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申请/专利权人：常州承芯半导体有限公司
摘要：一种电容结构及其形成方法、半导体结构，电容结构包括：第一金属层；位于第一金属层上的介电结构，介电结构至少包括第一介电层和第二介电层，第一介电层的介电常数大于第二介电层的介电常数，第二介电层的致密程度大于第一介电层的致密程度；位于介电结构上的第二金属层。第二介电层的致密程度大于第一介电层的致密程度，即第二介电层的致密性比第一介电层的致密性好，能够阻挡第一金属层内的电子或第二金属层内的电子进入到第一介电层内，从而减小了电容结构容易发生电击穿的情况，提升了电容结构的可靠性。此外，通过第二介电层提升介电结构的整体厚度，减小击穿的可能性，防止电容失效，并且对电容值的影响较小。
主权项：1.一种电容结构，其特征在于，包括：第一金属层；位于所述第一金属层上的介电结构，所述介电结构至少包括第一介电层和第二介电层，所述第一介电层的介电常数大于所述第二介电层的介电常数，所述第二介电层的致密程度大于所述第一介电层的致密程度；位于所述介电结构上的第二金属层。
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百度查询： 常州承芯半导体有限公司 电容结构及其形成方法、半导体结构
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