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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件可以包括：衬底，该衬底包括有源图案；源极漏极图案，该源极漏极图案位于有源图案上；有源接触，该有源接触位于源极漏极图案上；下电力线路，该下电力线路位于衬底中；下接触，该下接触将有源接触垂直地连接到下电力线路；导电层，该导电层位于下接触与下电力线路之间；以及电力输送网络层，该电力输送网络层位于衬底的底表面上。导电层可以包括硅Si和第一元素。第一元素可以包括过渡金属或类金属。第一元素的浓度可以在从下接触朝向下电力线路的方向上降低。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；源极漏极图案，所述源极漏极图案位于所述有源图案上；有源接触，所述有源接触位于所述源极漏极图案上；下电力线路，所述下电力线路位于所述衬底中；下接触，所述下接触将所述有源接触垂直地连接到所述下电力线路；导电层，所述导电层位于所述下接触与所述下电力线路之间；以及电力输送网络层，所述电力输送网络层位于所述衬底的底表面上，其中，所述导电层包括硅和第一元素，所述第一元素包括过渡金属或类金属，并且所述第一元素的浓度在从所述下接触朝向所述下电力线路的方向上降低。
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