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申请/专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
摘要：公开了一种高抗噪度TRIAC结构。TRIAC半导体包括N‑区、多个N+区和沟槽。N‑区被夹在两个P区之间。第一P区被连接到MT2端子，以及第二P区被连接至两个MT1端子。多个N+区位于第一P区内。沟槽位于两个栅极端子之间。
主权项：1.一种交流电三极管TRIAC半导体，包括：被夹在第一P区和第二P区之间的N-区，其中所述第一P区被耦合到MT2端子，并且所述第二P区被耦合到第一MT1端子和第二MT1端子；被设置在所述第一P区内的第一多个N+区；以及被设置在第一栅极端子和第二栅极端子之间的沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力特半导体(无锡)有限公司 高抗噪度TRIAC结构
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