多个贯通孔18。此外，在图22A～图22C中，省略了多个贯通孔18的图示。多个贯通孔18的形成方法如上所述。接着，如图23A～图23C所示，通过光刻以及蚀刻，去除除了区域1011a、1011b、1021a、1021b之外的区域的梁层505a、505b，形成梁101a、101b、102a、102b。接着，如图24A以及图24B所示，通过光刻以及蚀刻，形成将梁102a、102b电连接的第1布线16。而且，通过光刻以及公知的薄膜形成方法，以覆盖第1布线16的方式形成由SiN形成的绝缘膜17。接着，如图25A～图25C所示，形成支柱34a、34b、34c、34d。对于支柱34a、34b、34c、34d的形成，可以利用用于确保形成支柱34a、34b、34c、34d的空间的选择性蚀刻、以及用于在确保的空间形成支柱34a、34b、34c、34d的溅射法或者气相沉积法这样的薄膜形成手法。接着，如图26A～图26C所示，形成电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203。电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203各自的构成以及形成方法如上所述。最后，通过选择性蚀刻来去除牺牲层504。如上这样，能得到图18A～图18C所示的实施方式2的红外线传感器1D。如图18D所示，取代上述的珀耳帖元件12P，而能够使用不具有界面103的珀耳帖元件12P。在该情况下，第1布线16与珀耳帖元件12P的冷接点对应。第1布线16经由绝缘膜17与电阻变化层201热连接。如图19所示，作为红外线传感器1D的变形例的红外线传感器1E还具备梁104a、104b。由此，能够提高用于将电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203维持为中空的机械强度。实施方式3实施方式3的红外线传感器1F表示于图27A～图27C。在图27B中，表示图27A的红外线传感器1F的剖面27B-27B。在图27C中，表示图27A的红外线传感器1F的剖面27C-27C。红外线传感器1F是辐射热测量计红外线传感器。不同于实施方式2的红外线传感器1D的红外线受光部12A，红外线传感器1F的红外线受光部12B还具备形成在梁101a上的薄膜301a以及形成在梁101b上的薄膜301b。此外，薄膜301a以及薄膜301b分别也被称为辐射热测量计第1薄膜以及辐射热测量计第2薄膜。不同于实施方式2的红外线传感器1D的珀耳帖元件12P，红外线传感器1F的珀耳帖元件21P还具备形成在梁102a上的薄膜302a以及形成在梁102b上的薄膜302b。此外，薄膜302a以及薄膜302b分别也被称为珀耳帖第1薄膜以及珀耳帖第2薄膜。薄膜301a、301b、302a、302b各自的一端部分别与支柱34a、34b、34c、34d电连接。薄膜301a的另一端以及薄膜301b的另一端与电阻变化层201连接。薄膜302a的另一端与薄膜302b的另一端连接，形成有界面104。将薄膜302a、302b电连接的第1布线16以跨界面104的方式形成在薄膜302a、302b之上。再者，以覆盖第1布线16的方式，绝缘膜17形成在第1布线16以及薄膜302a、302b之上。电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203通过梁101a、101b、102a、102b以及薄膜301a、301b、302a、302b而在与基底基板11分离的状态下被支承。如图27B以及图27C所示，在剖视时，电阻变化层201、绝缘膜202、红外线吸收层203以及梁101a、101b、102a、102b通过支柱34a、34b、34c、34d悬架在基底基板11的上部。梁101a、101b、102a、102b分别由绝缘材料形成。薄膜301a、301b用于读取入射到红外线受光部12B的红外线的检测信号。薄膜301a、301b由具有导电性的材料形成。具有导电性的材料例如是热传导率低的金属例如Ti或者TiN以及半导体。更优选，具有导电性的材料是添加有杂质的Si或者SiGe这样的半导体。薄膜301a、301b各自具有声子晶体结构。优选为声子晶体结构设置在俯视的薄膜301a中的支柱34a与电阻变化层201的一端之间的区间311a、以及俯视的薄膜301b中的支柱34b与电阻变化层201的另一端之间的区间311b。在使用金属作为薄膜301a、301b各自的材料的情况下，由声子晶体结构实现的绝热效果不易出现。在该情况下，为了获得绝热效果，优选将厚度设为10nm以下。薄膜302a、302b构成热电偶，作为珀耳帖元件发挥功能。即，薄膜302a、302b用于吸收在红外线受光部12B中产生的热。界面104与珀耳帖元件的冷却点对应。界面104经由第1布线16以及绝缘膜17与电阻变化层201热连接。薄膜302a、302b的一方由p型半导体材料形成。薄膜302a、302b的另一方由n型半导体材料形成。优选为p型半导体材料以及n型半导体材料各自是硅工艺中所使用的硅系半导体材料例如Si或者SiGe。薄膜302a、302b各自具有声子晶体结构。优选为声子晶体结构设置在俯视的薄膜302a中的支柱34c与电阻变化层201的一端之间的区间312a、以及俯视的薄膜302b中的支柱34d与电阻变化层201的另一端之间的区间312b。包括优选的形态在内，实施方式3的红外线传感器1F中的其他构成与实施方式2的红外线传感器1D中的对应的构成是同样的。另外，实施方式3的红外线传感器1F的工作与实施方式1的红外线传感器1A的工作相比，除了以下之外是相同的：代替梁101a、101b，薄膜301a、薄膜301b读取红外线的检测信号；代替梁102a、102b，薄膜302a、薄膜302b作为珀耳帖元件发挥功能。本领域技术人员通过参照实施方式2的红外线传感器1D的制造方法的记载，能够容易地制造实施方式3的红外线传感器1F。如图27D所示，取代上述的珀耳帖元件21P，而能够使用不具有界面104的珀耳帖元件。在该情况下，第1布线16与珀耳帖元件的冷接点对应。第1布线16经由绝缘膜17与电阻变化层201热连接。如图28所示，作为红外线传感器1F的变形例的红外线传感器1G还具备将梁101a和梁102a物理连接的绝缘部401a以及将梁101b和梁102b物理连接的绝缘部401b。由此，能够提高用于将电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203维持为中空的机械强度。此外，绝缘部401a、401b由绝缘材料构成。因此，梁101a与梁102a之间以及梁101b与梁102b之间确保电绝缘。如图29所示，作为红外线传感器1F的另一变形例的红外线传感器1H还具备梁104a、104b。由此，能够提高用于将电阻变化层201、绝缘膜202以及红外线吸收层203维持为中空的机械强度。实施方式4实施方式4的红外线传感器1I表示于图30A～图30C。在图30B中，表示图30A的红外线传感器1I的剖面30B-30B。在图30C中，表示图30A的红外线传感器1I的剖面30C-30C。红外线传感器1I是热电堆红外线传感器。不同于实施方式1的红外线传感器1A的红外线受光部12A，红外线传感器1I的红外线受光部12C具备梁101a、101b、红外线吸收层203、第1布线16a、绝缘膜17a。梁101a的一端以及梁101b的一端与基底基板11连接。梁101a的另一端与梁101b的另一端连接，形成有界面103a。红外线传感器1I还具备第1布线16a以及绝缘膜17a。第1布线16a以跨界面103a的方式形成在梁101a、101b上。第1布线16a将梁101a、101b电连接。绝缘膜17a形成在第1布线16a、梁101a以及梁101b上。梁101a、101b用于读取入射到红外线吸收层203的红外线的检测信号。梁101a、101b的一方由p型半导体材料形成。梁101a、101b的另一方由n型半导体材料形成。此外，梁101a以及梁101b分别也被称为热电堆第1梁以及热电堆第2梁。红外线传感器1I的珀耳帖元件12P具有与实施方式1的红外线传感器1A的珀耳帖元件12P相同的构成。包含优选的形态在内，实施方式4的红外线传感器1I中的其他构成与实施方式1的红外线传感器1A中的对应的构成是同样的。以下说明实施方式4的红外线传感器1I的工作。若红外线入射到红外线吸收层203，则红外线被红外线吸收层203吸收。由此，红外线受光部12B以及经由绝缘膜17a与红外线吸收层203热接触的梁101a、101b的温度上升。其结果，在梁101a、101b中，在从红外线吸收层203朝向基底基板11的方向上产生温度差。由此，在梁101a、101b中，产生基于塞贝克效应的电动势。通过与电极垫13a、13b连接的信号处理电路测定产生的电动势，算出红外线的检测强度。之后，通过珀耳帖元件，红外线吸收层203被冷却。该冷却方法与实施方式1的红外线传感器1A的冷却方法相同。如上，红外线传感器1I进行工作。本领域技术人员通过参照实施方式1的红外线传感器1A的制造方法的记载，能够容易地制造实施方式4的红外线传感器1I。如图30D所示，取代上述的珀耳帖元件12P，而能够使用不具有界面103b的珀耳帖元件12P。在该情况下，第1布线16b与珀耳帖元件的冷接点对应。第1布线16b经由绝缘膜17b与电阻变化层201热连接。如图31A以及图31B所示，作为红外线传感器1I的变形例的红外线传感器1J还具备绝缘层222、梁101c、101d、102c、102d、102e、102f、102g、102h、102i、102j、102k、102l以及第1布线16c、16d、16e、16f、16g、16h、16i、16j、16k、16l、16m、16n。绝缘层222例如由Si形成。第1布线16a、16c、16d、16f、16h、16j、16l、16n形成在绝缘层222上。红外线吸收层203形成在绝缘层222上。梁101a、101b、101c、101d、102a、102b、102c、102d、102e、102f、102g、102h、102i、102j、102k、102l各自的一端与绝缘层222连接。梁101a、101b、101c、101d、102a、102b、102c、102d、102e、102f、102g、102h、102i、102j、102k、102l各自的另一端与基底基板11连接。梁101a、101b、101c、101d通过第1布线16a、16b、16c以串联的方式电连接。梁101a、101c以及梁101b、101d各自的一方由p型半导体材料形成。梁101a、101c以及梁101b、101d各自的另一方由n型半导体材料形成。梁101a、101b、101c、101d、102a、102b、102c、102d、102e、102f、102g、102h、102i、102j、102k、102l各自具有声子晶体结构。梁102a、102b、102c、102d、102e、102f、102g、102h、102i、102j、102k、102l通过第1布线16d、16e、16f、16g、16h、16i、16j、16k、16l、16m、16n以串联的方式电连接。梁102a、102c、102e、102g、102i、102k以及梁102b、102d、102f、102h、102j、102l各自的一方由p型半导体材料形成。梁102a、102c、102e、102g、102i、102k以及梁102b、102d、102f、102h、102j、102l各自的另一方由n型半导体材料形成。