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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日：2021-07-19
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113571401B
主分类号：H01J37/317
分类号：H01J37/317;H01J37/08;H01J37/32
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2023.04.11#著录事项变更;2021.11.16#实质审查的生效;2021.10.29#公开
摘要：本发明提供了一种狭缝组件及离子注入机台，其中，所述狭缝组件包括中心设置有狭缝的基板，所述基板包括至少两个沿所述狭缝的开口方向呈直线排布的导电区，且相邻的两个导电分区之间设置有隔离区，所述狭缝横跨所有的所述导电区。本发明对带状离子束进行分区调速，使带状离子束中同时产生的离子同时到达硅片的表面，从而减少或避免离子注入后硅片表面出现Rs值或TW值分布不对称的情况，提高了离子注入的均匀性。
主权项：1.一种狭缝组件，用于实现离子束的分区调速，其特征在于，包括中心设置有狭缝的基板，所述基板包括至少两个沿所述狭缝的开口方向呈直线排布的导电区，且相邻的两个所述导电区之间设置有隔离区，所述狭缝横跨所有的所述导电区，不同的所述导电区受不同的电势控制。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 狭缝组件及离子注入机台
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