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申请/专利权人：深圳大道半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种像素隔离结构及其制造方法，制造方法包括以下步骤：S1、在基板上设置导电电路；S2、将发光芯片设置在基板的第一表面上并与导电电路导电连接；发光芯片在基板上排布形成发光阵列；S3、在基板上设置芯片隔离墙；发光阵列与芯片隔离墙形成发光单元；S4、在发光单元上设置透光隔离墙；S5、将透光膜放置在发光单元上，覆盖发光单元和透光隔离墙；S6、在透光膜上均匀施压，使透光隔离墙嵌入透光膜，透光膜紧贴在发光单元表面和透光隔离墙表面。本发明的像素隔离结构的制造方法，避免了在加工过程中对发光芯片可能的损伤，不仅降低了制造难度，也大幅提升了制造良率，使成本大幅下降。
主权项：1.一种像素隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供基板，在所述基板上设置导电电路；所述基板包括相对的第一表面和第二表面；S2、将若干发光芯片设置在所述基板的第一表面上并与所述导电电路导电连接；若干所述发光芯片在所述基板上排布形成发光阵列；S3、在所述基板上设置芯片隔离墙，使所述芯片隔离墙围设在所述发光阵列的外侧并填充在相邻的所述发光芯片之间；所述发光阵列与所述芯片隔离墙形成发光单元；S4、在所述发光单元上设置透光隔离墙，使所述透光隔离墙对应在所述芯片隔离墙的上方；S5、提供预固化的透光膜，将所述透光膜放置在所述发光单元上，覆盖所述发光单元和透光隔离墙；S6、在所述透光膜上均匀施压，使所述透光隔离墙嵌入所述透光膜，所述透光膜紧贴在所述发光单元表面。
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百度查询： 深圳大道半导体有限公司 像素隔离结构及其制造方法
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