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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2023-05-19
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN116469443B
主分类号：G11C17/16
分类号：G11C17/16;G11C29/12
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.08.08#实质审查的生效;2023.07.21#公开
摘要：本公开提供一种测试方法，测试方法包括：设置反熔丝模型为未熔断状态；配置反熔丝模型的熔断条件；将反熔丝模型被配置为，当反熔丝模型满足熔断条件时，将反熔丝模型的未熔断状态调整为熔断状态；其中，熔断条件包括反熔丝模型的编程电压大于或等于预设熔断电压且反熔丝模型的编程时间大于或等于预设熔断时间。在本公开中，通过使反熔丝模型在编程电压和编程时间满足熔断条件后熔断，降低了反熔丝模型与实际的反熔丝晶体管的物理特性的差异，从而提高了存储器电路仿真结果的可靠性。同时，通过在反熔丝模型满足熔断条件后，自动地调整反熔丝模型的状态，从而提高了存储器电路仿真的效率。
主权项：1.一种测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：设置反熔丝模型为未熔断状态；配置所述反熔丝模型的熔断条件；将所述反熔丝模型配置为，当所述反熔丝模型满足所述熔断条件时，将所述反熔丝模型的未熔断状态调整为熔断状态；其中，所述熔断条件包括所述反熔丝模型的编程电压大于或等于预设熔断电压且所述反熔丝模型的编程时间大于或等于预设熔断时间；所述测试方法还包括：调用所述反熔丝模型构建校验电路；以校验信号对所述校验电路进行仿真，得到校验结果；根据所述校验结果，确定所述反熔丝模型是否准确；在所述根据所述校验结果，确定所述反熔丝模型是否准确之后，所述测试方法还包括：当所述反熔丝模型准确时，调用所述反熔丝模型构建存储器电路；对所述存储器电路进行仿真，得到仿真结果，所述仿真结果用于表征所述存储器电路的功能是否正常。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 测试方法
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