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申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：衬底；第一接触层，设置在衬底上；栅极结构，设置在第一接触层上；隔离层，设置在栅极结构上；导电沟道，贯穿隔离层、栅极结构设置在第一接触层上；绝缘层，设置在导电沟道的内侧；蚀刻停止层，位于导电沟道与绝缘层之间，在垂直于衬底的方向，蚀刻停止层的高度与绝缘层的高度不同；第二接触层，设置在蚀刻停止层与绝缘层上，与导电沟道连接，半导体结构的结构与性能完整，有利于提升产品良品率，适用于半导体结构向更小特征尺寸的发展需求。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；第一接触层，设置在所述衬底上；栅极结构，设置在所述第一接触层上；隔离层，设置在所述栅极结构上；导电沟道，贯穿所述隔离层、所述栅极结构设置在所述第一接触层上；绝缘层，设置在所述导电沟道的内侧；蚀刻停止层，位于所述导电沟道与绝缘层之间，在垂直于所述衬底的方向，所述蚀刻停止层的高度与所述绝缘层的高度不同；第二接触层，设置在所述蚀刻停止层与所述绝缘层上，与所述导电沟道连接。
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百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体结构及其制作方法
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