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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：提供了一种雪崩光电探测器，可应用于探测器技术领域。该探测器包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底上；N型电极接触区，位于第一绝缘层远离衬底的一侧；本征倍增区，位于N型电极接触区远离衬底的一侧；P型电荷区，位于本征倍增区远离衬底的一侧；本征吸收区，位于P型电荷区远离衬底的一侧；以及P型电极接触区，位于本征吸收区远离衬底的一侧，其中，本征倍增区的材料包括硅。通过采用低k值的硅作为本征倍增区材料，实现更低的过剩噪声和更高的增益带宽积；采用垂直结构，实现对本征吸收区和本征倍增区电场进行有效调控；采用波导结构设计，能够同时实现器件带宽和响应度性能的提升。本公开的实施例还提供了一种雪崩光电探测器的制备方法。
主权项：1.一种雪崩光电探测器，其特征在于，包括：衬底；第一绝缘层，位于所述衬底上；N型电极接触区，位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧；本征倍增区，位于所述N型电极接触区远离所述衬底的一侧；P型电荷区，位于所述本征倍增区远离所述衬底的一侧；本征吸收区，位于所述P型电荷区远离所述衬底的一侧；以及P型电极接触区，位于所述本征吸收区远离所述衬底的一侧，其中，所述本征倍增区的材料包括硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 雪崩光电探测器及其制备方法
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