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申请/专利权人：力旺电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种反熔丝型非易失性存储单元，包括一选择晶体管、一跟随晶体管与一电容器。选择晶体管的第一漏源端连接至位线。选择晶体管的栅极端连接至字线。跟随晶体管的第一漏源端连接至选择晶体管的第二漏源端。跟随晶体管的栅极端连接至跟随线。跟随晶体管的第二漏源端连接至电容器的第一端。电容器的第二端连接至反熔丝控制线。
主权项：1.一种反熔丝型非易失性存储单元，包括：半导体基板；阱区，形成于该半导体基板内；第一栅极结构、第二栅极结构与第三栅极结构形成于该阱区表面上；第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区，其中该第一掺杂区形成于该第一栅极结构第一侧的该阱区表面下方，该第二掺杂区形成于该第一栅结构的第二侧与该第二栅极结构第一侧之间的该阱区表面下方，该第三掺杂区形成于该第二栅结构的第二侧与该第三栅极结构第一侧之间的该阱区表面下方；第一保护层，完全覆盖于该第二掺杂区与该第三掺杂区的表面；第一电性接触层、第二电性接触层、第三电性接触层与第四电性接触层，分别接触于该第一掺杂区表面、该第一栅极结构、该第二栅极结构、该第三栅极结构；以及第一导线、第二导线、第三导线与第四导线，分别电连接于该第一电性接触层、该第二电性接触层、该第三电性接触层与该第四电性接触层；其中，该阱区、该第一栅极结构、该第一掺杂区与该第二掺杂区组成第一选择晶体管；该阱区、该第二栅极结构、该第二掺杂区与该第三掺杂区组成第一跟随晶体管；该第三栅极结构与该第三掺杂区组成电容器；且该反熔丝型非易失性存储单元包括该第一选择晶体管、该第一跟随晶体管与该电容器。
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权利要求：
百度查询： 力旺电子股份有限公司 反熔丝型非易失性存储单元
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