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申请/专利权人：福吉米株式会社
申请日：2021-03-19
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN113493651B
主分类号：C09G1/02
分类号：C09G1/02;H01L21/306
优先权：["20200319 JP 2020-049610"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.02.28#实质审查的生效;2021.10.12#公开
摘要：本发明提供一种研磨方法及半导体基板的制造方法。所述研磨方法中，硅锗的研磨速度足够高、且抑制硅锗的蚀刻，从而硅锗的研磨速度的选择比足够高。本发明的研磨方法包括如下工序：使用研磨用组合物对包含硅锗的研磨对象物进行研磨，前述研磨用组合物包含磨粒、无机盐、及具有酸基的研磨促进剂，且pH为8以上。
主权项：1.一种研磨方法，其包括如下工序：使用研磨用组合物对包含硅锗的研磨对象物进行研磨，所述研磨用组合物包含磨粒、无机盐、氧化剂及具有酸基的研磨促进剂，且pH为8以上，其中，所述无机盐为选自由硝酸铵、硫酸铵、硫酸氢铵、磷酸三铵、磷酸氢二铵、及磷酸二氢铵组成的组中的至少一种，所述研磨促进剂为选自由N-2-羟乙基乙二胺-N,N’,N’-三乙酸、N,N,N’,N’-乙二胺四亚甲基膦酸、2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸、N,N-二2-羟乙基甘氨酸、天冬氨酸、及S,S-乙二胺-N,N’-二琥珀酸组成的组中的至少一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福吉米株式会社 研磨方法及半导体基板的制造方法
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