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申请/专利权人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;深圳爱旭数字能源技术有限公司
申请日：2023-09-22
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN221239624U
主分类号：H01L31/0352
分类号：H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/042
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权
摘要：本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池片、电池组件和光伏系统，硅片的背面形成有若干间隔设置的凹槽，硅片在第一区域与凹槽的边缘处具有延伸凸出至凹槽上方延伸部分，第二极性掺杂层层叠设置在第二隧穿层上且与凹槽的边缘之间具有预设距离。如此，通过将硅片设置成具有延伸凸出至凹槽上方的延伸部分，可以使得硅片形成开口小，内部大的凹陷区，可以使钝化膜层沉积过程中等离子体与外界的交换减少，以实现最佳的钝化、抗衰减效果。另一方面，通过将第二极性掺杂层设置成与凹槽的边缘具有预设距离，这样，形成的平台区可增加空间电荷区上层局域的钝化膜层的可移动氢含量，从而实现此区域的氢钝化增强，提升电池性能。
主权项：1.一种背接触太阳能电池片，其特征在于，包括：硅片，所述硅片具备相对的正面和背面，所述背面上形成有若干间隔排列的凹槽以使所述背面包括若干依次交替排列的第一区域和第二区域，相邻的所述第一区域和所述第二区域通过所述凹槽间隔；在所述第一区域和所述第二区域的排列方向上，所述硅片在所述第一区域与所述凹槽的边缘处具有延伸凸出至所述凹槽上方延伸部分；第一隧穿层，所述第一隧穿层层叠覆盖设置在所述第一区域上；第一极性掺杂层，所述第一极性掺杂层层叠设置在所述第一隧穿层和所述延伸部分上；第二隧穿层，所述第二隧穿层层叠设置在所述第二区域上；第二极性掺杂层，所述第二极性掺杂层层叠设置在所述第二隧穿层上且与所述凹槽的边缘之间具有预设距离；和钝化膜层，所述钝化膜层覆盖所述第一极性掺杂层、所述第二极性掺杂层以及所述凹槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;深圳爱旭数字能源技术有限公司 背接触太阳能电池片、电池组件和光伏系统
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