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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种空腔结构的制造方法，提供衬底，在衬底上形成目标长度的第一刻蚀停止层，在第一刻蚀停止层两端之间的区域上形成第一伪栅层；在衬底上形成覆盖第一刻蚀停止层、第一伪栅层的第二伪栅层；形成覆盖第二伪栅层的第二刻蚀停止层，之后研磨第二刻蚀停止层至所需厚度；利用第一、二伪栅层相对于第一、二刻蚀停止层高选择比的各向同性刻蚀，去除第一、二刻蚀停止层之间的第一、二伪栅层以形成空腔。本发明以第一、二伪栅层为释放材料，第一、二刻蚀停止层为绝缘材料并形成上下夹层，通过各向同性刻蚀，释放出第一、二伪栅层，以形成空腔。
主权项：1.一种空腔结构的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成目标长度的第一刻蚀停止层，在所述第一刻蚀停止层两端之间的区域上形成第一伪栅层；步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述第一刻蚀停止层、所述第一伪栅层的第二伪栅层；步骤三、形成覆盖所述第二伪栅层的第二刻蚀停止层，之后研磨所述第二刻蚀停止层至所需厚度；步骤四、利用所述第一、二伪栅层相对于所述第一、二刻蚀停止层高选择比的各向同性刻蚀，去除所述第一、二刻蚀停止层之间的所述第一、二伪栅层以形成空腔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 空腔结构的制造方法
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