首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:信越化学工业株式会社

摘要:本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。本发明的课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法,其特征为具备:涂布步骤,将含有具有金属‑氧共价键的金属化合物与有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组成物涂布于基板,加热步骤,将前述已涂布的基板于氧浓度未达1体积%的环境中,以450℃以上且800℃以下的温度进行加热;其是使用含有至少1个以上的下述通式a‑1~a‑4、b‑1~b‑4、及c‑1~c‑3表示的交联基团者作为该金属化合物。[化1][化2][化3]

主权项:1.一种抗蚀剂下层膜形成方法,其特征为具备:涂布步骤,将含有具有金属-氧共价键的金属化合物与有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组成物涂布于基板,及加热步骤,将前述已涂布的基板于氧浓度未达1体积%的环境中,以450℃以上且800℃以下的温度进行加热;其是使用含有至少1个以上的下述通式a-1~a-4、b-1~b-4、及c-1~c-3表示的交联基团者作为该金属化合物; 通式a-1~a-4中,Ra为氢原子或碳数1~10的1价有机基团,q表示0或1,*表示键结部; 通式b-1~b-4中,Rb为氢原子或甲基,且在相同式中,它们可互为相同也可相异,Rc为氢原子、经取代或未经取代的碳数1~20的饱和或不饱和的1价有机基团、经取代或未经取代的碳数6~30的芳基、或经取代或未经取代的碳数7~31的芳基烷基,*表示键结部; 通式c-1~c-3中,Y1为碳数1~20的2价有机基团,R为氢原子、经取代或未经取代的碳数1~20的饱和或碳数2~20的不饱和的2价有机基团、经取代或未经取代的碳数6~30的芳基、或经取代或未经取代的碳数7~31的芳基烷基,R1为下述通式1表示的由于酸及热中任一者或两者的作用而保护基团会脱离并产生1个以上的羟基或羧基的有机基团,*表示键结部; 通式1中,R2为由于酸及热中任一者或两者的作用而保护基团会脱离的有机基团,*表示和Y1的键结部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 信越化学工业株式会社 抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。