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一种吸收电容结构 

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申请/专利权人:深圳市深峰电子有限公司

摘要:本实用新型涉及电子元器件技术领域,且公开了一种吸收电容结构,包括外壳体,所述外壳体内开设有空腔,所述空腔内固定安装有吸收电容本体,所述吸收电容本体的前侧设置有密封层,且所述密封层对空腔的开口端进行固定,所述吸收电容本体靠近密封层的一侧固定连接有电极片,所述电极片贯穿密封层并延伸至外壳体外,所述外壳体的后侧开设有安装槽,所述安装槽内嵌设有散热组件,通过将电极片设置于空腔底侧壁与吸收电容本体之间,能够减小该吸收电容结构的占用空间,有利于将该吸收电容结构隐藏在需要安装的装置内部,利用若干个散热翅片增加散热路径,使热量可以更快地传输和分散,避免热点集中,减少热量对周围元件的热干扰。

主权项:1.一种吸收电容结构,包括外壳体1,其特征在于:所述外壳体1内开设有空腔101,所述空腔101内固定安装有吸收电容本体2,所述吸收电容本体2的前侧设置有密封层3,且所述密封层3对空腔101的开口端进行固定,所述吸收电容本体2靠近密封层3的一侧固定连接有电极片4,所述电极片4贯穿密封层3并延伸至外壳体1外,所述外壳体1的后侧开设有安装槽102,所述安装槽102内嵌设有散热组件5。

全文数据:

权利要求:

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