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申请/专利权人：重庆奕能科技有限公司
摘要：本申请提供了一种半导体器件，包括半导体层与沟槽栅极结构，半导体层具有相对的第一表面和第二表面，包括：源区，自第一表面向第二表面延伸；漂移区和体区，至少部分漂移区位于体区和第二表面之间，体区的第一部分位于源区和漂移区之间；其中，在第一表面内，沟槽栅极结构整体沿第一方向延伸，并具有多个弯折区，源区与沟槽栅极结构的至少一个弯折区的第一侧壁和或第二侧壁邻接，以使源区具有与相应的弯折区相匹配的弯折侧壁。本申请的半导体器件通过合理设置沟槽栅极结构的延伸形状使其具有多个弯折区，并设置源区位于弯折区处，使得器件运行过程中的热量可以及时有效的沿至少两个方向分散到器件的各区域，以提高器件的可靠性和稳健性。
主权项：1.一种半导体器件，包括半导体层与沟槽栅极结构，所述半导体层具有相对的第一表面和第二表面，所述沟槽栅极结构的至少部分位于从所述半导体层的所述第一表面向第二表面延伸的沟槽中，所述半导体层包括：源区，自所述第一表面向所述第二表面延伸；漂移区和体区，至少部分所述漂移区位于所述体区和所述半导体层的第二表面之间，所述体区的第一部分位于所述源区和所述漂移区之间；其中，在所述第一表面内，所述沟槽栅极结构具有多个弯折区，且所述沟槽栅极结构整体沿第一方向延伸，所述源区与所述沟槽栅极结构的至少一个弯折区的第一侧壁和或第二侧壁邻接，以使所述源区具有与相应的所述弯折区相匹配的弯折侧壁。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆奕能科技有限公司 半导体器件
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