第1布线16d、16f、16h、16j、16l、16n与珀耳帖元件的冷接点对应。红外线吸收层203经由绝缘层222间接被冷却。红外线传感器1J具有多个冷接点，因而具有更优异的冷却效果。实施例1实施例1的红外线传感器具有与实施方式1的红外线传感器1A同样的构成。使用半导体工艺，如下制作实施例1的红外线传感器。首先，购买SOI晶片111日本信越化学工业株式会社制。如图12A以及图12B所示，SOI晶片111具有由厚度为625μm的下部的Si层501、厚度为2μm的中间的SiO2层502以及厚度为150nm的上部的Si层503形成的层叠结构。接着，如图13A～图13C所示，通过光刻以及离子注入，对成为梁101a的区域1011a、成为梁101b的区域1011b、成为梁102a的区域1021a以及成为梁102b的区域1021b分别掺杂后述的离子。此外，区域1011a、1011b、1021a、1021b包含在具有四边形外形的区域R内。区域1011a、1011b各自以20keV的加速电压、9.3×1014原子cm2的剂量由硼b来掺杂。另一方面，区域1021a以20keV的加速电压、9.3×1014原子cm2的剂量由硼来掺杂。区域1021b以55keV的加速电压、9.0×1014原子cm2的剂量由磷来掺杂。然后，SOI晶片111在1000℃的氮气气氛下进行5分钟热处理。接着，通过电子束光刻以及蚀刻，在区域1011a、1011b、1021a、1021b内按每100nm周期性地形成直径为80nm的多个贯通孔18。图13D表示形成有多个贯通孔18的区域1011b的放大图。如此，形成声子晶体结构。贯通孔18的直径80nm与周期100nm之比为0.8。接着，如图14A～图14E所示，通过光刻以及蚀刻，去除除了区域1011a、1011b、1021a、1021b的区域R图13A的Si层503，形成梁101a、101b、102a、102b。梁101a、101b各自具有1μm的宽度W1以及14μm的长度L1。作为珀耳帖元件发挥功能的梁102a、102b各自具有1μm的宽度W2以及16μm的长度L2。接着，如图15A～图15C所示，通过光刻以及溅射，形成具有100nm的厚度的由Al构成的第2布线14a、14b、14c、14d以及具有100nm的厚度的由Al构成的电极垫13a、13b、15a、15b。与此并行地，通过光刻以及溅射，形成将梁102a、102b电连接的厚度100nm的由Al构成的第1布线16。而且，通过光刻以及溅射，以覆盖第1布线16的方式形成厚度30nm的由SiN构成的绝缘膜17。接着，如图16A～图16C所示，通过光刻以及溅射，层叠由非晶硅构成的电阻变化层201、由SiN构成的绝缘膜202以及由Cr构成的红外线吸收层203，形成红外线受光部12A。红外线受光部12A具有12μm×12μm的大小。电阻变化层201具有200nm的厚度。绝缘膜202具有30nm的厚度。红外线吸收层203具有5nm的厚度。最后，如图17A～图17C所示，通过气相氢氟酸蚀刻，局部地去除SiO2层502。如此，制作出实施例1的红外线传感器。实施例2除了取代电子束光刻而使用嵌段共聚物光刻按每34nm周期性地形成直径为27.2nm的贯通孔18之外，与实施例1同样地制作红外线传感器。贯通孔18的直径27.2nm与周期34nm之比和实施例1同样地为0.8。因此，在实施例1以及实施例2中，空隙率相等。在此，空隙率意味着俯视时的多个贯通孔18的面积的总和在区域1011a、1011b、1021a或者1021b的面积中所占的比例。例如将区域1011a的面积设为S1图13A，将形成于区域1011a的贯通孔18的个数设为n1，以及将各贯通孔18的面积设为s1图7B，则空隙率根据n1×s1S1算出。比较例1除了没有形成贯通孔18之外，使用与实施例1同样的工艺制作红外线传感器。珀耳帖元件的性能验证了实施例1、2以及比较例1的红外线传感器的珀耳帖效应的性能。通过使3mA的稳态电流流通于梁102a、102b来冷却红外线受光部12A，并且将2V的稳态电压施加于梁101a、101b。测定此时的流通于电阻变化层201的电流，根据其电阻变化算出红外线受光部12A的温度。冷却前的红外线受光部12A的温度为25.0℃。表1表示实施例1、2以及比较例1的结果。【表1】声子晶体的周期nm红外线受光部的温度℃比较例1无20.6实施例110013.5实施例2342.0由表1可知，实施例1以及2的红外线传感器的珀耳帖效应优于比较例1的红外线传感器的珀耳帖效应。另外，可知在作为珀耳帖元件发挥功能的梁102a、102b各自具有声子晶体的情况下，随着声子晶体的周期变小，珀耳帖元件的冷却性能得以提高。时间响应试验对实施例1以及比较例1的红外线传感器进行时间响应试验。在时间响应试验中，首先，通过信号处理电路，经由电极垫13a、13b以及第2布线14a、14b对梁101a、101b施加恒定电压，并通过信号处理电路监视流通于电阻变化层201的电流量。接着，对红外线受光部12A照射红外线，并持续5ms。之后，遮断红外线。在与此同时刚开始对梁102a、102b施加25μA的脉冲电流之后，对梁102a、102b施加25μA的脉冲电流，并持续0.010ms。图32A是表示实施例1的红外线传感器的梁102中施加有电流时的时间响应试验的结果的坐标图。图32B是图32A的由虚线包围的部分B的放大图。图32C是表示实施例1的红外线传感器的梁102中没有施加电流时的时间响应试验的结果的坐标图。图32D是图32C的由虚线包围的部分D的放大图。图32E是表示比较例1的红外线传感器的梁102中没有施加电流时的时间响应试验的结果的坐标图。由图32A以及图32E可知，实施例1的红外线传感器的电阻变化层201的电流值大于比较例1的红外线传感器的电阻变化层201的电流值。即，具有声子晶体的实施例1的红外线传感器具有比不具有声子晶体的比较例1的红外线传感器优异的检测灵敏度。另外，由图32B以及图32D可知，通过流通于梁102a、102b的脉冲电流，下降时间从0.4ms大幅减少至0.015ms。在此，将红外线遮断时的时刻设为t0，将在时刻t0的电流值设为I0，将在红外线遮断后电流值变为I0×exp-1的时刻设为t1。下降时间由t1-t0来定义。如果在第1红外线遮断后下降时间短，则能够在第1红外线遮断后以短时间开始准确地检测出接下来入射到红外线受光部12A的第2红外线。因此，例如在测定远离的对象物的温度的情况下，能够迅速地检测出对象物的温度的降低。根据以上，通过使用珀耳帖元件来将红外线受光部12A冷却，能够提高红外线传感器的响应速度即，从第1红外线遮断后到开始准确地检测出第2红外线的时间的短暂。产业上的可利用性在本公开的构成中，能够提供能兼具优异的检测灵敏度和优异的响应速度的红外线传感器。根据上述的公开内容导出的发明如下。项目A1一种红外线传感器，具备：基底基板、辐射热测量计红外线受光部、珀耳帖元件、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第1支柱、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第2支柱、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第3支柱、以及在从所述基底基板离开的方向上延伸的第4支柱，在此，所述辐射热测量计红外线受光部具备：电阻因吸收红外线而变化的电阻变化层、与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第1梁、以及与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第2梁，所述红外线照射在所述辐射热测量计红外线受光部的表侧的面上，所述珀耳帖元件具备由p型半导体材料形成的珀耳帖第1梁以及由n型半导体材料形成的珀耳帖第2梁，所述珀耳帖元件与所述辐射热测量计红外线受光部的背侧的面相接触，所述辐射热测量计第1梁的一端部、所述辐射热测量计第2梁的一端部、所述珀耳帖第1梁的一端部以及所述珀耳帖第2梁的一端部分别与所述第1支柱、所述第2支柱、所述第3支柱以及所述第4支柱连接，所述辐射热测量计红外线受光部、所述辐射热测量计第1梁以及所述辐射热测量计第2梁通过所述第1支柱以及所述第2支柱悬架在所述基底基板的上部，所述珀耳帖元件、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁通过所述第3支柱以及所述第4支柱悬架在所述基底基板的上部，所述辐射热测量计第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第1声子晶体结构，所述辐射热测量计第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第2声子晶体结构，所述珀耳帖第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第3声子晶体结构，并且所述珀耳帖第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第4声子晶体结构。项目A2根据项目A1所述的红外线传感器，所述第1声子晶体结构设置在俯视的所述辐射热测量计第1梁中的、所述第1支柱与所述电阻变化层的一端之间的第1区间，所述第2声子晶体结构设置在所述俯视的所述辐射热测量计第2梁中的、所述第2支柱与所述电阻变化层的另一端之间的第2区间，所述第3声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第1梁中的、所述第3支柱与所述电阻变化层的一端之间的第3区间，所述第4声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第2梁中的、所述第4支柱与所述电阻变化层的另一端之间的第4区间。项目A3根据项目A1所述的红外线传感器，所述第1声子晶体结构的所述多个贯通孔以第1周期规则地排列，所述第2声子晶体结构的所述多个贯通孔以第2周期规则地排列，所述第3声子晶体结构的所述多个贯通孔以第3周期规则地排列，所述第4声子晶体结构的所述多个贯通孔以第4周期规则地排列。项目A4根据项目A3所述的红外线传感器，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期以及所述第4周期各个的值相等。项目A5根据项目A1所述的红外线传感器，所述珀耳帖第1梁的另一端与所述珀耳帖第2梁的另一端连接，在所述珀耳帖第1梁与所述珀耳帖第2梁之间形成有界面，所述界面与所述电阻变化层热连接。项目A6根据项目A1所述的红外线传感器，所述珀耳帖第1梁的另一端不与所述珀耳帖第2梁的另一端连接，所述珀耳帖第1梁通过第1布线与所述珀耳帖第2梁电连接，所述第1布线与所述电阻变化层热连接。项目A7根据项目A5所述的红外线传感器，在俯视时，所述电阻变化层具有面积相等的四个区域，所述界面至少与两个所述区域相接触。