申请/专利权人：厦门大学

申请日：2021-12-10

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN114218785B

主分类号：G06F30/20

分类号：G06F30/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2022.04.08#实质审查的生效;2022.03.22#公开

摘要：一种含耦合阵列天线功率方向图受通道误差扰动分析方法，属于阵列天线技术领域。包括步骤，1建立要进行误差分析的天线模型；2设置误差模型；3计算天线阵列理想场方向图；4计算功率方向图期望；5计算功率方向图方差；6设置概率，计算受到通道误差扰动的含单元互耦效应的天线阵列功率方向图满足概率要求的上下限；7判断含单元互耦效应的天线阵列功率方向图的期望、方差及上下限是否满足电性能要求；8若满足天线阵列电性能，输出模型；若不满足天线阵列电性能要求，更新通道误差模型。解决通道误差对实际天线阵列造成影响后的性能评估问题，以此可指导实际天线阵列加工与制造时允许的误差范围。

主权项：1.一种含耦合阵列天线功率方向图受通道误差扰动分析方法，其特征在于包括如下步骤，S101：建立要进行误差分析的天线模型：确定天线单元、单元数、单元间距、工作频率，利用仿真软件建立要进行误差分析的天线模型，分别以各单元为中心建立相对坐标系，导出各天线单元的有源单元方向图；S102：设置误差模型：输入用户所定的激励幅度误差和相位误差的均值和方差，建立天线单元的幅度和相位误差正态分布模型；S103：计算天线阵列理想场方向图：根据天线单元有源方向图、单元数和单元间距、工作频率信息，通过下式计算含单元互耦效应的任意天线阵列的理想场方向图， 其中，是有源单元方向图，是复激励系数，是传播常数，是天线阵元位置；S104：计算功率方向图期望：根据含单元互耦效应的天线阵列理想场方向图以及误差模型，通过下式计算含单元互耦效应的天线阵列功率方向图的期望： 其中，σW是激励幅度误差的方差，σψ是激励相位误差的方差，是的模；S105：计算功率方向图方差：根据含单元互耦效应的天线阵列功率方向图期望以及误差模型，通过下列两式以及含单元互耦效应的天线阵列功率方向图期望，计算含单元互耦效应的天线阵列功率方向图的方差； 其中，σW是激励幅度误差的方差，σψ是激励相位误差的方差，是的模，是的幅角；S106：设置概率，计算受到通道误差扰动的含单元互耦效应的天线阵列功率方向图在设置概率下的上下限；S107：判断含单元互耦效应的天线阵列功率方向图的期望、方差及上下限是否满足天线阵列电性能要求；S108：若含单元互耦效应的天线阵列功率方向图的期望、方差及上下限满足天线阵列电性能，则输出天线阵列辐射功率方向图及通道误差模型；若含单元互耦效应的天线阵列功率方向图的期望、方差及上下限不满足天线阵列电性能要求，则返回步骤S102，更新通道误差模型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门大学 一种含耦合阵列天线功率方向图受通道误差扰动分析方法

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