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一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法 

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申请/专利权人:哈尔滨理工大学

摘要:本发明涉及SiC陶瓷的3D打印领域,尤其是涉及一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法,其包括以下步骤:1将SiC粉体与粘结剂在混合机中混合均匀,得到复合粉体,其中所述粘结剂是环氧树脂纤维与环氧树脂颗粒的混合物;2将步骤1的复合粉体使用选择性激光烧结技术SLS进行3D打印,得到SiC陶瓷初坯;3将步骤2的SiC陶瓷初坯进行脱脂和高温烧结处理,得到SiC多孔陶瓷;4将步骤3的SiC多孔陶瓷使用先驱体浸渍裂解技术PIP进行致密化,得到低孔隙率SiC陶瓷基复合材料。通过本发明的方法,成功获得了具有较低的孔隙率和较高的致密度的SiC陶瓷基复合材料。

主权项:1.一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将SiC粉体与粘结剂在混合机中混合均匀,得到复合粉体,其中所述粘结剂是环氧树脂纤维与环氧树脂颗粒的混合物,其中所述SiC粉体的平均粒径为50μm,所述环氧树脂纤维的平均直径为1-3μm,长度为0.5-2mm,所述环氧树脂颗粒的平均粒径为3-5µm,所述环氧树脂纤维与环氧树脂颗粒均为双酚A型环氧树脂E-12,所述粘结剂中环氧树脂纤维与环氧树脂颗粒的质量比为1:4-8;(2)将步骤(1)的复合粉体使用SLS进行3D打印,得到SiC陶瓷初坯;(3)将步骤(2)的SiC陶瓷初坯进行脱脂和高温烧结处理,得到SiC多孔陶瓷,所述脱脂处理包括以5℃min的升温速率从室温升温至300℃,以3℃min的升温速率从300℃升温至600℃,和以5℃min的升温速率从600℃升温至700℃;(4)将步骤(3)的SiC多孔陶瓷使用PIP进行致密化,得到低孔隙率SiC陶瓷基复合材料。

全文数据:

权利要求:

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