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申请/专利权人：鸿海精密工业股份有限公司
摘要：一种制作半导体装置的方法，包含提供基板，基板为碳化硅基底，基板由下而上依序包含N型重掺杂基层、N型轻掺杂层、P型阱区域，以及N型重掺杂层。接着，使用图案化遮罩蚀刻基板，以形成栅极沟槽以及由栅极沟槽所定义的通道区域，其中通道区域被图案化遮罩所覆盖。接着，对栅极沟槽进行离子注入，以在栅极沟槽的底面形成遮蔽注入层。对栅极沟槽进行氧化工艺，以形成栅极氧化物层，其中栅极沟槽的底面的氧化速率大于栅极沟槽的侧壁的氧化速率，以及形成栅极电极于栅极沟槽中。一种半导体装置亦在此揭露。制作半导体装置的方法利用自对准离子注入工艺在栅极沟槽的底面形成遮蔽注入层，以降低沟槽式栅极的半导体装置在栅极氧化物层底部的电场。
主权项：1.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，包含：提供基板，该基板为碳化硅基底，该基板由下而上依序包含N型重掺杂基层、N型轻掺杂层、P型阱区域，以及N型重掺杂层；使用图案化遮罩蚀刻该基板，以形成至少一栅极沟槽以及由该至少一栅极沟槽所定义的通道区域，其中该通道区域被该图案化遮罩所覆盖；对该至少一栅极沟槽进行离子注入，以在该至少一栅极沟槽的底面形成遮蔽注入层；对该至少一栅极沟槽进行氧化工艺，以形成栅极氧化物层，其中该至少一栅极沟槽的底面的氧化速率大于该至少一栅极沟槽的侧壁的氧化速率；以及形成至少一栅极电极于该至少一栅极沟槽中。
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百度查询： 鸿海精密工业股份有限公司 制作半导体装置的方法与半导体装置
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