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硅片形貌图构建方法及装置 

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申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

摘要:本说明书实施例提供了一种硅片形貌图构建方法及装置,其中,方法包括:采集硅片表面高度,并沿工作台扫描方向进行平均化处理,绘制硅片高度图;基于所述硅片高度图,进行曝光狭缝区域的平面拟合,绘制硅片形貌图;基于所述硅片形貌图,计算硅片的曝光狭缝区域的拟合平面,并生成工件台垂向运动轨迹。本公开能够针对光刻设备静态曝光应用场景建立硅片表面的形貌图。

主权项:1.一种硅片形貌图构建方法,其特征在于,包括:采集硅片表面高度,并沿工作台扫描方向进行平均化处理,绘制硅片高度图;基于所述硅片高度图,进行曝光狭缝区域的平面拟合,绘制硅片形貌图;基于所述硅片形貌图,计算硅片的曝光狭缝区域拟合平面的平均高度和平均倾斜,并生成工件台垂向运动轨迹。

全文数据:

权利要求:

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