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申请/专利权人：天津理工大学
摘要：本发明公开了一种GaO‑InGaAs紫外‑短波红外双波段光电探测器及其制备方法。本发明的探测器的GaO薄膜对深紫外光十分敏感，且对280nm以上的波长具有良好的透射效果，不会影响探测器对于短波红外波段的响应，实现了紫外和短波红外的双波段探测。同时，在材料上实现GaO‑InGaAs集成制备。
主权项：1.一种GaO-InGaAs紫外-短波红外双波段光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：利用MOCVD或者MBE的沉积方式在N型InP衬底上依次生长N型InP缓冲层、非故意掺杂InGaAs吸收层和N型InP盖层，其中，非故意掺杂InGaAs吸收层的感光波长为900～1700nm的短波红外波段；步骤二：利用PECVD的淀积方式在所述N型InP盖层的上表面沉积SiN薄膜；步骤三：利用光刻胶在所述SiN薄膜的表面形成Zn扩散窗口图形，利用刻蚀的方法去除Zn扩散窗口图形上的所述SiN薄膜，以使下方的所述N型InP盖层暴露出来，刻蚀完成后去除光刻胶，形成Zn扩散窗口；步骤四：利用MOCVD或者炉管法在所述Zn扩散窗口区域进行Zn扩散，形成P型Zn扩散区域，其中，P型Zn扩散区域自上而下依次从N型InP盖层到非故意掺杂InGaAs吸收层内，在非故意掺杂InGaAs吸收层的深度为0.1～0.5μm；步骤五：利用电子束蒸镀或者磁控溅射的方法在所有裸露在外的上表面上蒸镀金属，退火，得到P金属电极，其上表面的接触为欧姆接触；步骤六：在所述N型InP衬底的背面进行减薄和抛光；步骤七：利用磁控溅射的方法在所述N型InP衬底的背面淀积GaO薄膜；步骤八：利用光刻胶在所述GaO薄膜的背面形成一个环形的N金属图形，利用电子束蒸发或者磁控溅射的方法在所述N金属图形上蒸镀金属并进行金属剥离，退火，得到N金属电极，N金属电极和GaO薄膜的接触为欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津理工大学 一种GaO-InGaAs紫外-短波红外双波段光电探测器及其制备方法
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