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一种高电源抑制比低失调的带隙基准电压源 

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申请/专利权人:广西师范大学

摘要:本发明公开了一种高电源抑制比低失调的带隙基准电压源,所述基准电压源包括带隙核心电路和预稳压电路。带隙核心电路能够产生一个高精度、低温度系数的基准电压VBG;预稳压电路用于增大基准电压VBG的电源抑制比PSRR。本发明输出的参考电压VBG具有高电源抑制比、低温度系数、低失调、高精度等优点,特别适用于高精度线性霍尔传感器中。

主权项:1.一种高电源抑制比低失调带隙基准电压源,包括预稳压电路和带隙核心电路,其特征在于,所述预稳压电路由运算放大器A1和PMOS管M4组成;运算放大器的输出端与M4的栅极相接;M4的源极接到电源电压VDD,M4的漏极作为预稳压电路的输出节点VDDL;所述带隙核心电路包括:NPNBJT管Q1和Q2,PMOS管M1、M2和M3,电阻R1、R2、R3、R4、R5和RB、;M1、M2、M3的源极都接到输出节点VDDL;M1、M2、M3的栅极、M1的漏极、R1的第一端子以及R2的第一端子相互相接;M2的漏极与R3的第一端子、RB的第一端子、R4的第一端子相互相接;M3漏极与R5的第一端子相接;R1的第二端子、Q1的集电极与运算放大器A1的同向输入端相互相接;R3的第二端子、Q1的基极、Q2的集电极与运算放大器A1的反向输入端相互相接;Q2的基极与RB的第二端子相接;R2的第二端子、Q1的发射极、Q2的发射极、R4的第二个端子以及R5的第二端子接地GND。

全文数据:

权利要求:

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