项目A8根据项目A3所述的红外线传感器，所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁分别包含第1晶畴、第2晶畴、第3晶畴、第4晶畴，所述第1晶畴、所述第2晶畴、所述第3晶畴以及所述第4晶畴分别包含所述第1声子晶体结构、所述第2声子晶体结构、所述第3声子晶体结构以及所述第4声子晶体结构，所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁分别包含第5晶畴、第6晶畴、第7晶畴、第8晶畴，在所述第5晶畴，形成有包含以第5周期规则地排列的多个贯通孔的第5声子晶体结构，在所述第6晶畴，形成有包含以第6周期规则地排列的多个贯通孔的第6声子晶体结构，在所述第7晶畴，形成有包含以第7周期规则地排列的多个贯通孔的第7声子晶体结构，在所述第8晶畴，形成有包含以第8周期规则地排列的多个贯通孔的第8声子晶体结构，在俯视时，所述第1晶畴夹在所述第5晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第2晶畴夹在所述第6晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第3晶畴夹在所述第7晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第4晶畴夹在所述第8晶畴与所述电阻变化层之间，所述第5周期的值比所述第1周期的值大，所述第6周期的值比所述第2周期的值大，所述第7周期的值比所述第3周期的值大，并且所述第8周期的值比所述第4周期的值大。项目A9根据项目A8所述的红外线传感器，在所述第1晶畴，在以所述第1周期规则地排列于所述第1晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第1周期不同的第9周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第2晶畴，在以所述第2周期规则地排列于所述第2晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第2周期不同的第10周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第3晶畴，在以所述第3周期规则地排列于所述第3晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第3周期不同的第11周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第4晶畴，在以所述第4周期规则地排列于所述第4晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第4周期不同的第12周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第5晶畴，在以所述第5周期规则地排列于所述第5晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第5周期不同的第13周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第6晶畴，在以所述第6周期规则地排列于所述第6晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第6周期不同的第14周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第7晶畴，在以所述第7周期规则地排列于所述第7晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第7周期不同的第15周期规则地排列的多个贯通孔，并且在所述第8晶畴，在以所述第8周期规则地排列于所述第8晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第8周期不同的第16周期规则地排列的多个贯通孔。项目A10根据项目A8所述的红外线传感器，以所述第1周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第2周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第3周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第4周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第5周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第6周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第7周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量以及以所述第8周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量各自为五个以上。项目A11根据项目A8所述的红外线传感器，构成所述第1晶畴、所述第2晶畴、所述第3晶畴、所述第4晶畴、所述第5晶畴、所述第6晶畴、所述第7晶畴以及所述第8晶畴的各晶畴的周期结构的基本单位晶格是正方晶格、六方晶格、长方晶格和面心长方晶格中的某一个。项目A12根据项目A8所述的红外线传感器，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期、所述第4周期、所述第5周期、所述第6周期、所述第7周期以及所述第8周期各个的值为1nm以上且300nm以下。项目A13根据项目A8所述的红外线传感器，将以所述第1周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第1周期的值所得到的值、将以所述第2周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第2周期的值所得到的值、将以所述第3周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第3周期的值所得到的值、将以所述第4周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第4周期的值所得到的值、将以所述第5周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第5周期的值所得到的值、将以所述第6周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第6周期的值所得到的值、将以所述第7周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第7周期的值所得到的值以及将以所述第8周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第8周期的值所得到的值各自为0.5以上且0.9以下。项目A14根据项目A1所述的红外线传感器，所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁分别包含第1晶畴、第2晶畴、第3晶畴以及第4晶畴，所述第1晶畴具备以第1周期规则地排列的多个第1子晶畴，所述第2晶畴具备以第2周期规则地排列的多个第2子晶畴，所述第3晶畴具备以第3周期规则地排列的多个第3子晶畴，所述第4晶畴具备以第4周期规则地排列的多个第4子晶畴，所述多个第1子晶畴的各子晶畴由具备以第5周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第2子晶畴的各子晶畴由具备以第6周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第3子晶畴的各子晶畴由具备以第7周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，并且所述多个第4子晶畴的各子晶畴由具备以第8周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成。项目A15根据项目A14所述的红外线传感器，所述辐射热测量计第1梁还包含第5晶畴，所述辐射热测量计第2梁还包含第6晶畴，所述珀耳帖第1梁还包含第7晶畴，所述珀耳帖第2梁还包含第8晶畴，所述第5晶畴具备以第9周期规则地排列的多个第5子晶畴，所述第6晶畴具备以第10周期规则地排列的多个第6子晶畴，所述第7晶畴具备以第11周期规则地排列的多个第7子晶畴，所述第8晶畴具备以第12周期规则地排列的多个第8子晶畴，所述多个第5子晶畴的各子晶畴由具备以第13周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第6子晶畴的各子晶畴由具备以第14周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第7子晶畴的各子晶畴由具备以第15周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第8子晶畴的各子晶畴由具备以第16周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，在俯视时，所述第1晶畴夹在所述第5晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第2晶畴夹在所述第6晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第3晶畴夹在所述第7晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第4晶畴夹在所述第8晶畴与所述电阻变化层之间，所述第9周期的值比所述第1周期的值大，所述第10周期的值比所述第2周期的值大，所述第11周期的值比所述第3周期的值大，并且所述第12周期的值比所述第4周期的值大。项目A16一种将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，包括如下步骤a～d，步骤a，准备所述红外线传感器，所述红外线传感器具备：具有凹部的基底基板、所述辐射热测量计红外线受光部、珀耳帖元件、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第1支柱、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第2支柱、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第3支柱、以及在从所述基底基板离开的方向上延伸的第4支柱，在此，所述辐射热测量计红外线受光部具备：电阻因吸收红外线而变化的电阻变化层、与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第1梁、以及与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第2梁，所述红外线照射在所述辐射热测量计红外线受光部的表侧的面上，所述珀耳帖元件具备由p型半导体材料形成的珀耳帖第1梁以及由n型半导体材料形成的珀耳帖第2梁，所述珀耳帖元件与所述辐射热测量计红外线受光部的背侧的面相接触，所述辐射热测量计第1梁的一端部、所述辐射热测量计第2梁的一端部、所述珀耳帖第1梁的一端部以及所述珀耳帖第2梁的一端部分别与所述第1支柱、所述第2支柱、所述第3支柱以及所述第4支柱连接，所述辐射热测量计红外线受光部、所述辐射热测量计第1梁以及所述辐射热测量计第2梁通过所述第1支柱以及所述第2支柱悬架在所述基底基板的上部，所述珀耳帖元件、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁通过所述第3支柱以及所述第4支柱悬架在所述基底基板的上部，所述辐射热测量计第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第1声子晶体结构，所述辐射热测量计第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第2声子晶体结构，所述珀耳帖第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第3声子晶体结构，并且所述珀耳帖第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第4声子晶体结构，步骤b，使所述红外线入射到所述辐射热测量计红外线受光部，步骤c，将入射到所述辐射热测量计红外线受光部的所述红外线遮断，步骤d，对所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁施加电流，将所述辐射热测量计红外线受光部冷却。