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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体结构，包括以下构件。第一电容器结构设置在基底的上方。第一电容器结构包括第一电极层、第二电极层、第三电极层、第一介电层与第二介电层。第二电极层设置在第一电极层上。第二电极层的俯视图案与第一电极层的俯视图案部分重叠而具有第一重叠区。第三电极层设置在第二电极层上。第三电极层的俯视图案与第二电极层的俯视图案部分重叠而具有第二重叠区。第一重叠区与第二重叠区具有相同俯视面积。第一介电层设置在第一电极层与第二电极层之间。第二介电层设置在第二电极层与第三电极层之间。
主权项：1.一种半导体结构，包括：基底；第一电容器结构，设置在所述基底的上方，且包括：第一电极层；第二电极层，设置在所述第一电极层上，其中所述第二电极层的俯视图案与所述第一电极层的俯视图案部分重叠而具有第一重叠区；第三电极层，设置在所述第二电极层上，其中所述第三电极层的俯视图案与所述第二电极层的俯视图案部分重叠而具有第二重叠区，其中所述第一重叠区与所述第二重叠区具有相同俯视面积；第一介电层，设置在所述第一电极层与所述第二电极层之间；以及第二介电层，设置在所述第二电极层与所述第三电极层之间；第一接触窗结构，电连接于所述第一电极层与所述第三电极层，其中所述第一接触窗结构的俯视图案位于所述第一重叠区的外部与所述第二重叠区的外部；以及第二接触窗结构，电连接于所述第二电极层，其中所述第二接触窗结构的俯视图案位于所述第一重叠区的外部与所述第二重叠区的外部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 半导体结构
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