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申请/专利权人：IMEC非营利协会

摘要：一种用于形成集成电路器件的方法，包括：a.在基板的正面上形成半导体器件，该半导体器件包括：在该基板的正面上的器件层，该器件层包括第一有源器件，该基板包括：浅沟槽隔离结构，其中相邻的浅沟槽隔离结构通过包括基板材料的分隔部彼此分隔开，由在第一分隔部中延伸穿过基板材料的牺牲插塞填充的通孔，并且其中该牺牲插塞接触第一有源器件的源极或漏极触点，b.从基板的背面去除基板材料，c.沉积覆盖基板的背面的衬层，d.各向异性地蚀刻该衬层，以暴露牺牲插塞的第一端，同时将衬层的至少一部分保持在分隔部中，e.相对于衬层选择性地去除牺牲插塞，以及f.在通孔中提供导电材料，从而电耦合到埋入式电源轨。

主权项：1.一种用于形成集成电路器件98的方法，包括：a.在基板1的正面11上形成901半导体器件，所述半导体器件包括：在所述基板1的正面11上的器件层2，所述器件层2包括第一有源器件20，以及在所述器件层2的正面28上的正面互连层80，所述器件层2的正面28背向所述基板1，所述基板1包括：多个浅沟槽隔离结构139，131，132，133，所述多个浅沟槽隔离结构在基板1的正面11处嵌入在所述基板1的第一区段13中的基板材料100中，其中相邻的浅沟槽隔离结构139，131，132，133通过包括所述基板材料100的分隔部1391，1312，1323被彼此分隔开，由牺牲插塞4填充的通孔130的至少一部分，所述牺牲插塞在将相邻的浅沟槽隔离结构131，132分隔开的第一分隔部1312中延伸穿过所述基板材料100，以及其中所述牺牲插塞4接触所述第一有源器件20的源极或漏极触点21，b.在形成所述半导体器件之后，从所述基板1的背面去除902所述基板材料100，从而暴露所述牺牲插塞4和所述浅沟槽隔离结构139，131，132，133，并从相邻的浅沟槽隔离结构139，131，132，133之间的分隔部1391，1312，1323去除902所述基板材料100，c.随后沉积903覆盖所述基板1的所述背面10的衬层9，从而覆盖所述牺牲插塞4和所述分隔部1391，1312，1323的表面，覆盖所述器件层2的面向所述分隔部1391，1312，1313的经暴露表面，所述经暴露表面是通过所述基板材料100的所述去除而暴露的，d.此后各向异性地蚀刻904所述衬层9，以暴露所述牺牲插塞4的第一端41，同时将所述衬层9的至少一部分保持在相邻的浅沟槽隔离结构139，131，132，133之间的分隔部1391，1312，1323中，覆盖所述器件层2的面向所述分隔部1391，1312，1323的表面，e.此后相对于所述衬层9选择性地去除905所述牺牲插塞4，从而暴露所述第一有源器件20的源极或漏极触点21，以及f.此后在所述通孔130中提供906导电材料30，电接触所述第一有源器件20的源极或漏极触点21，以及将所述通孔130中的所述导电材料电耦合到埋入式电源轨31，32。

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百度查询： IMEC非营利协会 包括埋入式电源轨的集成电路器件