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一种新型的电容型DAC结构 

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申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司

摘要:本发明提供一种新型的电容型DAC结构,所述电容型DAC结构至少包括:全差分DAC电容阵列、比较器以及设置于所述全差分DAC电容阵列与所述比较器之间的采样保持开关。本发明通过在所述全差分DAC电容阵列和所述比较器之间设置所述第一逻辑开关、第二逻辑开关以及第三逻辑开关这三个采样保持开关,并通过改变开关的时序关系,产生稳定的共模电平Vcm,这样,可以极大地减小面积和功耗,有效提高IP竞争力,可用于高性能ADC设计。

主权项:1.一种新型的电容型DAC结构,其特征在于,所述电容型DAC结构至少包括:全差分DAC电容阵列、比较器以及设置于所述全差分DAC电容阵列与所述比较器之间的采样保持开关;所述全差分DAC电容阵列包括第一DAC电容阵列和第二DAC电容阵列,所述比较器包括第一输入电平端和第二输入电平端。所述采样保持开关包括第一逻辑开关、第二逻辑开关以及第三逻辑开关,所述第一逻辑开关设于所述第一输入电平端和第二输入电平端之间,所述第二逻辑开关设于所述第一DAC电容阵列的上极板与所述第一输入电平端之间,所述第三逻辑开关设于所述第二DAC电容阵列的上极板与所述第二输入电平端之间。

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权利要求:

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