项目A17根据项目A16所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述第1声子晶体结构设置在俯视的所述辐射热测量计第1梁中的、所述辐射热测量计第1梁的另一端与所述电阻变化层的一端之间的第1区间，所述第2声子晶体结构设置在所述俯视的所述辐射热测量计第2梁中的、所述辐射热测量计第2梁的另一端与所述电阻变化层的另一端之间的第2区间，所述第3声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第1梁中的、所述珀耳帖第1梁的另一端与所述电阻变化层的一端之间的第3区间，所述第4声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第2梁中的、所述珀耳帖第2梁的另一端与所述电阻变化层的另一端之间的第4区间。项目A18根据项目A16所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述第1声子晶体结构的所述多个贯通孔以第1周期规则地排列，所述第2声子晶体结构的所述多个贯通孔以第2周期规则地排列，所述第3声子晶体结构的所述多个贯通孔以第3周期规则地排列，所述第4声子晶体结构的所述多个贯通孔以第4周期规则地排列。项目A19根据项目A18所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期以及所述第4周期各个的值相等。项目A20根据项目A16所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述珀耳帖第1梁的另一端与所述珀耳帖第2梁的另一端连接，在所述珀耳帖第1梁与所述珀耳帖第2梁之间形成有界面，所述界面夹在所述电阻变化层与所述凹部之间。项目B1一种红外线传感器，具备：基底基板、辐射热测量计红外线受光部、珀耳帖元件、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第1支柱、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第2支柱、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第3支柱、以及在从所述基底基板离开的方向上延伸的第4支柱，在此，所述辐射热测量计红外线受光部具备：电阻因吸收红外线而变化的电阻变化层、由第1绝缘材料形成的辐射热测量计第1梁、由第2绝缘材料形成的辐射热测量计第2梁、形成在所述辐射热测量计第1梁上的辐射热测量计第1薄膜、以及形成在所述辐射热测量计第2梁上的辐射热测量计第2薄膜，所述辐射热测量计第1薄膜与所述电阻变化层电连接，所述辐射热测量计第2薄膜与所述电阻变化层电连接，所述红外线照射在所述辐射热测量计红外线受光部的表侧的面上，所述珀耳帖元件具备：由第3绝缘材料形成的珀耳帖第1梁、由第4绝缘材料形成的珀耳帖第2梁、形成在所述珀耳帖第1梁上的珀耳帖第1薄膜、以及形成在所述珀耳帖第2梁上的珀耳帖第2薄膜，所述珀耳帖第1薄膜由p型半导体材料形成，所述珀耳帖第1薄膜由n型半导体材料形成，所述珀耳帖元件与所述辐射热测量计红外线受光部的背侧的面相接触，所述辐射热测量计第1梁的一端部以及所述辐射热测量计第1薄膜的一端部与所述第1支柱连接，所述辐射热测量计第2梁的一端部以及所述辐射热测量计第2薄膜的一端部与所述第2支柱连接，所述珀耳帖第1梁的一端部以及所述珀耳帖第1薄膜的一端部与所述第3支柱连接，所述珀耳帖第2梁的一端部以及所述珀耳帖第2薄膜的一端部与所述第4支柱连接，所述辐射热测量计红外线受光部、所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第1薄膜、所述辐射热测量计第2梁以及所述辐射热测量计第2薄膜通过所述第1支柱以及所述第2支柱悬架在所述基底基板的上部，所述珀耳帖元件、所述珀耳帖第1梁、所述珀耳帖第1薄膜、所述珀耳帖第2梁以及所述珀耳帖第2薄膜通过所述第3支柱以及所述第4支柱悬架在所述基底基板的上部，所述辐射热测量计第1薄膜具备包含规则地排列的多个贯通孔的第1声子晶体结构，所述辐射热测量计第2薄膜具备包含规则地排列的多个贯通孔的第2声子晶体结构，所述珀耳帖第1薄膜具备包含规则地排列的多个贯通孔的第3声子晶体结构，并且所述珀耳帖第2薄膜具备包含规则地排列的多个贯通孔的第4声子晶体结构。项目B2根据项目B1所述的红外线传感器，所述第1声子晶体结构设置在俯视的所述辐射热测量计第1薄膜中的、所述第1支柱与所述电阻变化层的一端之间的第1区间，所述第2声子晶体结构设置在所述俯视的所述辐射热测量计第2薄膜中的、所述第2支柱与所述电阻变化层的另一端之间的第2区间，所述第3声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第1薄膜中的、所述第3支柱与所述电阻变化层的一端之间的第3区间，所述第4声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第2薄膜中的、所述第4支柱与所述电阻变化层的另一端之间的第4区间。项目B3根据项目B1所述的红外线传感器，所述第1声子晶体结构的所述多个贯通孔以第1周期规则地排列，所述第2声子晶体结构的所述多个贯通孔以第2周期规则地排列，所述第3声子晶体结构的所述多个贯通孔以第3周期规则地排列，所述第4声子晶体结构的所述多个贯通孔以第4周期规则地排列。项目B4根据项目B3所述的红外线传感器，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期以及所述第4周期各个的值相等。项目B5根据项目B1所述的红外线传感器，所述珀耳帖第1薄膜的另一端与所述珀耳帖第2薄膜的另一端连接，在所述珀耳帖第1薄膜与所述珀耳帖第2薄膜之间形成有界面，所述界面与所述电阻变化层热连接。项目B6根据项目B1所述的红外线传感器，所述珀耳帖第1薄膜的另一端不与所述珀耳帖第2薄膜的另一端连接，所述珀耳帖第1薄膜通过第1布线与所述珀耳帖第2薄膜电连接，所述第1布线与所述电阻变化层热连接。项目B7根据项目B5所述的红外线传感器，在俯视时，所述电阻变化层具有面积相等的四个区域，所述界面至少与两个所述区域相接触。项目B8根据项目B3所述的红外线传感器，所述辐射热测量计第1薄膜、所述辐射热测量计第2薄膜、所述珀耳帖第1薄膜以及所述珀耳帖第2薄膜分别包含第1晶畴、第2晶畴、第3晶畴、第4晶畴，所述第1晶畴、所述第2晶畴、所述第3晶畴以及所述第4晶畴分别包含所述第1声子晶体结构、所述第2声子晶体结构、所述第3声子晶体结构以及所述第4声子晶体结构，所述辐射热测量计第1薄膜、所述辐射热测量计第2薄膜、所述珀耳帖第1薄膜以及所述珀耳帖第2薄膜分别包含第5晶畴、第6晶畴、第7晶畴、第8晶畴，在所述第5晶畴，形成有包含以第5周期规则地排列的多个贯通孔的第5声子晶体结构，在所述第6晶畴，形成有包含以第6周期规则地排列的多个贯通孔的第6声子晶体结构，在所述第7晶畴，形成有包含以第7周期规则地排列的多个贯通孔的第7声子晶体结构，在所述第8晶畴，形成有包含以第8周期规则地排列的多个贯通孔的第8声子晶体结构，在俯视时，所述第1晶畴夹在所述第5晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第2晶畴夹在所述第6晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第3晶畴夹在所述第7晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第4晶畴夹在所述第8晶畴与所述电阻变化层之间，所述第5周期的值比所述第1周期的值大，所述第6周期的值比所述第2周期的值大，所述第7周期的值比所述第3周期的值大，并且所述第8周期的值比所述第4周期的值大。项目B9根据项目B8所述的红外线传感器，在所述第1晶畴，在以所述第1周期规则地排列于所述第1晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第1周期不同的第9周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第2晶畴，在以所述第2周期规则地排列于所述第2晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第2周期不同的第10周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第3晶畴，在以所述第3周期规则地排列于所述第3晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第3周期不同的第11周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第4晶畴，在以所述第4周期规则地排列于所述第4晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第4周期不同的第12周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第5晶畴，在以所述第5周期规则地排列于所述第5晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第5周期不同的第13周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第6晶畴，在以所述第6周期规则地排列于所述第6晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第6周期不同的第14周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第7晶畴，在以所述第7周期规则地排列于所述第7晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第7周期不同的第15周期规则地排列的多个贯通孔，并且在所述第8晶畴，在以所述第8周期规则地排列于所述第8晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第8周期不同的第16周期规则地排列的多个贯通孔。