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申请/专利权人：大连理工大学
摘要：本发明公开了一种择优取向纳米孪晶铜柱凸点互连结构及其制备方法，提供具有钝化层的晶圆基底，并在钝化层的凹槽内设置金属焊盘；设置介电层，介电层覆盖在钝化层及金属焊盘上；选择性掩蔽和刻蚀介电层，使金属焊盘表面暴露在介电层窗口中；物理溅射种子层于介电层和暴露出来的金属焊盘上；在种子层上涂覆光刻胶层，并对光刻胶层图形化处理，以暴露出金属焊盘上方的种子层；采用直流电镀工艺制备铜柱；在铜柱上电镀焊料；去除光刻胶层；刻蚀介电层上的多余种子层；对铜柱顶端的焊料进行回流，得到钎料凸点。本发明的电镀液不含有添加剂以及氯离子，与Sn基钎料凸点互连后界面无柯肯达尔孔洞，提高了铜柱凸点互连结构制造及服役的可靠性。
主权项：1.一种择优取向纳米孪晶铜柱凸点互连结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有钝化层的晶圆基底，并在所述钝化层的凹槽内设置金属焊盘；在所述钝化层远离所述晶圆基底的一侧设置所述介电层，所述介电层覆盖在钝化层及金属焊盘上；选择性掩蔽和刻蚀所述介电层，使所述金属焊盘表面暴露在所述介电层窗口中；物理溅射种子层于所述介电层和暴露出来的所述金属焊盘上；在所述种子层上涂覆光刻胶层，并对所述光刻胶层图形化处理，以暴露出所述金属焊盘上方的种子层；以光刻胶窗口内暴露出来的所述种子层为阴极，采用直流电镀工艺制备铜柱，所述铜柱的底部通过种子层与金属焊盘相连，铜柱侧壁与光刻胶层直接接触；所述直流电镀工艺采用的电镀液包括以下浓度的组分：60gL～270gL的硫酸铜、20mlL～80mlL的硫酸、其余为水；Cu2+H+浓度比为9.387～92.160；在所述铜柱上电镀焊料；去除光刻胶层；刻蚀所述介电层上的多余种子层；对铜柱顶端的焊料进行回流，得到钎料凸点。
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权利要求：
百度查询： 大连理工大学 一种择优取向纳米孪晶铜柱凸点互连结构及其制备方法
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