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申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：半导体装置100具有半导体衬底1、多个元件沟槽ET和多个末端沟槽TT。半导体衬底1具有元件区域1a和末端区域1b。元件沟槽ET具有比作为第2扩散层的p基极层5b的厚度大的深度。末端沟槽TT具有比作为第1扩散层的p扩散层5e的厚度大的深度。将多个元件沟槽ET彼此的间隔设为第1沟槽间隔L1。将多个元件沟槽ET中的配置于最靠近末端区域1b处的元件沟槽ET与多个末端沟槽TT中的配置于最靠近元件区域1a处的末端沟槽TT之间的间隔设为第2沟槽间隔L2。此时，第1沟槽间隔L1与第2沟槽间隔L2呈L1≤L2≤1.5×L1的关系。
主权项：1.一种半导体装置，其具有：半导体衬底，其具有彼此相对的第1面和第2面，并且具有元件区域和以将所述元件区域包围的方式设置的末端区域；多个元件沟槽，其设置于所述元件区域，构成为从所述第1面朝向所述第2面延伸；以及多个末端沟槽，其设置于所述末端区域，构成为从所述第1面朝向所述第2面延伸，所述半导体衬底包含第1导电型的漂移层、在所述末端区域配置于所述第1面且呈与所述漂移层的所述第1导电型不同的第2导电型的第1扩散层、在所述元件区域配置于所述第1面且呈所述第2导电型的第2扩散层，所述元件沟槽具有比所述第2扩散层的厚度大的深度，所述末端沟槽具有比所述第1扩散层的厚度大的深度，在将多个所述元件沟槽中的配置于最靠近所述末端区域处的所述元件沟槽和与配置于最靠近所述末端区域处的所述元件沟槽相邻的所述元件沟槽之间的间隔设为第1沟槽间隔L1，将多个所述元件沟槽中的配置于最靠近所述末端区域处的所述元件沟槽与多个所述末端沟槽中的配置于最靠近所述元件区域处的所述末端沟槽之间的间隔设为第2沟槽间隔L2时，所述第1沟槽间隔L1与所述第2沟槽间隔L2呈L1≤L2≤1.5×L1的关系。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
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