项目B10根据项目B8所述的红外线传感器，以所述第1周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第2周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第3周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第4周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第5周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第6周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第7周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量以及以所述第8周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量各自为五个以上。项目B11根据项目B8所述的红外线传感器，构成所述第1晶畴、所述第2晶畴、所述第3晶畴、所述第4晶畴、所述第5晶畴、所述第6晶畴、所述第7晶畴以及所述第8晶畴的各晶畴的周期结构的基本单位晶格是正方晶格、六方晶格、长方晶格和面心长方晶格中的某一个。项目B12根据项目B8所述的红外线传感器，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期、所述第4周期、所述第5周期、所述第6周期、所述第7周期以及所述第8周期各个的值为1nm以上且300nm以下。项目B13根据项目B8所述的红外线传感器，将以所述第1周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第1周期的值所得到的值、将以所述第2周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第2周期的值所得到的值、将以所述第3周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第3周期的值所得到的值、将以所述第4周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第4周期的值所得到的值、将以所述第5周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第5周期的值所得到的值、将以所述第6周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第6周期的值所得到的值、将以所述第7周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第7周期的值所得到的值以及将以所述第8周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第8周期的值所得到的值各自为0.5以上且0.9以下。项目B14根据项目B1所述的红外线传感器，所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁分别包含第1晶畴、第2晶畴、第3晶畴以及第4晶畴，所述第1晶畴具备以第1周期规则地排列的多个第1子晶畴，所述第2晶畴具备以第2周期规则地排列的多个第2子晶畴，所述第3晶畴具备以第3周期规则地排列的多个第3子晶畴，所述第4晶畴具备以第4周期规则地排列的多个第4子晶畴，所述多个第1子晶畴的各子晶畴由具备以第5周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第2子晶畴的各子晶畴由具备以第6周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第3子晶畴的各子晶畴由具备以第7周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，并且所述多个第4子晶畴的各子晶畴由具备以第8周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成。项目B15根据项目B14所述的红外线传感器，所述辐射热测量计第1梁还包含第5晶畴，所述辐射热测量计第2梁还包含第6晶畴，所述珀耳帖第1梁还包含第7晶畴，所述珀耳帖第2梁还包含第8晶畴，所述第5晶畴具备以第9周期规则地排列的多个第5子晶畴，所述第6晶畴具备以第10周期规则地排列的多个第6子晶畴，所述第7晶畴具备以第11周期规则地排列的多个第7子晶畴，所述第8晶畴具备以第12周期规则地排列的多个第8子晶畴，所述多个第5子晶畴的各子晶畴由具备以第13周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第6子晶畴的各子晶畴由具备以第14周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第7子晶畴的各子晶畴由具备以第15周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第8子晶畴的各子晶畴由具备以第16周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，在俯视时，所述第1晶畴夹在所述第5晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第2晶畴夹在所述第6晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第3晶畴夹在所述第7晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第4晶畴夹在所述第8晶畴与所述电阻变化层之间，所述第9周期的值比所述第1周期的值大，所述第10周期的值比所述第2周期的值大，所述第11周期的值比所述第3周期的值大，并且所述第12周期的值比所述第4周期的值大。项目B16一种将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，包括如下步骤a～d，步骤a，准备所述红外线传感器，所述红外线传感器具备：基底基板、所述辐射热测量计红外线受光部、珀耳帖元件、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第1支柱、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第2支柱、在从所述基底基板离开的方向上延伸的第3支柱、以及在从所述基底基板离开的方向上延伸的第4支柱，在此，所述辐射热测量计红外线受光部具备：电阻因吸收红外线而变化的电阻变化层、由第1绝缘材料形成的辐射热测量计第1梁、由第2绝缘材料形成的辐射热测量计第2梁、形成在所述辐射热测量计第1梁上的辐射热测量计第1薄膜、以及形成在所述辐射热测量计第2梁上的辐射热测量计第2薄膜，所述辐射热测量计第1薄膜与所述电阻变化层电连接，所述辐射热测量计第2薄膜与所述电阻变化层电连接，所述红外线照射在所述辐射热测量计红外线受光部的表侧的面上，所述珀耳帖元件具备：由第3绝缘材料形成的珀耳帖第1梁、由第4绝缘材料形成的珀耳帖第2梁、形成在所述珀耳帖第1梁上的珀耳帖第1薄膜、以及形成在所述珀耳帖第2梁上的珀耳帖第2薄膜，所述珀耳帖第1薄膜由p型半导体材料形成，所述珀耳帖第1薄膜由n型半导体材料形成，所述珀耳帖元件与所述辐射热测量计红外线受光部的背侧的面相接触，所述辐射热测量计第1梁的一端部以及所述辐射热测量计第1薄膜的一端部与所述第1支柱连接，所述辐射热测量计第2梁的一端部以及所述辐射热测量计第2薄膜的一端部与所述第2支柱连接，所述珀耳帖第1梁的一端部以及所述珀耳帖第1薄膜的一端部与所述第3支柱连接，所述珀耳帖第2梁的一端部以及所述珀耳帖第2薄膜的一端部与所述第4支柱连接，所述辐射热测量计红外线受光部、所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第1薄膜、所述辐射热测量计第2梁以及所述辐射热测量计第2薄膜通过所述第1支柱以及所述第2支柱悬架在所述基底基板的上部，所述珀耳帖元件、所述珀耳帖第1梁、所述珀耳帖第1薄膜、所述珀耳帖第2梁以及所述珀耳帖第2薄膜通过所述第3支柱以及所述第4支柱悬架在所述基底基板的上部，所述辐射热测量计第1薄膜具备包含规则地排列的多个贯通孔的第1声子晶体结构，所述辐射热测量计第2薄膜具备包含规则地排列的多个贯通孔的第2声子晶体结构，所述珀耳帖第1薄膜具备包含规则地排列的多个贯通孔的第3声子晶体结构，并且所述珀耳帖第2薄膜具备包含规则地排列的多个贯通孔的第4声子晶体结构，步骤b，使所述红外线入射到所述辐射热测量计红外线受光部，步骤c，将入射到所述辐射热测量计红外线受光部的所述红外线遮断，步骤d，对所述珀耳帖第1薄膜以及所述珀耳帖第1薄膜施加电流，将所述辐射热测量计红外线受光部冷却。项目B17根据项目B16所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述第1声子晶体结构设置在俯视的所述辐射热测量计第1薄膜中的、所述第1支柱与所述电阻变化层的一端之间的第1区间，所述第2声子晶体结构设置在所述俯视的所述辐射热测量计第2薄膜中的、所述第2支柱与所述电阻变化层的另一端之间的第2区间，所述第3声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第1薄膜中的、所述第3支柱与所述电阻变化层的一端之间的第3区间，所述第4声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第2薄膜中的、所述第4支柱与所述电阻变化层的另一端之间的第4区间。项目B18根据项目B16所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述第1声子晶体结构的所述多个贯通孔以第1周期规则地排列，所述第2声子晶体结构的所述多个贯通孔以第2周期规则地排列，所述第3声子晶体结构的所述多个贯通孔以第3周期规则地排列，所述第4声子晶体结构的所述多个贯通孔以第4周期规则地排列。项目B19根据项目B18所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期以及所述第4周期各个的值相等。项目B20根据项目B16所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述珀耳帖第1薄膜的另一端与所述珀耳帖第2薄膜的另一端连接，在所述珀耳帖第1薄膜与所述珀耳帖第2薄膜之间形成有界面，所述界面与所述电阻变化层热连接。