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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要：降低导通电阻的半导体装置，具备：从下起依次设置的第一电极、第一及第二半导体层、第一半导体区域、第二半导体区域；第一绝缘膜，设在从第二半导体区域之上经第二及第一半导体区域而到达第二半导体层的沟槽内，包含第一绝缘材料；第二电极，在沟槽内隔着第一绝缘膜与第二半导体层对置；第二绝缘膜，在第五绝缘膜与第二电极侧面之间，设在第二电极的下端起的高度40％的位置与第二电极的上端的位置之间，包含第二绝缘材料；第三电极，设在第二电极、第一以及第二绝缘膜之上，隔着栅极绝缘膜与第一半导体区域对置；层间绝缘膜，设在第三电极之上；第四电极，设在层间绝缘膜之上，比第二电极的高度40％的位置靠下的第一绝缘膜仅包含第一绝缘材料。
主权项：1.一种半导体装置，具备：第一电极；第一导电型的第二半导体层，设置在所述第一电极之上；第二导电型的第一半导体区域，设置在所述第二半导体层之上；第一导电型的第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域之上；第一绝缘膜，设置在从所述第二半导体区域之上经过所述第二半导体区域及所述第一半导体区域而到达所述第二半导体层的沟槽内，并包含第一绝缘材料；第二电极，在所述沟槽内，隔着所述第一绝缘膜而与所述第二半导体层对置地设置；第五绝缘膜，设置在所述第二电极与所述第二半导体层之间，包含所述第一绝缘材料；第二绝缘膜，设置在所述第二电极之间，并包含比所述第一绝缘材料的介电常数高的第二绝缘材料；第三电极，设置在所述第二电极及所述第一绝缘膜之上，隔着栅极绝缘膜而与所述第一半导体区域对置地设置；层间绝缘膜，设置在所述第三电极之上；以及第四电极，设置在所述层间绝缘膜之上，在所述沟槽的下部，在至少一部分中未设置所述第二绝缘膜，所述第二绝缘膜的上端与所述第一电极的距离比所述第二电极的上端与所述第一电极的距离长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置
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