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申请/专利权人：华东师范大学;中国科学院上海技术物理研究所
摘要：本发明公开了一种基于深能级缺陷态的CdTe宽光谱探测器及其工作方法，特点是使用分子束外延系统并通过范德华外延方式调控制备具有深能级的CdTe外延薄膜。采用简单的水溶法，可实现CdTe外延薄膜的大面积剥离与转移。将CdTe外延薄膜转移到表面含有SiO2薄层膜的重掺Si晶圆衬底上，再利用标准的光刻工艺，结合金属热蒸镀技术实现所设计的CdTe宽光谱探测器。利用本发明，可使CdTe光电探测器的探测范围得到拓展，截止波长从原来的870纳米拓展到1.65微米，实现由紫外到长波近红外波段的宽谱探测，故在光纤通信波段1.3到1.6微米的光电器件，以及中心波长为1.25微米和1.6微米的白天和夜间微弱辉光的成像应用等方面具有巨大应用前景。
主权项：1.一种基于深能级缺陷态的CdTe宽光谱探测器，该探测器基于晶体管结构，其特征在于，使用分子束外延系统，在范德华衬底上制备具有深能级缺陷态的CdTe外延薄膜；将所述CdTe外延薄膜转移到表面含有SiO2薄层膜的重掺Si晶圆衬底上作为沟道材料；采用氩离子刻蚀和光刻将CdTe外延薄膜图形化，利用光刻和金属热蒸镀法制备CrAu金属电极作为源漏电极，在划去氧化层的重掺硅上涂Ag浆作为栅电极，即构成所述的CdTe宽光谱探测器；其中：所述的CdTe外延薄膜，是通过控制分子束外延系统中的束流比为CdTe:Te=1:1.9-2.1和生长温度为270-300℃制得的CdTe外延薄膜，厚度为500纳米。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东师范大学 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于深能级缺陷态的CdTe宽光谱探测器及其工作方法
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