项目C1一种红外线传感器，具备：具有凹部的基底基板、热电堆红外线受光部、以及珀耳帖元件，在此，所述热电堆红外线受光部具备：红外线吸收层、与所述红外线吸收层热连接并且由第1p型半导体材料形成的热电堆第1梁、以及与所述红外线吸收层热连接并且由第1n型半导体材料形成的热电堆第2梁，所述珀耳帖元件夹在所述热电堆红外线受光部与所述凹部之间，所述红外线照射在所述热电堆红外线受光部的表侧的面上，所述珀耳帖元件具备由第2p型半导体材料形成的珀耳帖第1梁以及由第2n型半导体材料形成的珀耳帖第2梁，所述珀耳帖元件与所述热电堆红外线受光部的背侧的面相接触，所述热电堆第1梁的一端、所述热电堆第2梁的一端、所述珀耳帖第1梁的一端以及所述珀耳帖第2梁的一端与所述基底基板连接，所述热电堆红外线受光部、所述珀耳帖元件、所述热电堆第1梁、所述热电堆第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁悬架在所述基底基板的上部，所述热电堆第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第1声子晶体结构，所述热电堆第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第2声子晶体结构，所述珀耳帖第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第3声子晶体结构，并且所述珀耳帖第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第4声子晶体结构。项目C2根据项目C1所述的红外线传感器，所述第1声子晶体结构设置在俯视的所述热电堆第1梁中的、所述热电堆第1梁的一端与所述红外线吸收层的一端之间的第1区间，所述第2声子晶体结构设置在所述俯视的所述热电堆第2梁中的、所述热电堆第2梁的一端与所述红外线吸收层的另一端之间的第2区间，所述第3声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第1梁中的、所述珀耳帖第1梁的一端与所述红外线吸收层的一端之间的第3区间，所述第4声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第2梁中的、所述珀耳帖第2梁的一端与所述红外线吸收层的另一端之间的第4区间。项目C3根据项目C1所述的红外线传感器，所述第1声子晶体结构的所述多个贯通孔以第1周期规则地排列，所述第2声子晶体结构的所述多个贯通孔以第2周期规则地排列，所述第3声子晶体结构的所述多个贯通孔以第3周期规则地排列，所述第4声子晶体结构的所述多个贯通孔以第4周期规则地排列。项目C4根据项目C3所述的红外线传感器，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期以及所述第4周期各个的值相等。项目C5根据项目C1所述的红外线传感器，所述珀耳帖第1梁的另一端与所述珀耳帖第2梁的另一端连接，在所述珀耳帖第1梁与所述珀耳帖第2梁之间形成有界面，所述界面夹在所述红外线吸收层与所述凹部之间。项目C6根据项目C1所述的红外线传感器，所述珀耳帖第1梁的另一端不与所述珀耳帖第2梁的另一端连接，所述珀耳帖第1梁通过第1布线与所述珀耳帖第2梁电连接，所述第1布线夹在所述红外线吸收层与所述凹部之间。项目C7根据项目C5所述的红外线传感器，在俯视时，所述红外线吸收层具有面积相等的四个区域，所述界面至少与两个所述区域相接触。项目C8根据项目C3所述的红外线传感器，所述热电堆第1梁、所述热电堆第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁分别包含第1晶畴、第2晶畴、第3晶畴、第4晶畴，所述第1晶畴、所述第2晶畴、所述第3晶畴以及所述第4晶畴分别包含所述第1声子晶体结构、所述第2声子晶体结构、所述第3声子晶体结构以及所述第4声子晶体结构，所述热电堆第1梁、所述热电堆第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁分别包含第5晶畴、第6晶畴、第7晶畴、第8晶畴，在所述第5晶畴，形成有包含以第5周期规则地排列的多个贯通孔的第5声子晶体结构，在所述第6晶畴，形成有包含以第6周期规则地排列的多个贯通孔的第6声子晶体结构，在所述第7晶畴，形成有包含以第7周期规则地排列的多个贯通孔的第7声子晶体结构，在所述第8晶畴，形成有包含以第8周期规则地排列的多个贯通孔的第8声子晶体结构，在俯视时，所述第1晶畴夹在所述第5晶畴与所述红外线吸收层之间，在所述俯视时，所述第2晶畴夹在所述第6晶畴与所述红外线吸收层之间，在所述俯视时，所述第3晶畴夹在所述第7晶畴与所述红外线吸收层之间，在所述俯视时，所述第4晶畴夹在所述第8晶畴与所述红外线吸收层之间，所述第5周期的值比所述第1周期的值大，所述第6周期的值比所述第2周期的值大，所述第7周期的值比所述第3周期的值大，并且所述第8周期的值比所述第4周期的值大。项目C9根据项目C8所述的红外线传感器，在所述第1晶畴，在以所述第1周期规则地排列于所述第1晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第1周期不同的第9周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第2晶畴，在以所述第2周期规则地排列于所述第2晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第2周期不同的第10周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第3晶畴，在以所述第3周期规则地排列于所述第3晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第3周期不同的第11周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第4晶畴，在以所述第4周期规则地排列于所述第4晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第4周期不同的第12周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第5晶畴，在以所述第5周期规则地排列于所述第5晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第5周期不同的第13周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第6晶畴，在以所述第6周期规则地排列于所述第6晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第6周期不同的第14周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第7晶畴，在以所述第7周期规则地排列于所述第7晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第7周期不同的第15周期规则地排列的多个贯通孔，并且在所述第8晶畴，在以所述第8周期规则地排列于所述第8晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第8周期不同的第16周期规则地排列的多个贯通孔。项目C10根据项目C8所述的红外线传感器，以所述第1周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第2周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第3周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第4周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第5周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第6周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第7周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量以及以所述第8周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量各自为五个以上。项目C11根据项目C8所述的红外线传感器，构成所述第1晶畴、所述第2晶畴、所述第3晶畴、所述第4晶畴、所述第5晶畴、所述第6晶畴、所述第7晶畴以及所述第8晶畴的各晶畴的周期结构的基本单位晶格是正方晶格、六方晶格、长方晶格和面心长方晶格中的某一个。项目C12根据项目C8所述的红外线传感器，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期、所述第4周期、所述第5周期、所述第6周期、所述第7周期以及所述第8周期各个的值为1nm以上且300nm以下。项目C13根据项目C8所述的红外线传感器，将以所述第1周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第1周期的值所得到的值、将以所述第2周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第2周期的值所得到的值、将以所述第3周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第3周期的值所得到的值、将以所述第4周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第4周期的值所得到的值、将以所述第5周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第5周期的值所得到的值、将以所述第6周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第6周期的值所得到的值、将以所述第7周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第7周期的值所得到的值以及将以所述第8周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第8周期的值所得到的值各自为0.5以上且0.9以下。项目C14根据项目C1所述的红外线传感器，所述热电堆第1梁、所述热电堆第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁分别包含第1晶畴、第2晶畴、第3晶畴以及第4晶畴，所述第1晶畴具备以第1周期规则地排列的多个第1子晶畴，所述第2晶畴具备以第2周期规则地排列的多个第2子晶畴，所述第3晶畴具备以第3周期规则地排列的多个第3子晶畴，所述第4晶畴具备以第4周期规则地排列的多个第4子晶畴，所述多个第1子晶畴的各子晶畴由具备以第5周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第2子晶畴的各子晶畴由具备以第6周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第3子晶畴的各子晶畴由具备以第7周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，并且所述多个第4子晶畴的各子晶畴由具备以第8周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成。