买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：恒泰柯半导体(上海)有限公司

摘要：本发明提供一种深沟槽MOSFET终端结构及其制备方法，深沟槽MOSFET终端结构包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；多个第一沟槽；第一介质层；第一源极多晶硅层；第二导电类型的第一阱区；多个第二沟槽；第二介质层；第二源极多晶硅层；栅极多晶硅层；栅氧化层及绝缘隔离层。本发明的深沟槽MOSFET终端结构通过在终端保护区域的第一沟槽底部设置第二导电类型的第一阱区作为JTE结构，使得第一沟槽底部的电场得以分散，纵向电场在终端保护区得以横向延伸，有效地提高了深沟槽MOSFET终端结构的耐压特性，终端保护区的耐压高于有源区的耐压，不受有源区耐压的限制，可以有效进行终端保护。

主权项：1.一种深沟槽MOSFET终端结构，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底，所述第一导电类型的衬底包括有源区及位于所述有源区外围的终端保护区；第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型的衬底的上表面，且覆盖所述有源区及所述终端保护区；多个第一沟槽，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述终端保护区内；多个所述第一沟槽于所述终端保护区内间隔排布；相邻所述第一沟槽之间的间距相同，或自所述有源区向远离所述有源区的方向相邻所述第一沟槽之间的间距逐渐增大；第一介质层，覆盖各所述第一沟槽的侧壁及底部；其中，所述第一介质层包括氧化硅层；第一源极多晶硅层，位于各所述第一沟槽内，且位于所述第一介质层远离所述第一导电类型的外延层的表面；多个第二导电类型的第一阱区，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于各所述第一沟槽的底部；相邻所述第二导电类型的第一阱区于相邻所述第一沟槽之间部分交迭重合；多个第二沟槽，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述有源区内；多个所述第二沟槽于所述有源区内间隔排布，且相邻所述第一沟槽之间的间距相同时，相邻所述第二沟槽之间的间距与相邻所述第一沟槽之间的间距相同；第二介质层，位于各所述第二沟槽的侧壁及底部；第二源极多晶硅层，位于各所述第二沟槽内，且位于所述第二介质层远离所述第一导电类型的外延层的表面；栅极多晶硅层，位于各所述第二沟槽内，且位于所述第二源极多晶硅层的上方或位于所述第二源极多晶硅层的上部外围；栅氧化层，位于各所述第二沟槽的侧壁，且位于所述栅极多晶硅层与所述第一导电类型的外延层之间；绝缘隔离层，位于各所述第二沟槽内，且位于所述栅极多晶硅层与所述第二源极多晶硅层之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恒泰柯半导体(上海)有限公司 深沟槽MOSFET终端结构及其制备方法