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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司

摘要：本申请提供一种红外探测器及其制备方法，涉及红外探测器技术领域，该红外探测器包括基底、牺牲层以及微桥结构；牺牲层设置在基底上，牺牲层内设置有连接孔；微桥结构的部分设置在所述连接孔内，且位于该连接孔内的所述微桥结构与设置在所述基底内的电路电连接。本申请通过对微桥结构进行改进，使得微桥结构包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，与相关技术中，微桥结构仅包括一层导电层的技术方案相比，增加了微桥结构的厚度，进而降低了微桥结构的电阻，提高了红外探测器的性能。

主权项：1.一种红外探测器，其特征在于，包括基底、牺牲层以及微桥结构；所述牺牲层设置在所述基底上，所述牺牲层内设置有连接孔；所述微桥结构的部分设置在所述连接孔内，且位于该连接孔内的所述微桥结构与设置在所述基底内的电路电连接，其中，所述微桥结构包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述连接孔的内壁连接；所述第一导电层设置在所述连接孔内，且所述第一导电层的端部的顶面低于所述牺牲层的顶面；所述第二导电层覆盖在所述第一导电层上，且所述第二导电层的一端延伸至所述连接孔外，并覆盖在部分所述牺牲层上；所述第一导电层包括依次层叠设置的两个子导电层，两个所述子导电层的材质不同；且所述两个子导电层端部的顶面平齐；或者，所述第一导电层包括第一支撑层以及与所述第一支撑层连接的第一桥面，所述第一桥面覆盖在部分所述牺牲层上；所述第一支撑层设置所述连接孔内，且所述第一支撑层背离所述第一桥面的端部的顶面低于所述牺牲层的顶面；所述第二导电层设置在所述连接孔内，且以垂直于所述基底的截面为纵截面，所述第二导电层的纵截面为U型，所述第二导电层的端部的顶面低于所述牺牲层的顶面；或者，所述第一导电层包括第一支撑层以及与所述第一支撑层连接的第一桥面，所述第一桥面覆盖在部分所述牺牲层上；所述第一支撑层设置所述连接孔内，且所述第一支撑层背离所述第一桥面的端部的顶面低于所述牺牲层的顶面；所述第二导电层包括第二支撑层以及与所述第二支撑层连接的第二桥面，所述第二桥面设置在所述第一桥面上；所述第二支撑层设置在所述连接孔内，且所述第二支撑层背离所述第二桥面的端部的顶面与所述第一支撑层背离所述第一桥面的端部的顶面平齐。

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