项目C15根据项目C14所述的红外线传感器，所述热电堆第1梁还包含第5晶畴，所述热电堆第2梁还包含第6晶畴，所述珀耳帖第1梁还包含第7晶畴，所述珀耳帖第2梁还包含第8晶畴，所述第5晶畴具备以第9周期规则地排列的多个第5子晶畴，所述第6晶畴具备以第10周期规则地排列的多个第6子晶畴，所述第7晶畴具备以第11周期规则地排列的多个第7子晶畴，所述第8晶畴具备以第12周期规则地排列的多个第8子晶畴，所述多个第5子晶畴的各子晶畴由具备以第13周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第6子晶畴的各子晶畴由具备以第14周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第7子晶畴的各子晶畴由具备以第15周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第8子晶畴的各子晶畴由具备以第16周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，在俯视时，所述第1晶畴夹在所述第5晶畴与所述红外线吸收层之间，在所述俯视时，所述第2晶畴夹在所述第6晶畴与所述红外线吸收层之间，在所述俯视时，所述第3晶畴夹在所述第7晶畴与所述红外线吸收层之间，在所述俯视时，所述第4晶畴夹在所述第8晶畴与所述红外线吸收层之间，所述第9周期的值比所述第1周期的值大，所述第10周期的值比所述第2周期的值大，所述第11周期的值比所述第3周期的值大，并且所述第12周期的值比所述第4周期的值大。项目C16一种将红外线传感器的热电堆红外线受光部冷却的方法，包括如下步骤a～d，步骤a，准备所述红外线传感器，所述红外线传感器具备：具有凹部的基底基板、所述热电堆红外线受光部、以及珀耳帖元件，在此，所述热电堆红外线受光部具备：红外线吸收层、与所述红外线吸收层热连接并且由第1p型半导体材料形成的热电堆第1梁、以及与所述红外线吸收层热连接并且由第1n型半导体材料形成的热电堆第2梁，所述珀耳帖元件夹在所述热电堆红外线受光部与所述凹部之间，所述红外线照射在所述热电堆红外线受光部的表侧的面上，所述珀耳帖元件具备由第2p型半导体材料形成的珀耳帖第1梁以及由第2n型半导体材料形成的珀耳帖第2梁，所述珀耳帖元件与所述热电堆红外线受光部的背侧的面相接触，所述热电堆第1梁的一端、所述热电堆第2梁的一端、所述珀耳帖第1梁的一端以及所述珀耳帖第2梁的一端与所述基底基板连接，所述热电堆红外线受光部、所述珀耳帖元件、所述热电堆第1梁、所述热电堆第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁悬架在所述基底基板的上部，所述热电堆第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第1声子晶体结构，所述热电堆第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第2声子晶体结构，所述珀耳帖第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第3声子晶体结构，并且所述珀耳帖第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第4声子晶体结构，步骤b，使所述红外线入射到所述热电堆红外线受光部，步骤c，将入射到所述热电堆红外线受光部的所述红外线遮断，步骤d，对所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁施加电流，将所述热电堆红外线受光部冷却。项目C17根据项目C16所述的将红外线传感器的热电堆红外线受光部冷却的方法，所述第1声子晶体结构设置在俯视的所述热电堆第1梁中的、所述热电堆第1梁的一端与所述电阻变化层的一端之间的第1区间，所述第2声子晶体结构设置在所述俯视的所述热电堆第2梁中的、所述热电堆第2梁的一端与所述电阻变化层的另一端之间的第2区间，所述第3声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第1梁中的、所述珀耳帖第1梁的一端与所述电阻变化层的一端之间的第3区间，所述第4声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第2梁中的、所述珀耳帖第2梁的一端与所述电阻变化层的另一端之间的第4区间。项目C18根据项目C16所述的将红外线传感器的热电堆红外线受光部冷却的方法，所述第1声子晶体结构的所述多个贯通孔以第1周期规则地排列，所述第2声子晶体结构的所述多个贯通孔以第2周期规则地排列，所述第3声子晶体结构的所述多个贯通孔以第3周期规则地排列，所述第4声子晶体结构的所述多个贯通孔以第4周期规则地排列。项目C19根据项目C18所述的将红外线传感器的热电堆红外线受光部冷却的方法，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期以及所述第4周期各个的值相等。项目C20根据项目C16所述的将红外线传感器的热电堆红外线受光部冷却的方法，所述珀耳帖第1梁的另一端与所述珀耳帖第2梁的另一端连接，在所述珀耳帖第1梁与所述珀耳帖第2梁之间形成有界面，所述界面夹在所述电阻变化层与所述凹部之间。

权利要求：1.一种红外线传感器，具备：具有凹部的基底基板、辐射热测量计红外线受光部、以及珀耳帖元件，在此，所述辐射热测量计红外线受光部具备：电阻因吸收红外线而变化的电阻变化层、与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第1梁、以及与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第2梁，所述珀耳帖元件夹在所述辐射热测量计红外线受光部与所述凹部之间，所述红外线照射在所述辐射热测量计红外线受光部的表侧的面上，所述珀耳帖元件具备由p型半导体材料形成的珀耳帖第1梁以及由n型半导体材料形成的珀耳帖第2梁，所述珀耳帖元件与所述辐射热测量计红外线受光部的背侧的面相接触，所述辐射热测量计第1梁的一端、所述辐射热测量计第2梁的一端、所述珀耳帖第1梁的一端以及所述珀耳帖第2梁的一端与所述基底基板连接，所述辐射热测量计红外线受光部、所述珀耳帖元件、所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁悬架在所述基底基板的上部，所述辐射热测量计第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第1声子晶体结构，所述辐射热测量计第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第2声子晶体结构，所述珀耳帖第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第3声子晶体结构，并且所述珀耳帖第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第4声子晶体结构。2.根据权利要求1所述的红外线传感器，所述第1声子晶体结构设置在俯视的所述辐射热测量计第1梁中的、所述辐射热测量计第1梁的一端与所述电阻变化层的一端之间的第1区间，所述第2声子晶体结构设置在所述俯视的所述辐射热测量计第2梁中的、所述辐射热测量计第2梁的一端与所述电阻变化层的另一端之间的第2区间，所述第3声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第1梁中的、所述珀耳帖第1梁的一端与所述电阻变化层的一端之间的第3区间，所述第4声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第2梁中的、所述珀耳帖第2梁的一端与所述电阻变化层的另一端之间的第4区间。3.根据权利要求1所述的红外线传感器，所述第1声子晶体结构的所述多个贯通孔以第1周期规则地排列，所述第2声子晶体结构的所述多个贯通孔以第2周期规则地排列，所述第3声子晶体结构的所述多个贯通孔以第3周期规则地排列，所述第4声子晶体结构的所述多个贯通孔以第4周期规则地排列。4.根据权利要求3所述的红外线传感器，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期以及所述第4周期各个的值相等。5.根据权利要求1所述的红外线传感器，所述珀耳帖第1梁的另一端与所述珀耳帖第2梁的另一端连接，在所述珀耳帖第1梁与所述珀耳帖第2梁之间形成有界面，所述界面夹在所述电阻变化层与所述凹部之间。6.根据权利要求1所述的红外线传感器，所述珀耳帖第1梁的另一端不与所述珀耳帖第2梁的另一端连接，所述珀耳帖第1梁通过第1布线与所述珀耳帖第2梁电连接，所述第1布线夹在所述电阻变化层与所述凹部之间。7.根据权利要求5所述的红外线传感器，在俯视时，所述电阻变化层具有面积相等的四个区域，所述界面至少与两个所述区域相接触。8.根据权利要求3所述的红外线传感器，所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁分别包含第1晶畴、第2晶畴、第3晶畴、第4晶畴，所述第1晶畴、所述第2晶畴、所述第3晶畴以及所述第4晶畴分别包含所述第1声子晶体结构、所述第2声子晶体结构、所述第3声子晶体结构以及所述第4声子晶体结构，所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁分别包含第5晶畴、第6晶畴、第7晶畴、第8晶畴，在所述第5晶畴，形成有包含以第5周期规则地排列的多个贯通孔的第5声子晶体结构，在所述第6晶畴，形成有包含以第6周期规则地排列的多个贯通孔的第6声子晶体结构，在所述第7晶畴，形成有包含以第7周期规则地排列的多个贯通孔的第7声子晶体结构，在所述第8晶畴，形成有包含以第8周期规则地排列的多个贯通孔的第8声子晶体结构，在俯视时，所述第1晶畴夹在所述第5晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第2晶畴夹在所述第6晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第3晶畴夹在所述第7晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第4晶畴夹在所述第8晶畴与所述电阻变化层之间，所述第5周期的值比所述第1周期的值大，所述第6周期的值比所述第2周期的值大，所述第7周期的值比所述第3周期的值大，并且所述第8周期的值比所述第4周期的值大。9.