申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

申请日：2024-04-16

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN118073192B

主分类号：H01L21/308

分类号：H01L21/308;H01L21/762;H01L29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2024.06.11#实质审查的生效;2024.05.24#公开

摘要：本申请实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底的顶表面上依次形成第一掩膜材料层、第二掩膜材料层和图案化的光刻胶层；其中，第一掩膜材料层至少包括第一硬掩膜，第二掩膜材料层至少包括第二硬掩膜；以图案化的光刻胶层为掩膜，对第二掩膜材料层进行第一刻蚀，以形成图案化的第二硬掩膜；以图案化的第二硬掩膜为掩膜，对第一掩膜材料层和衬底进行第二刻蚀，以在衬底中形成沟槽；其中，在第二刻蚀的刻蚀条件下，第二硬掩膜的刻蚀速率小于第一硬掩膜的刻蚀速率。如此，可以增加第一硬掩膜的高度，进而增加台阶的高度，使得浅沟槽隔离结构与器件的有源区之间的高度差得到有效保证。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底的顶表面上依次形成第一掩膜材料层、第二掩膜材料层和图案化的光刻胶层；其中，所述第一掩膜材料层至少包括第一硬掩膜以及位于所述衬底和所述第一硬掩膜之间的第二氧化层；所述第二掩膜材料层至少包括第二硬掩膜、位于所述图案化的光刻胶层和所述第二硬掩膜之间的抗反射层以及位于所述第二硬掩膜和所述第一硬掩膜之间的第一氧化层；所述第二硬掩膜为碳层；所述第一硬掩膜的厚度为1000埃-1600埃；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述第二掩膜材料层进行第一刻蚀，以形成图案化的第二硬掩膜；所述进行第一刻蚀包括：以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述抗反射层，以暴露所述第二硬掩膜的部分表面；以剩余的所述抗反射层为掩膜，刻蚀所述第二硬掩膜，以形成所述图案化的第二硬掩膜；以所述图案化的第二硬掩膜为掩膜，对所述第一掩膜材料层和所述衬底进行第二刻蚀，以在所述衬底中形成沟槽；其中，在所述第二刻蚀的刻蚀条件下，所述第二硬掩膜的刻蚀速率小于所述第一硬掩膜的刻蚀速率；所述进行第二刻蚀包括：以所述图案化的第二硬掩膜为掩膜，依次刻蚀所述第二掩膜材料层中的位于所述第二硬掩膜和所述第一硬掩膜之间的第一氧化层、所述第一硬掩膜、所述第二氧化层和所述衬底，以形成所述沟槽；去除所述图案化的第二硬掩膜，以暴露所述第一氧化层的表面；沉积隔离材料，所述隔离材料填充于所述沟槽中，并覆盖所述第一氧化层和所述第一掩膜材料层；对所述隔离材料执行化学机械研磨工艺；其中，执行化学机械研磨后的位于所述沟槽中的所述隔离材料构成浅沟槽隔离结构，位于所述浅沟槽隔离结构上的所述隔离材料构成台阶；所述台阶的顶表面低于所述第一氧化层的顶表面且高于所述第一硬掩膜的顶表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD