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申请/专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
摘要：一种带有分段补偿的高精度带隙基准电路，包括场效应管M1～M13、双极性晶体管Q1～Q3、电阻R1～R2、可修调电阻R3、R4、运算放大器。场效应管M1～M4、运算放大器、电阻R1、双极性晶体管Q1、Q2构成了PTAT电流产生电路；场效应管M5～M13、电阻R2～R4、双极性晶体管Q3构成了分段式补偿CTAT产生电路，其中可修调电阻R3和场效应管M11工作在低温段，可修调电阻R4和场效应管M12～M13工作在高温段，通过对双极性晶体管Q3发射极补充或抽取电流，实现在低温和高温段对基准电压的补偿。本发明通过在高低温段分段补偿的方式，较大程度地提升了基准源的精度，具有结构简单、精度高的特点，适用于高精度的模数转换器设计中。
主权项：1.一种带有分段补偿的高精度带隙基准电路，其特征在于包括：场效应管M1～M13、双极性晶体管Q1～Q3、电阻R1～R2、可修调电阻R3、R4以及运算放大器；场效应管M1～M4、运算放大器、电阻R1、双极性晶体管Q1、Q2构成PTAT电流产生电路；场效应管M5～M13、电阻R2～R4、双极性晶体管Q3构成分段式补偿CTAT产生电路，其中可修调电阻R3和场效应管M11工作在低温段，可修调电阻R4和场效应管M12～M13工作在高温段，通过对双极性晶体管Q3发射极补充或抽取电流，实现在低温和高温段对基准电压的补偿。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京微电子技术研究所 北京时代民芯科技有限公司 一种带有分段补偿的高精度带隙基准电路
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