申请/专利权人：东科半导体(安徽)股份有限公司

申请日：2022-08-12

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN115602684B

主分类号：H01L27/06

分类号：H01L27/06;H01L23/552;H10N39/00;H01L21/82;H03H9/54;H03H3/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：本申请公开了一种集成结构极其制备方法，所述集成结构，包括：一衬底；一放大器上层结构，位于所述衬底之上，其中，所述放大器上层结构和所述衬底形成一放大器结构；一互连结构，位于所述放大器上层结构之上；一声波滤波器上层结构，位于所述互连结构之上，其中，所述声波滤波器上层结构与所述互连结构形成一声波滤波器；其中，所述放大器结构上的电极自所述放大器结构上穿过所述互连结构延伸至所述互连结构表面；所述互连结构内设置有电磁屏蔽结构以屏蔽所述放大器结构和所述声波滤波器结构之间的电磁干扰。通过上述结构，节约了版图面积，提高了射频功放模块集成度和功率密度，改善了功放模块高频性能。

主权项：1.集成结构的制备方法，其特征在于：包括：形成一放大器上层结构于衬底之上以形成一放大器结构；形成一互连结构于所述放大器上层结构之上；形成一声波滤波器上层结构于所述互连结构之上以形成一声波滤波器；其中，将所述放大器结构上的电极自所述放大器结构上穿过所述互连结构延伸至所述互连结构表面；在所述互连结构内设置电磁屏蔽结构以屏蔽所述放大器结构和所述声波滤波器结构之间的电磁干扰；其中，所述互连结构包括：第一介质层，位于所述放大器结构一侧；第二介质层，位于所述声波滤波器一侧；其中，所述电磁屏蔽结构位于所述第一介质层和所述第二介质层之间；其中，所述声波滤波器至少包括：一凹槽，位于所述第二介质层的上表面；一下电极，位于所述凹槽之上；一压电层，以磊晶或溅镀的方式生长在所述下电极之上；一上电极，以蒸镀或溅镀的方式生长在所述压电层之上；其中，所述下电极至少部分延伸至所述凹槽上沿外部的所述第二介质层的上表面；或还包括一支架，所述支架位于所述第二介质层的上表面且所述支架具有一支撑面与所述凹槽对应，所述下电极位于所述支架的支撑面之上，所述支架通过分子束磊晶、溅镀的方式成长在所述凹槽之上；其中，所述制备方法具体包括：步骤S101、制备HEMT器件-外延层，包括：在硅衬底上利用MOCVD依次生长成核层、缓冲层和势垒层，具体参数为1000umSi20nmAlN2umGaN25nmAlGaN；步骤S102、制备HEMT器件-金属电极，包括：在HEMT外延层上利用LPCVD生长25nm厚SiN作为掩模，对欧姆区域内的介质层采用ICP技术刻蚀SiN层，淀积TiAlNiAu金属叠层作为源漏极金属，并在850℃～880℃的高温中退火30s～40s以形成欧姆接触；对肖特基区域内的介质层采用ICP技术刻蚀SiN层，淀积栅金属，为NiAu叠层，并剥离，完成HEMT制备；步骤S103、制备互连层-第一介质层，包括：在HEMT器件上利用PECVD生长第一介质层，材料为SiO2或SIN，厚度为50nm-100um；步骤S104、制备互连层-电磁屏蔽结构，包括：在第一介质层上溅射金属层作为电磁屏蔽结构，材料为Al或Cu，厚度50nm-1um；接着在电磁屏蔽结构上生长第二介质层，材料为SiO2或SIN，厚度为50nm-100um，并刻蚀信号引出通孔和接地孔，填入金属Al或Cu形成互连线，接地孔间隔应小于射频信号波长的120倍；步骤S105、制备BAW滤波器-凹槽，包括：在前述互连层表面，利用ICP-RIE刻蚀凹槽，深度0.5um-2um，宽50um-300um；步骤S106、制备BAW滤波器-牺牲层，包括：在凹槽上表面，利用PECVD技术制备SiO2牺牲层，厚度0.5um-2um，并结合光刻、刻蚀等工艺去除凹槽外多余的SiO2；步骤S107、制备BAW滤波器-下电极，包括：在凹槽上方采用磁控溅射制备下电极，厚度200-500nm，材料为Mo、Pt或Au，并光刻、ICP-RIE刻蚀出电极图形；步骤S108、制备BAW滤波器-压电层，包括：在下电极上方采用磁控溅射制备压电薄膜，厚度为0.4um-2um，材料为AlN、GaN或AlGaN,并光刻、ICP-RIE进行图形化；步骤S109、制备BAW滤波器-上电极，包括：在压电层上方采用磁控溅射制备上电极，厚度200nm-500nm，材料为Mo、Pt或Au，并光刻、ICP-RIE刻蚀出电极图形；步骤S1010、制备BAW滤波器-牺牲层释放，包括：采用湿法腐蚀技术，去除SiO2牺牲层，完成BAW滤波器制备。

全文数据：

权利要求：

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