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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种形成半导体结构的方法包括形成第一半导体沟道区域和第二半导体沟道区域，第二半导体沟道区域与第一半导体沟道区域重叠，在第一半导体沟道区域上形成第一栅极电介质，并且在第二半导体沟道区域上形成第二栅极电介质，将偶极掺杂剂引入到第一栅极电介质和第二栅极电介质的第一个栅极电介质中至较高原子百分比，并且第一栅极电介质和第二栅极电介质的第二个栅极电介质具有较低原子百分比的偶极掺杂剂。在第一栅极电介质和第二栅极电介质两者上形成栅电极。栅电极和第一栅极电介质形成第一晶体管的部分，并且栅电极和第二栅极电介质形成第二晶体管的部分。本申请的实施例还提供了半导体结构。
主权项：1.一种形成半导体结构的方法，包括：形成第一半导体沟道区域和第二半导体沟道区域，其中，所述第二半导体沟道区域与所述第一半导体沟道区域重叠；在所述第一半导体沟道区域上形成第一栅极电介质；在所述第二半导体沟道区域上形成第二栅极电介质；将偶极掺杂剂引入到所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质的第一个栅极电介质中至较高原子百分比，其中，所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质的第二个栅极电介质具有较低原子百分比的所述偶极掺杂剂；以及在所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质两者上形成栅电极，其中，所述栅电极和所述第一栅极电介质形成第一晶体管的部分，并且所述栅电极和所述第二栅极电介质形成第二晶体管的部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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