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申请/专利权人：重庆京芯兆微电子科技有限公司
申请日：2023-11-02
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN221240537U
主分类号：H05H3/06
分类号：H05H3/06
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权
摘要：本实用新型公开了一种抗干扰脉冲中子发生器，涉及中子发生器技术领域；本实用新型主要包括中子发生器本体、减震支架、减震组件一和减震组件二，减震支架包括水平向设置的矩形框架，矩形框架底部安装有四个呈矩形分布的支撑杆，支撑杆的下方活动设置有垫块，减震组件一连接在支撑杆与垫块之间，中子发生器本体活动设置在矩形框架的开口内，减震组件二的数量为多个且均匀分布，减震组件二连接在中子发生器本体与矩形框架的内壁之间。在本实用新型中，通过将中子发生器本体设置在减震支架上，并通过减震组件一与减震组件二的设置，可以进一步减少中子发生器的振动，通过吸收和分散振动能量来提高抗干扰性能。
主权项：1.一种抗干扰脉冲中子发生器，其特征在于，包括中子发生器本体（1）、减震支架（2）、减震组件一（3）和减震组件二（4），所述减震支架（2）包括水平向设置的矩形框架（21），所述矩形框架（21）底部安装有四个呈矩形分布的支撑杆（22），所述支撑杆（22）的下方活动设置有垫块（23），所述减震组件一（3）连接在所述支撑杆（22）与所述垫块（23）之间，所述中子发生器本体（1）活动设置在所述矩形框架（21）的开口内，所述减震组件二（4）的数量为多个且均匀分布，所述减震组件二（4）连接在所述中子发生器本体（1）与所述矩形框架（21）的内壁之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆京芯兆微电子科技有限公司 一种抗干扰脉冲中子发生器
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