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申请/专利权人：重庆大学

摘要：本发明公开一种基于开关过程的SiCMOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法，包括以下步骤：1对六相逆变器中SiCMOSFET的暂态开关过程进行建模，得到SiCMOSFET在暂态开关过程中的栅源电压ugs；2建立六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型；3建立六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型；4根据六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型，计算出六相逆变器的差模电压和共模干扰电压。本发明基于SiCMOSFET暂态开关函数的建模方法，物理概念清晰，计算方法简单，能对六相逆变器电磁干扰源进行建模表征源头。

主权项：1.一种基于开关过程的SiCMOSFET六相逆变器传导电磁干扰建模方法，其特征在于，包括以下步骤：1对六相逆变器中SiCMOSFET的暂态开关过程进行建模，得到SiCMOSFET在暂态开关过程中的栅源电压ugs；2建立六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型；3根据六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型，建立六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型；4根据六相逆变器的差模和共模传导干扰源的解析计算模型，计算出六相逆变器的差模电压和共模干扰电压；建立六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型的步骤包括：s1计算六相逆变器中每一相SPWM信号开通和关断的电角度，即： 式中，k为自然数；θj,1,k和θj,2,k为j相第k次开始导通和开始关闭时载波的电角度，其中j＝A,B,C,U,V,W；ωs为载波频率；ω1为调制波频率；a为调制度；s2建立SiCMOSFET在暂态开关过程中每一相开关函数表达式，即： 式中，Sj为j相开关函数表达式；θj,1,kωs+t1为SiCMOSFET进入开通延时阶段的时刻；θj,1,kωs+t2为SiCMOSFET进入电流上升阶段的时刻；θj,1,kωs+t3为SiCMOSFET进入第一米勒平台阶段的时刻；θj,1,kωs+t4为SiCMOSFET进入开通振荡阶段的时刻；θj,2,kωs+t5为SiCMOSFETSiCMOSFET接收到关断信号的时刻；θj,2,kωs+t6为SiCMOSFET进入关断延迟阶段的时刻；θj,2,kωs+t7为SiCMOSFET进入第二米勒平台阶段的时刻；θj,2,kωs+t8为SiCMOSFET进入电流下降阶段的时刻；θj,2,kωs+t9为SiCMOSFET进入截止延迟阶段的时刻；s3建立六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型；六相逆变器中各相桥臂上桥臂电力电子器件开通时，各相的开关函数均为1，上桥臂电力电子器件关断时，各相的开关函数均为0‘各桥臂功率器件开关状态与瞬时电压的关系为： 式中，Vdc为直流侧电源的幅值；Uj为瞬时电压；根据公式8，六相逆变器的差模传导干扰源模型和共模传导干扰源模型为： 式中，Uxy为六相逆变器xy两相之间的差模电压；x，y＝A，B，C，U，V，W；且x≠y；Vdc为直流侧电源的幅值；Ucm为六相逆变器对地的共模电压。

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