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申请/专利权人：安徽芯塔电子科技有限公司
摘要：本发明提供了一种自对准的碳化硅MOSFET器件及其制备方法。本发明通过一种完全自对准的掩膜形成方式，使碳化硅MOSFET器件的基区、源区、体区、沟道区的对准偏差均为0，可有效缩减平面型碳化硅MOSFET器件的元胞尺寸，从而提高其元胞密度。根据此制备方法得到的碳化硅MOSFET器件具有宽度随着深度增加而逐渐变宽的JFET区，从而降低了JFET区的导通电阻，增强器件导通电流的能力。
主权项：1.一种制备自对准的碳化硅MOSFET器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在第一导电类型碳化硅衬底上生长第一导电类型碳化硅外延层；S2.在所述第一导电类型碳化硅外延层上形成掩膜层，所述掩膜层包括第一掩膜层和第二掩膜层，所述第一掩膜层与所述第一导电类型碳化硅外延层接触设置，所述第二掩膜层设置在所述第一掩膜层远离所述第一导电类型碳化硅衬底的表面上；S3.利用所述掩膜层采用自对准方式通过离子注入形成第二导电类型基区和第一导电类型源区；S4.在所述掩膜层的侧面形成侧墙，以所述侧墙的侧面为自对准条件去除未被所述侧墙覆盖的所述第一导电类型源区部分，通过离子注入在所述第二导电类型基区中形成第二导电类型体区；S5.去除所述第一掩膜层的边缘部分得到第三掩膜层，所述第三掩膜层在所述第二掩膜层上的正投影的边缘线位于所述第二掩膜层内部，所述第三掩膜层和所述第二掩膜层构成自对准沟道掩膜；S6.利用所述自对准沟道掩膜通过带有倾斜角度的离子注入形成第二导电类型沟道区；S7.去除所述自对准沟道掩膜。
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权利要求：
百度查询： 安徽芯塔电子科技有限公司 一种自对准的碳化硅MOSFET器件及其制备方法
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