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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体装置结构，包括的基板含有邻接的n型金属氧化物半导体区与p型金属氧化物半导体区、浅沟槽隔离越过p型金属氧化物半导体区与n型金属氧化物半导体区，第一浅沟槽隔离的第一底部自n型金属氧化物半导体区朝p型金属氧化物半导体区倾斜。半导体装置结构亦包括第一鳍状物位于p型金属氧化物半导体区中，第一源极漏极外延结构位于第一鳍状物上、第二鳍状物位于n型金属氧化物半导体区中、第二源极漏极外延结构位于第二鳍状物上、第一介电结构位于第一及第二源极漏极外延结构之间，第一介电结构的一部分埋置于第一浅沟槽隔离中。半导体装置结构还包括导电结构位于第一及第二源极漏极外延结构与第一介电结构上。
主权项：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：一基板，包含邻接的一n型金属氧化物半导体区与一p型金属氧化物半导体区；一第一浅沟槽隔离，越过该p型金属氧化物半导体区与该n型金属氧化物半导体区，该第一浅沟槽隔离的一第一底部自该n型金属氧化物半导体区朝该p型金属氧化物半导体区倾斜；一第一鳍状物，位于该p型金属氧化物半导体区中；一第一源极漏极外延结构，位于该第一鳍状物上；一第二鳍状物，位于该n型金属氧化物半导体区中；一第二源极漏极外延结构，位于该第二鳍状物上；一第一介电结构，位于该第一源极漏极外延结构与该第二源极漏极外延结构之间，且该第一介电结构的一部分埋置于该第一浅沟槽隔离中；以及一导电结构，位于该第一源极漏极外延结构、该第二源极漏极外延结构、与该第一介电结构上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置结构
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