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等离子体处理装置 

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申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

摘要:等离子体处理装置具备载置台、升降机构、高频电源以及控制部。载置台具有第一载置面和第二载置面,在第一载置面载置基板,在第二载置面载置环构件。升降机构使环构件进行升降。高频电源连接于载置台。控制部执行清洁,所述清洁包括进行分离的工序和进行去除的工序。在进行分离的工序中,使第二载置面与环构件分离。在进行去除的工序中,在进行分离的工序之后生成等离子体,以将沉积于载置台和环构件的沉积物去除。在进行分离的工序中,设定第二载置面与环构件的分离距离,以使得在第一载置面的外缘与环构件的下表面的内缘之间的区域生成的等离子体的密度比在其它区域生成的等离子体的密度高。

主权项:1.一种等离子体处理装置,具备:载置台,其具有第一载置面和第二载置面,在所述第一载置面载置基板,在所述第二载置面载置包围所述第一载置面的外周的环构件;升降机构,其使所述环构件相对于所述第二载置面进行升降;高频电源,其连接于所述载置台;以及控制部,其中,所述控制部构成为执行清洁,所述清洁包括以下工序:使用所述升降机构使所述第二载置面与所述环构件分离;以及在进行所述分离的工序之后,通过从所述高频电源向所述载置台供给高频电力来生成等离子体,以将沉积于所述载置台和所述环构件的沉积物去除,其中,在进行所述分离的工序中,设定所述第二载置面与所述环构件的分离距离,以使得在所述第一载置面的外缘与所述环构件的下表面的内缘之间的区域生成的等离子体的密度比在其它区域生成的等离子体的密度高。

全文数据:

权利要求:

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