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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种获得误差校准模型的方法、校准及验证方法、半导体结构，本公开的方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括多个对准区域；在所述晶圆上形成待蚀刻膜层；在所述待蚀刻膜层远离所述晶圆的一侧形成光阻层，所述光阻层包括多个与各所述对准区域分别对应的显影区；在各所述显影区对所述待蚀刻膜层进行蚀刻，以形成多个蚀刻图案；检测各所述蚀刻图案与各所述对准区域之间的对准偏差，并根据所述对准偏差形成基于所述晶圆的半径的校准模型。本公开的方法可提高校准模型精度，可降低器件失效概率，提高产品良率。
主权项：1.一种获得误差校准模型的方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括多个对准区域；在所述晶圆上形成待蚀刻膜层；在所述待蚀刻膜层远离所述晶圆的一侧形成光阻层，所述光阻层包括多个与各所述对准区域分别对应的显影区；在各所述显影区对所述待蚀刻膜层进行蚀刻，以形成多个蚀刻图案；检测各所述蚀刻图案与各所述对准区域之间的对准偏差，并根据所述对准偏差形成基于所述晶圆的半径的校准模型。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 获得误差校准模型的方法、校准及验证方法、半导体结构
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