根据权利要求8所述的红外线传感器，在所述第1晶畴，在以所述第1周期规则地排列于所述第1晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第1周期不同的第9周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第2晶畴，在以所述第2周期规则地排列于所述第2晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第2周期不同的第10周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第3晶畴，在以所述第3周期规则地排列于所述第3晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第3周期不同的第11周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第4晶畴，在以所述第4周期规则地排列于所述第4晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第4周期不同的第12周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第5晶畴，在以所述第5周期规则地排列于所述第5晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第5周期不同的第13周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第6晶畴，在以所述第6周期规则地排列于所述第6晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第6周期不同的第14周期规则地排列的多个贯通孔，在所述第7晶畴，在以所述第7周期规则地排列于所述第7晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第7周期不同的第15周期规则地排列的多个贯通孔，并且在所述第8晶畴，在以所述第8周期规则地排列于所述第8晶畴的所述多个贯通孔彼此之间，形成有以与所述第8周期不同的第16周期规则地排列的多个贯通孔。10.根据权利要求8所述的红外线传感器，以所述第1周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第2周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第3周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第4周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第5周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第6周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量、以所述第7周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量以及以所述第8周期规则地排列的所述多个贯通孔的数量各自为五个以上。11.根据权利要求8所述的红外线传感器，构成所述第1晶畴、所述第2晶畴、所述第3晶畴、所述第4晶畴、所述第5晶畴、所述第6晶畴、所述第7晶畴以及所述第8晶畴的各晶畴的周期结构的基本单位晶格是正方晶格、六方晶格、长方晶格和面心长方晶格中的某一个。12.根据权利要求8所述的红外线传感器，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期、所述第4周期、所述第5周期、所述第6周期、所述第7周期以及所述第8周期各个的值为1nm以上且300nm以下。13.根据权利要求8所述的红外线传感器，将以所述第1周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第1周期的值所得到的值、将以所述第2周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第2周期的值所得到的值、将以所述第3周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第3周期的值所得到的值、将以所述第4周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第4周期的值所得到的值、将以所述第5周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第5周期的值所得到的值、将以所述第6周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第6周期的值所得到的值、将以所述第7周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第7周期的值所得到的值以及将以所述第8周期规则地排列的所述多个贯通孔的直径的值除以所述第8周期的值所得到的值各自为0.5以上且0.9以下。14.根据权利要求1所述的红外线传感器，所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁分别包含第1晶畴、第2晶畴、第3晶畴以及第4晶畴，所述第1晶畴具备以第1周期规则地排列的多个第1子晶畴，所述第2晶畴具备以第2周期规则地排列的多个第2子晶畴，所述第3晶畴具备以第3周期规则地排列的多个第3子晶畴，所述第4晶畴具备以第4周期规则地排列的多个第4子晶畴，所述多个第1子晶畴的各子晶畴由具备以第5周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第2子晶畴的各子晶畴由具备以第6周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第3子晶畴的各子晶畴由具备以第7周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，并且所述多个第4子晶畴的各子晶畴由具备以第8周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成。15.根据权利要求14所述的红外线传感器，所述辐射热测量计第1梁还包含第5晶畴，所述辐射热测量计第2梁还包含第6晶畴，所述珀耳帖第1梁还包含第7晶畴，所述珀耳帖第2梁还包含第8晶畴，所述第5晶畴具备以第9周期规则地排列的多个第5子晶畴，所述第6晶畴具备以第10周期规则地排列的多个第6子晶畴，所述第7晶畴具备以第11周期规则地排列的多个第7子晶畴，所述第8晶畴具备以第12周期规则地排列的多个第8子晶畴，所述多个第5子晶畴的各子晶畴由具备以第13周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第6子晶畴的各子晶畴由具备以第14周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第7子晶畴的各子晶畴由具备以第15周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，所述多个第8子晶畴的各子晶畴由具备以第16周期规则地排列的多个贯通孔的声子晶体形成，在俯视时，所述第1晶畴夹在所述第5晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第2晶畴夹在所述第6晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第3晶畴夹在所述第7晶畴与所述电阻变化层之间，在所述俯视时，所述第4晶畴夹在所述第8晶畴与所述电阻变化层之间，所述第9周期的值比所述第1周期的值大，所述第10周期的值比所述第2周期的值大，所述第11周期的值比所述第3周期的值大，并且所述第12周期的值比所述第4周期的值大。16.一种将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，包括如下步骤a～d，步骤a，准备所述红外线传感器，所述红外线传感器具备：具有凹部的基底基板、所述辐射热测量计红外线受光部、以及珀耳帖元件，在此，所述辐射热测量计红外线受光部具备：电阻因吸收红外线而变化的电阻变化层、与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第1梁、以及与所述电阻变化层电连接的辐射热测量计第2梁，所述珀耳帖元件夹在所述辐射热测量计红外线受光部与所述凹部之间，所述红外线照射在所述辐射热测量计红外线受光部的表侧的面上，所述珀耳帖元件具备由p型半导体材料形成的珀耳帖第1梁以及由n型半导体材料形成的珀耳帖第2梁，所述珀耳帖元件与所述辐射热测量计红外线受光部的背侧的面相接触，所述辐射热测量计第1梁的一端、所述辐射热测量计第2梁的一端、所述珀耳帖第1梁的一端以及所述珀耳帖第2梁的一端与所述基底基板连接，所述辐射热测量计红外线受光部、所述珀耳帖元件、所述辐射热测量计第1梁、所述辐射热测量计第2梁、所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁悬架在所述基底基板的上部，所述辐射热测量计第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第1声子晶体结构，所述辐射热测量计第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第2声子晶体结构，所述珀耳帖第1梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第3声子晶体结构，并且所述珀耳帖第2梁具备包含规则地排列的多个贯通孔的第4声子晶体结构，步骤b，使所述红外线入射到所述辐射热测量计红外线受光部，步骤c，将入射到所述辐射热测量计红外线受光部的所述红外线遮断，步骤d，对所述珀耳帖第1梁以及所述珀耳帖第2梁施加电流，将所述辐射热测量计红外线受光部冷却。17.根据权利要求16所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述第1声子晶体结构设置在俯视的所述辐射热测量计第1梁中的、所述辐射热测量计第1梁的一端与所述电阻变化层的一端之间的第1区间，所述第2声子晶体结构设置在所述俯视的所述辐射热测量计第2梁中的、所述辐射热测量计第2梁的一端与所述电阻变化层的另一端之间的第2区间，所述第3声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第1梁中的、所述珀耳帖第1梁的一端与所述电阻变化层的一端之间的第3区间，所述第4声子晶体结构设置在所述俯视的所述珀耳帖第2梁中的、所述珀耳帖第2梁的一端与所述电阻变化层的另一端之间的第4区间。18.根据权利要求16所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述第1声子晶体结构的所述多个贯通孔以第1周期规则地排列，所述第2声子晶体结构的所述多个贯通孔以第2周期规则地排列，所述第3声子晶体结构的所述多个贯通孔以第3周期规则地排列，所述第4声子晶体结构的所述多个贯通孔以第4周期规则地排列。19.根据权利要求18所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述第1周期、所述第2周期、所述第3周期以及所述第4周期各个的值相等。20.根据权利要求16所述的将红外线传感器的辐射热测量计红外线受光部冷却的方法，所述珀耳帖第1梁的另一端与所述珀耳帖第2梁的另一端连接，在所述珀耳帖第1梁与所述珀耳帖第2梁之间形成有界面，所述界面夹在所述电阻变化层与所述凹部之间。

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