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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请公开了一种接触孔的制作方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有沟槽，沟槽和衬底表面形成有绝缘层；在沟槽之间的绝缘层和衬底中形成底部通孔，底部通孔的深度小于沟槽的深度；在沟槽和底部通孔中填充金属层，底部通孔中的金属层形成底部接触孔；在绝缘层和金属层上方形成至少一层层间介电层，每层层间介电层中形成有金属引出层，每层金属引出层的底部与下一层金属引出层的顶部接触，每层金属引出层的顶部与上一层金属引出层的底部接触，最底层的金属引出层的底部与所述底部接触孔的顶部接触，每层金属引出层的宽度大于底部接触孔的宽度，至少一层金属引出层和底部接触孔的高度之和为H，底部接触孔的宽度为W1，HW1＞5。
主权项：1.一种接触孔的制作方法，其特征在于，所述方法应用于IGBT器件的制作工艺中，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有沟槽，所述沟槽和所述衬底表面形成有绝缘层；在所述沟槽之间的绝缘层和衬底中形成底部通孔，所述底部通孔的深度小于所述沟槽的深度；在所述沟槽和所述底部通孔中填充金属层，所述底部通孔中的金属层形成底部接触孔；在所述绝缘层和金属层上方形成至少一层层间介电层，每层层间介电层中形成有金属引出层，每层金属引出层的底部与下一层金属引出层的顶部接触，每层金属引出层的顶部与上一层金属引出层的底部接触，最底层的金属引出层的底部与所述底部接触孔的顶部接触，每层金属引出层的宽度大于底部接触孔的宽度，所述至少一层金属引出层和所述底部接触孔的高度之和为H，所述底部接触孔的宽度为W1，HW1＞5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 接触孔的制作方法
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