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申请/专利权人：清华大学
摘要：本申请提供了一种氧化钨多电阻态调控方法，所述方法包括：将氧化钨置于包括氢气的气体环境中，所述氢气的含量为3vol.％至100vol.％；向针尖状电极施加不同的电压与所述氧化钨形成不同的偏压；所述氧化钨与所述针尖状电极接触，在氧化钨中引入氢离子或者将氧化钨中的氢离子移出。三氧化钨是一种绝缘的氧化物，由于电子掺杂作用，随着注入氢离子的浓度或计量提高，其电阻降低。本申请通过控制针尖状电极上电压正负、大小和反应时间，可以调节三氧化钨中的氢离子浓度，进而精准控制三氧化钨的电阻，实现多阻态的调控。避免了液体的离子介质的引入，并利用针尖状电极的小尺寸，可以实现纳米尺度的氢离子注入，解决了该类器件难以小型化的问题。
主权项：1.一种氧化钨多电阻态调控方法，其特征在于，所述方法包括：将氧化钨置于包括氢气的气体环境中，所述氢气的含量为3vol.%至100vol.%；向针尖状电极施加不同的电压与所述氧化钨形成不同的偏压；所述氧化钨与所述针尖状电极接触，在氧化钨中引入氢离子或者将氧化钨中的氢离子移出；所述方法在0℃至50℃下调控氧化钨的电阻态;所述氧化钨置于基底上，所述基底的电阻率为0.1Ωcm至0.001Ωcm；所述基底选自Nb:STO基底、Nb:TiO2基底和掺杂硅中的任意一种或更多种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 一种氧化钨多电阻态调控方法
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